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射频等离子体甲烷有氧转化研究

广州化工 2009年第9期37卷 145-148页

作者：原金海仲学军谭世语重庆科技学院化学化工学院重庆401331 重庆大学西南资源开发与环境灾害控制工程教育部重点实验室重庆400044 重庆化工设计研究院重庆400039 重庆大学化学化工学院重庆400044

利用夹套型反应器对甲烷的射频等离子体有氧转化进行了系统的研究,得到了产物H_2、C_2H_4、C_2H_6、C2H_2和少量的CO_2。研究表明,激发电压、放电面积、O_2/CH_4配比和气体总流量对甲烷的转化率、C_2烃的收率和选择性有显著影响,其适宜... 详细信息

利用夹套型反应器对甲烷的射频等离子体有氧转化进行了系统的研究,得到了产物H_2、C_2H_4、C_2H_6、C2H_2和少量的CO_2。研究表明,激发电压、放电面积、O_2/CH_4配比和气体总流量对甲烷的转化率、C_2烃的收率和选择性有显著影响,其适宜的转化条件为:激发电压1150V,放电面积7.065cm^2,O_2/CH_4配比0.17,混合气体总流量220mL/min。在此条件下得到甲烷转化率为80.4%,C_2烃的总收率和总选择性为14.3%和18.7%

关键词：甲烷氧气射频等离子体 C2烃

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射频等离子体氨合成反应器的研究

化学工业与工程技术 2008年第4期29卷 7-9页

作者：原金海仲学军谭世语重庆大学西南资源开发与环境灾害控制工程教育部重点实验室重庆400044 重庆科技学院化学化工学院重庆401331 重庆化工设计研究院重庆400039 重庆大学化学化工学院重庆400044

根据等离子体化学反应的特点,应用射频辉光放电,研究了T型、Y型和夹套型反应器对低压条件下N_2+H_2转化反应的影响。结果显示,T_Ⅱ型反应器是射频等离子体氨合成反应相对有利的反应器。

关键词：射频等离子体合成氨反应器

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射频等离子体制备类金刚石薄膜及其表征

武汉工程大学学报 2009年第3期31卷 60-63页

作者：谢鹏汪建华王传新王升高满卫东熊礼威武汉工程大学材料学院湖北武汉430074 湖北省等离子体化学与新材料重点实验室湖北武汉430074

采用射频等离子体技术,以CH4和H2为反应气体,在单晶硅片和载玻玻璃片上成功制备出了高质量的类金刚石薄膜.采用扫描电镜、原子力显微镜、Raman光谱、红外光谱、显微硬度计表征了类金刚石薄膜的表面形貌、微观结构、光学性能和复合硬度.... 详细信息

采用射频等离子体技术,以CH4和H2为反应气体,在单晶硅片和载玻玻璃片上成功制备出了高质量的类金刚石薄膜.采用扫描电镜、原子力显微镜、Raman光谱、红外光谱、显微硬度计表征了类金刚石薄膜的表面形貌、微观结构、光学性能和复合硬度.结果表明,制备出的类金刚石薄膜表面十分平整光滑,表面粗糙度极低,平均粗糙度Ra为0.492 nm;薄膜中含有sp2,sp3杂化键,具有典型的类金刚石结构特征;光学透过率比较高,薄膜的复合硬度可以高达507.3 kgf/cm2.

关键词：射频等离子体类金刚石薄膜粗糙度拉曼光谱显微硬度

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射频等离子体自偏压及其对聚合成膜的影响

北京印刷学院学报 2003年第4期11卷 19-23页

作者：庞华葛袁静张跃飞张广秋北京印刷学院等离子体科学及材料实验室北京102600

通过实验分析了射频等离子体自偏压的产生及与电子密度、电子温度的关系和对聚合成膜质量的影响并探讨了其机制,指出产生自偏压可明显改善等离子体聚合成膜质量,这是由于自偏压提高了等离子体中电子温度和电子密度的结果。在直接利用等... 详细信息

通过实验分析了射频等离子体自偏压的产生及与电子密度、电子温度的关系和对聚合成膜质量的影响并探讨了其机制,指出产生自偏压可明显改善等离子体聚合成膜质量,这是由于自偏压提高了等离子体中电子温度和电子密度的结果。在直接利用等离子体进行聚合反应制备薄膜时,应根据装置条件选择合适的自偏压值。

关键词：射频等离子体自偏压电子温度电子密度等离子体聚合

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射频等离子体球化Ti粉体的研究

材料开发与应用 2009年第4期24卷 30-34页

作者：古忠涛叶高英刘川东童洪辉西南物理研究院四川成都610041

本文采用射频(RF)等离子法对颗粒形状不规则的Ti粉进行球化处理。研究了加料速率、物料分散方式、Ti粉颗粒大小等因素对球化率的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)观察相应试样的形貌。结果显示,射频等离子体法是制备具有良好流动性的球形... 详细信息

本文采用射频(RF)等离子法对颗粒形状不规则的Ti粉进行球化处理。研究了加料速率、物料分散方式、Ti粉颗粒大小等因素对球化率的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)观察相应试样的形貌。结果显示,射频等离子体法是制备具有良好流动性的球形钛粉的有效技术。

关键词：射频等离子体球化钛粉

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射频感应等离子体制备球形钛粉的成分分析

强激光与粒子束 2012年第6期24卷 1409-1413页

作者：古忠涛叶高英金玉萍西南科技大学制造科学与工程学院四川绵阳621010 西南物理研究院成都610041

射频等离子体制备球形钛粉技术是利用等离子体炬产生的高温热将形状不规则的钛粉快速熔融成液滴,随后急冷,"冻结"成球形钛粉。通过射频等离子体球化处理前后的钛粉的粒度与粒径分布的测试表明,钛粉经过球化处理后,平均粒度基本上没有改... 详细信息

射频等离子体制备球形钛粉技术是利用等离子体炬产生的高温热将形状不规则的钛粉快速熔融成液滴,随后急冷,"冻结"成球形钛粉。通过射频等离子体球化处理前后的钛粉的粒度与粒径分布的测试表明,钛粉经过球化处理后,平均粒度基本上没有改变,而粒径分布相对变窄。实验通过随机对球化处理的钛粉进行X射线衍射谱检测,发现最终获得的球形钛粉没有物质结构和相的变化。C,O,H和N的含量有所降低,而Ti的含量略有所增加,可见射频等离子体的球化处理有一定的纯化作用。

关键词：射频等离子体等离子体炬球化钛粉纯化

激光诱导荧光法对低气压NO射频等离子体诊断与研究

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激光诱导荧光法对低气压NO射频等离子体诊断与研究

作者：彭博长春理工大学

学位级别：硕士

本论文以Nd:YAG固体激光器泵浦LPX200染料激光器(Dye Laser),用激光诱导荧光的方法(LIF)探测低气压NO等离子体中NO分子在基态到共振激发态(A2∑+-X2Π)的荧光激发光谱;运用较大体积的、较高真空的分子束自由基成像系统IRIS,利用探测器件... 详细信息

本论文以Nd:YAG固体激光器泵浦LPX200染料激光器(Dye Laser),用激光诱导荧光的方法(LIF)探测低气压NO等离子体中NO分子在基态到共振激发态(A2∑+-X2Π)的荧光激发光谱;运用较大体积的、较高真空的分子束自由基成像系统IRIS,利用探测器件ICCD相机进行拍照得到荧光图片和光谱分辨的图像。在激光输出波长为226.2nm时对受NO射频放电等离子体的功率和气压变化影响的荧光强度进行定量测量。此外,对于IRIS设备中腔体内的不同填充物对NO(A2∑+-X2Π)荧光强度的影响作了定量的表征。结果表明,在紫外波段205-240nm和226.05-226.12nm所激发的NO(A2∑+-X2Π)荧光光谱与理论结果吻合。此外,在石英砂、钴(Co)分子塞分别填充的时候测量NO基态粒子的荧光强度,结果是不同的：石英砂几乎不存在吸收紫外荧光,而分子塞钴(Co)由于结构上有孔洞,存在一定物理吸附,使得部分NO分子被吸附从而降低了荧光强度。

关键词：激光诱导荧光荧光激发光谱射频等离子体低气压分子束 NO基态粒子

射频等离子体压力对煤基纳米洋葱状富勒烯合成的影响

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射频等离子体压力对煤基纳米洋葱状富勒烯合成的影响

在含卤族活性体的射频等离子体中Al及Al合金的反应离子刻蚀

2004年中国材料研讨会

作者：杜爱兵符冬菊刘旭光许并社太原理工大学煤化工研究所太原理工大学材料科学与工程学院太原理工大学煤化工研究所太原理工大学材料科学与工程学院

在射频等离子体条件下以煤为原料制备纳米洋葱状富勒烯（Nano-Structured Onion-likeFullerenes:NSOFs）。采用HRTEM和XRD等方法研究了压力对合成NSOFs的晶体结构和形貌的影响,在其它工艺条件相同的情况下,当压力为30Pa时,生成的NSOFs... 详细信息

在射频等离子体条件下以煤为原料制备纳米洋葱状富勒烯（Nano-Structured Onion-likeFullerenes:NSOFs）。采用HRTEM和XRD等方法研究了压力对合成NSOFs的晶体结构和形貌的影响,在其它工艺条件相同的情况下,当压力为30Pa时,生成的NSOFs的石墨化程度较高,晶体结构较好。

关键词：射频等离子体纳米洋葱状富勒烯煤压力

来源： cnki会议评论

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压电与声光 1979年第4期 41-45页

作者： P.M.Schaible W.C.Metzger J.P.Anderson 张汝政 IBM系统产品部

本文介绍一种能在Al及Al合金膜上形成陡直的高分辨率图形的刻蚀方法.这种过程是含有离子活性体的等离子体的射频溅射刻蚀,这些活性体能与金属反应而成挥发性的或易被溅射的化合物.由于反应性活性体的存在大大增加了刻蚀速率,而在溅射过... 详细信息

本文介绍一种能在Al及Al合金膜上形成陡直的高分辨率图形的刻蚀方法.这种过程是含有离子活性体的等离子体的射频溅射刻蚀,这些活性体能与金属反应而成挥发性的或易被溅射的化合物.由于反应性活性体的存在大大增加了刻蚀速率,而在溅射过程中电场仍保持原有的方向性.在含有Cl、Br、HCl.HBr或CCl分压的射频等离子体中得到的卤素离子活性休可用来进行Al的反应性离子刻蚀.在输入功率为0.6瓦/厘米~2的CCl等离子作中刻蚀速率高达5000埃/分钟.讨论了反应速率与功率,反应剂浓度,反应剂流速,温度,气体压力,批量大小和剩余气体的沾污等的共系.还介绍适用作掩膜的各种材料的刻蚀速率数据.

关键词：离子刻蚀 AI 刻蚀速率射频等离子体 Al