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外延工艺与器件质量关系试验的点滴体会

半导体技术 1977年第1期 7-11页

在伟大领袖毛主席关于“抓革命,促生产,促工作,促战备”的教导指引下,我们分析了当外延片的表观质量、电阻率、外延层厚度、层错等均符合制管要求时,在制管工艺也相同的情况下,发现制管成品率有很大差别,在外延材料里到底哪些因素影响... 详细信息

在伟大领袖毛主席关于“抓革命,促生产,促工作,促战备”的教导指引下,我们分析了当外延片的表观质量、电阻率、外延层厚度、层错等均符合制管要求时,在制管工艺也相同的情况下,发现制管成品率有很大差别,在外延材料里到底哪些因素影响了器件的质量呢?为此,我们把管子质量和外延材料联系起来,作了一些试验。现将试验的点滴情况汇报如下。由于我们水平差,错误之处望同志们批评、指正。

关键词：外延片厚度器件外延材料质量外延衬底电阻率电阻系数制管工艺外延工艺

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外延工艺在集成电路制造产业中的应用

集成电路应用 2006年第7期23卷 49-50页

作者：向玉双应用材料中国公司

外延（Epitaxy，简称Epi）工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层（Si／Si），也可以是异质外延层（SiGe／Si或SiC／Si等）；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延（MBE），... 详细信息

外延（Epitaxy，简称Epi）工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层（Si／Si），也可以是异质外延层（SiGe／Si或SiC／Si等）；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延（MBE），超高真空化学气相沉积（UHV／CVD），常压及减压外延（ATM＆RP Epi）等等。

关键词：外延工艺制造产业集成电路超高真空化学气相沉积 SiGe/Si 应用单晶材料外延生长分子束外延外延层

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硅单晶衬底制备时晶体取向的控制与器件和电路制造中外延工艺的关系

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半导体技术 1980年第4期 20-26页

作者：徐守淞郭一平陈郁文七四二厂

一九六四年已发现集成电路外延工艺受晶向影响,并在一九六八年此问题即园满解决.我们在十五年后碰到了同样的问题.据了解,很多搞电路的厂家还没有解决或还没有彻底解决,因而在生产上造成很大的浪费.研究一下定向切割对外延工艺的影响,... 详细信息

一九六四年已发现集成电路外延工艺受晶向影响,并在一九六八年此问题即园满解决.我们在十五年后碰到了同样的问题.据了解,很多搞电路的厂家还没有解决或还没有彻底解决,因而在生产上造成很大的浪费.研究一下定向切割对外延工艺的影响,这在经济上还是很有意义的.

关键词：单晶衬底外延工艺晶向偏离器件晶体取向

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磷化镓单晶外延工艺及其自支撑薄膜的制作

光机技术 1977年第Z1期 65-73页

作者：高鸿楷五室三组

采用Ga—PCI3—H2系统开管式汽相外延的方法,在GaAs衬底上生长掺Zn的GaP单晶。经化学腐蚀去掉GaAs衬底得到自支撑GaP单晶薄膜。研究了在P型GaAs衬底上外延P—型GaP的生长条件,生长速度与温度的关系,生长速度与输运气体中的PCI3浓度的关... 详细信息

采用Ga—PCI3—H2系统开管式汽相外延的方法,在GaAs衬底上生长掺Zn的GaP单晶。经化学腐蚀去掉GaAs衬底得到自支撑GaP单晶薄膜。研究了在P型GaAs衬底上外延P—型GaP的生长条件,生长速度与温度的关系,生长速度与输运气体中的PCI3浓度的关系,以及晶向偏差,清洁条件等对外延层质薄的（井彡）响。

关键词：自支撑薄膜 OC PCI 生长速度单晶薄膜 GaAs 衬底温度输运薄膜厚度外延工艺

适用于抗闭锁和改进外延层质量的先进的CMOS外延工艺

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微电子学 1985年第2期 64-73页

作者： J.0.Borland ,蔡菊荣

先进的CMOS器件工艺采用硅外延片改进了抗闭锁性能。可是,用来改进抗闭锁性能的重掺杂衬底也会降低外延层质量。通过外延前后的本征吸除促进与氧有关的淀积物的生长,提高了外延层的质量。在p+（100）和n+（100）硅片中,外延层少数载流... 详细信息

先进的CMOS器件工艺采用硅外延片改进了抗闭锁性能。可是,用来改进抗闭锁性能的重掺杂衬底也会降低外延层质量。通过外延前后的本征吸除促进与氧有关的淀积物的生长,提高了外延层的质量。在p+（100）和n+（100）硅片中,外延层少数载流子寿命增加了三个数量级。

关键词：本征吸除衬底基片硅片外延层吸杂 CMOS 外延工艺质量

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二氯硅烷外延工艺的进展

微电子学 1973年第2期 16-24页

作者：李添臣

本文讨论了关于采用二氯硅烷淀积外延硅的新近研究。另外,介绍了应用二氯硅烷淀积多晶硅和氮化硅膜的情况。当淀积温度变化时,用二氯硅烷淀积硅膜的淀积速率变化很小。在高淀积速率以及比四氯化硅低100℃的温度下能生长结晶质量优良的... 详细信息

本文讨论了关于采用二氯硅烷淀积外延硅的新近研究。另外,介绍了应用二氯硅烷淀积多晶硅和氮化硅膜的情况。当淀积温度变化时,用二氯硅烷淀积硅膜的淀积速率变化很小。在高淀积速率以及比四氯化硅低100℃的温度下能生长结晶质量优良的均匀外延层。讨论了与其它硅烷相比二氯硅烷的经济优点。同时列出了有关物理性质和操作技术的内容。

关键词：二氯硅烷淀积速率生长速率氮化硅膜多晶硅四氯化硅淀积外延工艺

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MO—CVD外延工艺用高纯氢的制备

微电子学 1983年第1期 21-25页

作者：沈令康蒋晋义

我们建立了露点低达-85℃,氧含量低达0.2ppm的高纯氢制备装置。本文讨论了分子筛和催化剂的活化条件对所制的纯氢纯度的影响,同时还列举了氢气纯度对GaAs和GaAlAs MOCVD外延生长的影响。

关键词：高纯氢 ppm 氧含量制备装置氢气纯度外延工艺 CVD

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二氯硅烷外延工艺的进展

微纳电子技术 1973年第7期 30-39页

作者：学工

本文讨论了用二氯硅烷外延淀积硅的最新研究结果。附带地也给出了利用二氯硅烷淀积多晶硅和氮化硅膜的结果。当淀积温度改变时,由二氯硅烷外延硅膜的淀积速率的变化是很小的。能够以高淀积速率和在比四氯化硅方法低100℃的温度下,生长... 详细信息

本文讨论了用二氯硅烷外延淀积硅的最新研究结果。附带地也给出了利用二氯硅烷淀积多晶硅和氮化硅膜的结果。当淀积温度改变时,由二氯硅烷外延硅膜的淀积速率的变化是很小的。能够以高淀积速率和在比四氯化硅方法低100℃的温度下,生长出具有良好晶体质量的均匀外延膜。讨论了二氯硅烷与其他硅源相比较在经济上的收益。还给出了关于物理特性和操作技术的资料。

关键词：二氯硅烷淀积速率硅源多晶硅四氯化硅淀积外延工艺

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簿层外延工艺及其在集成电路生产中的应用

半导体技术 1984年第6期 13-16页

作者：席奎德常州半导体厂

在当前的工业生产中,硅外延的最普遍的方法是SiCι;+H;热还原法.由于设备状态、衬底状态和对外延层的要求不同,工艺方法亦不可能完全统一,对薄层外延尤其如此.所谓薄层外延,不只是外延层厚度薄,更重要的是外延层的厚度、电阻率均匀,缺陷... 详细信息

在当前的工业生产中,硅外延的最普遍的方法是SiCι;+H;热还原法.由于设备状态、衬底状态和对外延层的要求不同,工艺方法亦不可能完全统一,对薄层外延尤其如此.所谓薄层外延,不只是外延层厚度薄,更重要的是外延层的厚度、电阻率均匀,缺陷少,衬底外延层界面有一个陡峭的杂质浓度分布.自1980

关键词：自掺杂厚度埋层生长条件外延层外延工艺外扩散电阻率电阻系数衬底基片掩蔽层掺杂浓度方块电阻纵向电阻