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文献类型

  • 3 篇 期刊文献
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  • 3 篇 电子文献
  • 1 种 纸本馆藏

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学科分类号

  • 4 篇 工学
    • 3 篇 材料科学与工程（可...
    • 3 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 仪器科学与技术
  • 1 篇 管理学
    • 1 篇 管理科学与工程(可...

主题

  • 4 篇 多晶硅发射极晶体...
  • 2 篇 界面氧化层
  • 1 篇 ecl移位寄存器
  • 1 篇 集成电路
  • 1 篇 电流增益
  • 1 篇 放大系数
  • 1 篇 退火
  • 1 篇 自然氧化层
  • 1 篇 高速测量系统

机构

  • 1 篇 无锡中微晶园电子...
  • 1 篇 北京大学
  • 1 篇 重庆中科渝芯有限...
  • 1 篇 中国电子科技集团...

作者

  • 1 篇 张广勤
  • 1 篇 张利春
  • 1 篇 张明
  • 1 篇 孙建洁
  • 1 篇 莫邦燹
  • 1 篇 阚玲
  • 1 篇 张可可
  • 1 篇 王阳元
  • 1 篇 倪学文
  • 1 篇 刘建
  • 1 篇 字宝俊
  • 1 篇 许帅

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=多晶硅发射极晶体管"
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多晶硅发射极晶体管电流增益工艺稳定性研究
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微电子学 2020年 第4期50卷 589-592页
作者： 阚玲 刘建 中国电子科技集团公司第二十四研究所 重庆400060 重庆中科渝芯有限公司 重庆401332
针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现基极电流Ib存在一个量级的差异。设计了较为完整的DOE工艺试验,进行了对比和验证。结果表明,多晶硅/硅界... 详细信息
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多晶硅发射极晶体管放大系数稳定性研究
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电子与封装 2021年 第4期21卷 50-53页
作者： 孙建洁 张可可 许帅 张明 无锡中微晶园电子有限公司 江苏无锡214035
通过对NPN型多晶硅发射极晶体管的工艺过程进行分析,对多晶淀积工艺过程提出严格的控制方案,使多晶界面氧化层厚度稳定在0.6~0.8 nm。同时,对基区与发射区退火工艺进行优化,使多晶发射极晶体管放大系数的片内均匀性从30%改善至20%,片间... 详细信息
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多晶硅发射极晶体管及其集成电路
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1992年
作者： 王阳元编译
来源： 南通市图书馆图书 评论
一种专用高速ECL移位寄存器电路的设计和测量
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测试技术学报 2002年 第Z1期16卷 731-735页
作者： 字宝俊 莫邦燹 倪学文 张利春 张广勤 北京大学微电子所 北京100871 北京大学微电子所北京100871 北京大学微电子所北京100871 北京大学微电子所北京100871 北京大学微电子所北京100871
介绍了由先进的多晶硅发射极NPN晶体管和高速ECL100E141电路单元构成的一块专用高速移位寄存器阵列的设计和主要参数的测量.提出一种移位寄存器最高工作频率的测量方法.该方法有效地消除由外部连线和外接器件及测试夹具所造成的寄生延... 详细信息
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