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二氯硅烷外延工艺的进展

作     者：学工 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：1973年第7期

页      面：30-39页

主　　题：二氯硅烷 淀积速率 硅源 多晶硅 四氯化硅 淀积 外延工艺 

摘      要：本文讨论了用二氯硅烷外延淀积硅的最新研究结果。附带地也给出了利用二氯硅烷淀积多晶硅和氮化硅膜的结果。当淀积温度改变时,由二氯硅烷外延硅膜的淀积速率的变化是很小的。能够以高淀积速率和在比四氯化硅方法低100℃的温度下,生长出具有良好晶体质量的均匀外延膜。讨论了二氯硅烷与其他硅源相比较在经济上的收益。还给出了关于物理特性和操作技术的资料。

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