检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

掺杂多晶硅膜电特性的模拟分析

华中理工大学学报 1996年第A1期24卷 121-125页

作者：徐静平丘思畴

在Ｓｅｔｏ陷阱模型基础上，通过考虑晶粒体电阻效应和有效陷阱态密度，建立了修正的陷阱模型。理论计算结果表明，该模型不但适用于小晶粒，而且也适用于大晶粒尺寸多晶硅膜电特性的模拟分析，且与实验数据符合较好；对于大晶粒的情况... 详细信息

在Ｓｅｔｏ陷阱模型基础上，通过考虑晶粒体电阻效应和有效陷阱态密度，建立了修正的陷阱模型。理论计算结果表明，该模型不但适用于小晶粒，而且也适用于大晶粒尺寸多晶硅膜电特性的模拟分析，且与实验数据符合较好；对于大晶粒的情况，模型的迁移率也是在Ｎ＝Ｎ＾＊处最小，其中Ｎ＾＊随晶粒的增大而减小；分析还表明，体电阻率在Ｎ＞Ｎ＾＊时对于精确估计迁移率的重要性，以及大晶粒的多晶硅结构有利于材料电阻率的控制和降低。

关键词：多晶硅膜陷阱模型电特性模拟分析

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

热壁低压化学汽相淀积多晶硅膜的氧沾污分析

半导体技术 1995年第3期11卷 38-40,43页

作者：程开富重庆光电技术研究所

主要介绍热壁低压化学汽相淀积（ＬＰＣＶＤ）多晶硅薄膜时，系统、温度和氧沾污对膜层质量的影响。

关键词：多晶硅膜氧沾污掺磷热壁低压化学汽相沉积

LPCVD多晶硅膜的制备和在硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIRCCD)中的应用

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体技术 1990年第2期6卷 23-28页

作者：程开富机械电子工业部第四十四研究所

本文介绍热壁低压化学汽相淀积(LPCVD)制备多晶硅膜的淀积变量,影响膜层质量的因素。其次简述了多晶硅膜的等离子刻蚀情况及其在硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(Ptsi-SBIRCCD)研制中的应用。

关键词：多晶硅膜制备电荷耦合器件红外

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

多晶硅膜的热壁低压化学汽相淀积

半导体技术 1980年第3期 14-19页

作者：张冠生复旦大学

目前多晶硅膜的淀积与其他Si;N;、SiO;等薄膜工艺一样,一般都采用CVD技术,国内生产都是在冷壁常压系统中淀积.本文介绍热壁低压CVD技术,使装片容量增加到常规CVD技术的4到5倍,且膜厚的均匀性好,含氧量低,不用携带气体和加热基座,因此工... 详细信息

目前多晶硅膜的淀积与其他Si;N;、SiO;等薄膜工艺一样,一般都采用CVD技术,国内生产都是在冷壁常压系统中淀积.本文介绍热壁低压CVD技术,使装片容量增加到常规CVD技术的4到5倍,且膜厚的均匀性好,含氧量低,不用携带气体和加热基座,因此工艺简单,能节省电力与高纯气体,具有较大的经济效果.试验中采用的硅源为20%SiH;气体,系统压力为0.5～1托,淀积温度为640℃～700℃,SiH;气流量为25～45毫升/分,淀积膜厚2000～7000埃的多晶硅膜,淀积速率为90～160埃/分.膜厚每增加1000埃,R（?）比值降低约1.2倍,淀积温度每增加20℃,R（?）比值降低约1.3倍.根据电子衍射分析,多晶硅膜的最低淀积温度为600℃左右,一般以640℃至700℃为宜.薄膜表面晶粒大小随淀积温度与膜厚增加而增加.

关键词：淀积膜厚透射电镜多晶硅膜淀积速率

在再结晶多晶硅膜中制造合并3-D纵向双极-MOS器件

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

微电子学与计算机 1990年第2期7卷 14-16页

作者： J.C.Sturm J.F.Gibbons 石广元

本文研究了成形激光束再结晶多晶硅膜的少数载流子性质,在这种膜中成功地制造出纵向双极晶体管和一种3-D 合并纵向双极-MOS 器件,并提出了关于该器件的简单模型.横向晶体管的实验确定了p 型再结晶膜中少数载流子的扩散长度为4μm.使用... 详细信息

本文研究了成形激光束再结晶多晶硅膜的少数载流子性质,在这种膜中成功地制造出纵向双极晶体管和一种3-D 合并纵向双极-MOS 器件,并提出了关于该器件的简单模型.横向晶体管的实验确定了p 型再结晶膜中少数载流子的扩散长度为4μm.使用多晶硅发射极技术,在0.75μm 厚的膜中制造出基区宽度为0.2μm 的纵向双极npn 晶体管.描述了晶体管的增益与氢退火步骤有密切关系.用Ar:H等离子退火减少基区-发射区的空间电荷区域的复合,有可能使共发射极电流增益(β)为100.

关键词： MOS器件多晶硅膜晶体管

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

多晶硅膜的颗粒度与氧沾污

微电子学 1975年第2期 1-9页

作者：李添臣生产线多晶硅工艺组

在金属-氧化物-半导体集成电路中,以硅栅代替铝栅的方法具有低阈值电压和自对准结构等优点,为国内外广泛采纳。硅栅MOS集成电路对多晶硅膜的质量究竟有哪些要求,如何达到这些要求,这是人们所关心的。下面仅就我们前段工作中遇到的两个问... 详细信息

在金属-氧化物-半导体集成电路中,以硅栅代替铝栅的方法具有低阈值电压和自对准结构等优点,为国内外广泛采纳。硅栅MOS集成电路对多晶硅膜的质量究竟有哪些要求,如何达到这些要求,这是人们所关心的。下面仅就我们前段工作中遇到的两个问题,谈点粗浅的看法。

关键词：硅烷淀积膜有机硅化合物多晶硅膜氧化硅化学汽相淀积化学气相沉积颗粒度

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

多晶硅膜的高压氧化

Journal of Semiconductors 1986年第4期 446-449页

作者：张爱珍王阳元北京半导体器件研究所北京大学微电子研究室

对未掺杂的、重磷掺杂的和重硼掺杂的多晶硅膜在812℃,7.5atm的高压水汽中的氧化特性进行了研究.为了比较,同时给出了（111）-Si 和（100）-Si的氧化结果.对未掺杂多晶硅,氧化特性和常压湿氧情况下类似,但标志初始迅速氧化阶段的时间t;... 详细信息

对未掺杂的、重磷掺杂的和重硼掺杂的多晶硅膜在812℃,7.5atm的高压水汽中的氧化特性进行了研究.为了比较,同时给出了（111）-Si 和（100）-Si的氧化结果.对未掺杂多晶硅,氧化特性和常压湿氧情况下类似,但标志初始迅速氧化阶段的时间t;变短.对重磷掺杂多晶硅膜,加速氧化是很明显的.它能得到一个较大的x;/x;厚度比率.对重硼掺杂多晶硅,在高压和常压下氧化速率都比（111）-Si快,但加速氧化的现象小得多.

关键词：多晶硅膜硼掺杂高压氧化单晶硅膜氧化速率