两步法制备的自旋阀巨磁电阻效应研究

作     者：卢正启 柴春林 赖武彦 LU ZHENG-QI;CHAI CHUN-LIN;LAI WU-YAN

作者机构：中国科学院物理研究所凝聚态物理中心和磁学国家重点实验室北京100080 北京科技大学应用科学学院北京100083 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2000年第49卷第2期

页      面：328-333页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 

基　　金：中国科学院基金!(批准号 :KJ95 1 A1 40 1) 国家自然科学基金!(批准号 :19890 3 10 )资助的课题 

主　　题：两步长 自旋阀 巨磁电阻效应 多层膜 

摘      要：采用新的磁控溅射两步法沉积自旋阀多层膜,不仅交换耦合作用大大增强,而且可以提高磁电阻比值和降低层间耦合作用.得到磁电阻比值～26%,交换耦合场～28kA/m,层间耦合场～01kA/m.自旋阀的下部(缓冲层(Ta)/自由层(NiFe)/中间隔离层(Cu))在低氩气压下沉积、上部(被钉扎层(NiFe)/反铁磁钉扎层(FeMn)/覆盖层(Ta))则在高氩气压下沉积.前者保证了自旋阀具有强(111)晶体织构,平整的NiFe/Cu界面和致密的Cu层,抑制了层间耦合作用;后者则促进小尺寸磁畴生长和增加NiFe/FeMn间有效界面反铁磁交换耦合。