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学科分类号

  • 1 篇 工学
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    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 热载流子退化
  • 1 篇 界面态
  • 1 篇 多区域直流电压电...
  • 1 篇 高压横向扩散场效...

机构

  • 1 篇 北京大学

作者

  • 1 篇 韩临
  • 1 篇 何燕冬
  • 1 篇 张钢刚

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=多区域直流电压电流技术"
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SOI高压器件热载流子退化研究(英文)
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北京大学学报（自然科学版） 2014年 第4期50卷 632-636页
作者： 韩临 何燕冬 张钢刚 北京大学微电子学研究院、教育部微电子器件与电路重点实验室 北京100871
提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LD... 详细信息
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