SOI高压器件热载流子退化研究(英文)

作     者：韩临 何燕冬 张钢刚 HAN Lin;HE Yandong;ZHANG Ganggang

作者机构：北京大学微电子学研究院、教育部微电子器件与电路重点实验室北京100871 

出 版 物：《北京大学学报（自然科学版）》 (Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis)

年 卷 期：2014年第50卷第4期

页      面：632-636页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(2011CBA00606)资助 

主　　题：高压横向扩散场效应晶体管 多区域直流电压电流技术 界面态 热载流子退化 

摘      要：提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区和漂移区在内的LDMOS器件界面陷阱密度在多种热载流子应力条件下的产生退化规律。针对界面陷阱的位置对LDMOS器件电学特性的影响进行分析,结果显示,在最大衬底电流应力模式下,产生的导通电阻退化最为严重,从而揭示不同于传统MOSFET器件导致LDMOS器件热载流子退化的机理。