多晶硅膜的高压氧化
Characteristics of Polysilicon Films Oxidized in High Pressure Oxidation System作者机构：北京半导体器件研究所 北京大学微电子研究室
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报(英文版))
年 卷 期：1986年第4期
页 面：446-449页
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：对未掺杂的、重磷掺杂的和重硼掺杂的多晶硅膜在812℃,7.5atm的高压水汽中的氧化特性进行了研究.为了比较,同时给出了（111）-Si 和（100）-Si的氧化结果.对未掺杂多晶硅,氧化特性和常压湿氧情况下类似,但标志初始迅速氧化阶段的时间t;变短.对重磷掺杂多晶硅膜,加速氧化是很明显的.它能得到一个较大的x;/x;厚度比率.对重硼掺杂多晶硅,在高压和常压下氧化速率都比（111）-Si快,但加速氧化的现象小得多.
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