检索结果-南通市图书馆

稻壳炭基高比表面多孔氧化硅的表征及Cu(Ⅱ)吸附特性

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化工学报 2011年第12期62卷 3434-3439页

作者：李大伟陈登宇朱锡锋中国科学技术大学安徽省生物质洁净能源重点实验室安徽合肥230027

以热解稻壳炭为原料,H3PO4为酸化剂,聚乙二醇为模板剂,制得了多孔氧化硅;采用N2吸脱附、X射线荧光光谱、X射线能谱、X射线衍射等测试技术表征了制得的多孔氧化硅,采用批量吸附实验考察了它对水溶液中Cu(Ⅱ)的吸附特性。结果表明:以稻壳... 详细信息

以热解稻壳炭为原料,H3PO4为酸化剂,聚乙二醇为模板剂,制得了多孔氧化硅;采用N2吸脱附、X射线荧光光谱、X射线能谱、X射线衍射等测试技术表征了制得的多孔氧化硅,采用批量吸附实验考察了它对水溶液中Cu(Ⅱ)的吸附特性。结果表明:以稻壳炭为原料,可以在10h内制得比表面积达957m2.g-1、二氧化硅含量为99.26%的无定形多孔氧化硅;该氧化硅含有中孔与微孔,中孔率为38.6%。在Cu(Ⅱ)初始浓度为20～120mg.L-1时,它对Cu(Ⅱ)的最大吸附量、最高脱除效率分别为77mg.g-1、97%;该多孔氧化硅对铜的吸附符合Freundlich等温线及准二级动力学模型。

关键词：多孔氧化硅稻壳炭铜吸附

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采用纤蛇纹石制备纳米纤维状多孔氧化硅

中南大学学报（自然科学版） 2007年第6期38卷 1088-1093页

作者：冯其明杨艳霞刘琨肖愉张国范中南大学资源加工与生物工程学院湖南长沙410083

以天然纤蛇纹石为原料,通过酸浸制备纳米纤维状多孔氧化硅,并使用X射线荧光光谱(XRF)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和N2吸附-脱附等温线技术等对其进行表征。研究结果表明:该多孔氧化硅具有独特的纳米纤维状形貌;其结构... 详细信息

以天然纤蛇纹石为原料,通过酸浸制备纳米纤维状多孔氧化硅,并使用X射线荧光光谱(XRF)、X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和N2吸附-脱附等温线技术等对其进行表征。研究结果表明:该多孔氧化硅具有独特的纳米纤维状形貌;其结构为无定形,结构组成单元仍为硅氧四面体,但四面体交替上下排列,六元环结构发生高度扭曲变形。纳米纤维状多孔氧化硅比表面积为391.8 m2/g,总孔容为1.05 cm3/g,由吸附-脱附等温线的滞后回线特征判断其结构中的孔主要为缝隙型孔。

关键词：纤蛇纹石多孔氧化硅纳米纤维状酸浸

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脉冲偏压占空比对多孔氧化硅薄膜性质的影响

核聚变与等离子体物理 2010年第2期30卷 189-192页

作者：杨沁玉刘磊丁可张菁王庆瑞东华大学材料学院上海201620 东华大学理学院上海201620 东华大学磁约束核聚变教育部研究中心上海201620

采用由脉冲负偏压调节的等离子体增强化学气相沉积方法,以硅烷为源气体,在玻璃基片上沉积得到了多孔二氧化硅薄膜。将反应过程中加在沉积区域的脉冲偏压固定在-350V,当占空比从0.162增大到0.864时,薄膜样品的形貌、成份和结构均不相同... 详细信息

采用由脉冲负偏压调节的等离子体增强化学气相沉积方法,以硅烷为源气体,在玻璃基片上沉积得到了多孔二氧化硅薄膜。将反应过程中加在沉积区域的脉冲偏压固定在-350V,当占空比从0.162增大到0.864时,薄膜样品的形貌、成份和结构均不相同。扫描电镜照片表明,组成多孔氧化硅薄膜的颗粒在占空比增大时变得细腻,并且薄膜整体变得多孔且蓬松。拉曼光谱和红外光谱结果显示,薄膜样品中的非晶硅和Si-H键在较高的占空比下减弱甚至消失。占空比升高时氧化硅桥键所占比例持续增加。

关键词：占空比多孔氧化硅拉曼光谱红外光谱

从热蒸发多孔氧化硅薄膜表面形貌研究其生长机理

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材料导报 2015年第12期29卷 37-42页

作者：赵丽特范东华朱慧群罗坚义王忆龙拥兵文铨五邑大学应用物理与材料学院江门529020

薄膜的表面形貌与生长机理相关,因此可以通过研究薄膜表面形貌的演变来外推其生长机理。利用热蒸发法在硅片上制备了纳米多孔二氧化硅薄膜,利用扫描电镜(SEM)和X射线能谱(EDS)对不同样品的形貌、成分进行了表征。研究发现所制备的薄膜... 详细信息

薄膜的表面形貌与生长机理相关,因此可以通过研究薄膜表面形貌的演变来外推其生长机理。利用热蒸发法在硅片上制备了纳米多孔二氧化硅薄膜,利用扫描电镜(SEM)和X射线能谱(EDS)对不同样品的形貌、成分进行了表征。研究发现所制备的薄膜是由线状结构或直立的片状结构所构成的多孔结构。利用马拉高尼效应和润湿理论,对薄膜的气-液-固生长机理和氧化物辅助生长机理进行了探讨。

关键词：薄膜多孔氧化硅纳米线纳米片生长机理

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高选择和自终止多孔氧化硅SOI技术研究

Journal of Semiconductors 1997年第12期18卷 921-925页

作者：黄宜平李爱珍邹斯洵李金华竺士炀复旦大学电子工程系上海200433 江苏石油化工学院常州213016

本文研究了n型硅阳极化的高选择和自终止工艺，并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离SOI结构．采用这种FIPOS（FullIsolationbyPorousOxidizedSilicon）技术在n-／n＋／n-衬底上形成的SOI（SiliconOnInsulator）结构，其顶层硅岛厚度可... 详细信息

本文研究了n型硅阳极化的高选择和自终止工艺，并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离SOI结构．采用这种FIPOS（FullIsolationbyPorousOxidizedSilicon）技术在n-／n＋／n-衬底上形成的SOI（SiliconOnInsulator）结构，其顶层硅岛厚度可控制在较广范围（从100nm到数μm），且硅岛宽度可大于100μ***结果显示顶层硅／氧化层界面非常平整和均匀．在硅膜厚300nm的FIPOS衬底上采用2μm硅栅工艺制备了N沟和P沟MOS晶体管和21级环形振荡器，环振的门延迟为396ps.

关键词： SOI技术多孔氧化硅 CMOS 自终止工艺

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改性多孔氧化硅材料的差热性能分析

硅酸盐通报 2014年第11期33卷 3063-3065页

作者：钱晴刘君李露晴姚子建马东东宿迁学院三系宿迁223800

采用溶胶凝胶+超临界干燥法制备了纳米氧化硅气凝胶块体,用KH550和氟硅烷对其进行了表面改性,利用DTA分析了两种改性剂对多孔氧化硅的接枝特性。结果表明,KH550与氟硅烷相比,可与气凝胶表面接枝反应良好,降低表面羟基含量以及对空气中... 详细信息

采用溶胶凝胶+超临界干燥法制备了纳米氧化硅气凝胶块体,用KH550和氟硅烷对其进行了表面改性,利用DTA分析了两种改性剂对多孔氧化硅的接枝特性。结果表明,KH550与氟硅烷相比,可与气凝胶表面接枝反应良好,降低表面羟基含量以及对空气中水分的吸附,从而在超临界干燥之后形成结构强度最高的块体。

关键词：多孔氧化硅差热分析溶胶-凝胶

核壳型多孔氧化硅制备过程中表面活性剂的浓度调控及作用机理

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硅酸盐通报 2015年第8期34卷 2404-2408页

作者：雷博刘卫丽上海微系统与信息技术研究所上海200050

本文通过液晶模板法制备核壳型多孔二氧化硅,分析了多孔氧化硅在纳米颗粒表面的包覆特性。探究了表面活性剂与硅源的摩尔比(CTAB/TEOS)对多孔氧化硅壳层生长的影响,从实验上证实了多孔氧化硅壳层生长的最适摩尔浓度比随纳米颗粒尺寸的变... 详细信息

本文通过液晶模板法制备核壳型多孔二氧化硅,分析了多孔氧化硅在纳米颗粒表面的包覆特性。探究了表面活性剂与硅源的摩尔比(CTAB/TEOS)对多孔氧化硅壳层生长的影响,从实验上证实了多孔氧化硅壳层生长的最适摩尔浓度比随纳米颗粒尺寸的变化,并从表面活性剂与硅酸盐物种间的协同作用机制出发对此进行了阐释。利用扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM),N2吸附脱附等分析方法,观察并分析了核壳多孔二氧化硅的形貌以及孔道结构。通过傅里叶变换红外光谱分析(FTIR),分析了多孔氧化硅的结构和组分。

关键词：多孔氧化硅核壳结构纳米颗粒包覆液晶模板法

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纳米多孔氧化硅的制备及荧光光谱研究

激光技术 2008年第6期32卷 605-607页

作者：车永莉曹小龙李清山曲阜师范大学信息技术与传播学院日照276826 曲阜师范大学计算机科学学院日照276826 曲阜师范大学物理工程学院曲阜273165

为了制作性能良好的光电子集成、光波导等器件,研究纳米多孔氧化硅膜的制备和表征具有重要意义。采用高温氧化多孔硅的方法制备了纳米多孔氧化硅,进行了两种样品的荧光光谱和傅里叶变换红外吸收谱对比检测。相比于多孔硅,多孔氧化硅的... 详细信息

为了制作性能良好的光电子集成、光波导等器件,研究纳米多孔氧化硅膜的制备和表征具有重要意义。采用高温氧化多孔硅的方法制备了纳米多孔氧化硅,进行了两种样品的荧光光谱和傅里叶变换红外吸收谱对比检测。相比于多孔硅,多孔氧化硅的发光峰值向短波方向"蓝移"并且发光强度明显降低。多孔硅表面基本是由氢饱和的,而经氧化后的多孔氧化硅表面的Si—H键大部分被Si—O键所代替。结果表明,量子限制效应是样品的荧光光谱"蓝移"的原因,而发光强度的降低则归因于样品表面辐射复合中心的减少和内部纳米硅柱(硅晶粒)尺寸的减小。

关键词：光电子学多孔氧化硅阳极氧化荧光光谱

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利用粉煤灰制备多孔氧化硅的实验

现代地质 2006年第3期20卷 399-404页

作者：李贺香马鸿文王芳王英滨中国地质大学矿物材料国家专业实验室北京100083

利用相分离原理，以粉煤灰经硅铝分离后所得的硅酸凝胶为原料，选用聚乙烯醇为造孔剂，硝酸为催化剂，成功地制备了多孔氧化硅。实验结果表明：制备的多孔氧化硅的孔道发育良好，含有三级孔道。扫描电镜分析显示：大孔孔径为1～2μm，... 详细信息

利用相分离原理，以粉煤灰经硅铝分离后所得的硅酸凝胶为原料，选用聚乙烯醇为造孔剂，硝酸为催化剂，成功地制备了多孔氧化硅。实验结果表明：制备的多孔氧化硅的孔道发育良好，含有三级孔道。扫描电镜分析显示：大孔孔径为1～2μm，比表面积为12．03m^2／g，这与实际应用的硅藻土助滤剂制品大致相当。对实验制品在啤酒液中的稳定性实验结果显示：多孔氧化硅制品在浸泡于啤酒过程中几乎没有Ca^2＋、Fe^3＋离子溶出，浸泡后的啤酒液的pH值基本不变。上述结果表明：实验制备的多孔氧化硅制品作为硅藻土助滤剂的替代品具有良好的实际应用前景。

关键词：高铝粉煤灰相分离多孔氧化硅助滤剂