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二维电子气深度对一维电子通道中声电电流的影响

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四川大学学报（自然科学版） 2004年第3期41卷 603-607页

作者：盛钢高宏雷李玲高洁四川大学物理科学与技术学院成都610064

表面声波(SAW)在GaAs/AlxGa1-xAs量子阱表面沿一维电子通道方向传播时,可诱导产生声电电流.由于GaAs/AlxGa1-xAs材料的压电效应,伴随SAW要产生一个压电运动电势.该压电势与异质结中二维电子气(2DEG)的深度有关.作者采用准经典(WKB)近似... 详细信息

表面声波(SAW)在GaAs/AlxGa1-xAs量子阱表面沿一维电子通道方向传播时,可诱导产生声电电流.由于GaAs/AlxGa1-xAs材料的压电效应,伴随SAW要产生一个压电运动电势.该压电势与异质结中二维电子气(2DEG)的深度有关.作者采用准经典(WKB)近似,研究了2DEG的深度对一维电子通道中声电电流量子化特性的影响.

关键词：声电电流二维电子气分裂门

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准一维电子通道中声电电流的实验研究

四川大学学报（自然科学版） 2005年第4期42卷 770-774页

作者：康建锋李玲杨丽娟高洁四川大学物理科学与技术学院成都610064

在甚低温(0.236K)下,通过实验研究了叉指换能器的频率特性以及准一维电子通道中不同源漏电流与分裂门负电位的关系,获得了分裂门的钳断电压.经观察表面声波搬运电子通过准一维电子通道的声电电流发现,声电电流可随分裂门负偏压的变化而... 详细信息

在甚低温(0.236K)下,通过实验研究了叉指换能器的频率特性以及准一维电子通道中不同源漏电流与分裂门负电位的关系,获得了分裂门的钳断电压.经观察表面声波搬运电子通过准一维电子通道的声电电流发现,声电电流可随分裂门负偏压的变化而发生振荡,作者用库仑阻塞理论对这一现象作了解释.

关键词：叉指换能器表面声波分裂门声电电流

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多量子点接触中静电势对电子输运的调制

四川大学学报（自然科学版） 2014年第6期51卷 1223-1228页

作者：吴海强郭华忠四川大学物理科学与技术学院成都610064

本文对动态量子点驱动的通过三个量子点接触的电子输运的静电调制效应进行了研究.通过对栅极施加不同电压形成不同的量子点接触静电势,从而改变动态量子点的形状.随着栅极电压的改变,电子库中的费米能也会随之改变,同时,影响下一个量子... 详细信息

本文对动态量子点驱动的通过三个量子点接触的电子输运的静电调制效应进行了研究.通过对栅极施加不同电压形成不同的量子点接触静电势,从而改变动态量子点的形状.随着栅极电压的改变,电子库中的费米能也会随之改变,同时,影响下一个量子点接触的静电势垒的梯度.实验证明,量子点接触的电势并不总是阻碍电子输运.电势的调制能够帮助我们了解电子与电子之间的库伦阻塞效应.

关键词：量子点量子点接触声电电流声表面波

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表面声波单电子输运器件中弱电流的测量

中国测试技术 2008年第1期34卷 1-4页

作者：赵建君张林袁辉李玲高洁四川大学物理科学与技术学院四川成都610064 中国测试技术研究院四川成都610021 四川师范大学物理学院低维结构物理实验室四川成都610066

研究表面声波单电子输运(SAW/SET)器件中的量子化声电电流对于揭示表面声波驱动的单电子输运特性有重要意义,并且有可能应用于量子电流基准,从而把安培与基本电荷和频率联系起来。为此设计了一种高精度高智能测量系统用于测量表面声波... 详细信息

研究表面声波单电子输运(SAW/SET)器件中的量子化声电电流对于揭示表面声波驱动的单电子输运特性有重要意义,并且有可能应用于量子电流基准,从而把安培与基本电荷和频率联系起来。为此设计了一种高精度高智能测量系统用于测量表面声波单电子输运器件中的声电电流。通过采用高性能I-V转换器和小波去噪等措施,使系统的噪声峰峰值小于30fA;采用LabVIEW编写的测量程序和合适的硬件实现了智能化的自动测量。该系统已成功地应用到SAW/SET器件中弱电流的测量,为将来揭示表面声波驱动的单电子输运特性和量子电流基准的可能实现做了有益的探索。

关键词：表面声波单电子输运声电电流小波去噪弱电流测量

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多量子点接触中声表面波驱动下的电子输运

四川大学学报（自然科学版） 2013年第3期50卷 561-565页

作者：吕倩华郭华忠四川大学物理科学与技术学院成都610064

本文研究了多量子点接触中声表面波驱动下的电子输运的声电电流特性.改变每个量子点接触的栅电压用以实现不同高度的静态势垒,从而调节声电电流.并用电子泵模型解释了不同势垒之间的耦合对于电流的影响,根据此模型得到的模拟结果与实验... 详细信息

本文研究了多量子点接触中声表面波驱动下的电子输运的声电电流特性.改变每个量子点接触的栅电压用以实现不同高度的静态势垒,从而调节声电电流.并用电子泵模型解释了不同势垒之间的耦合对于电流的影响,根据此模型得到的模拟结果与实验吻合.

关键词：声表面波量子点接触声电电流势垒

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表面声波单电子输运中的库仑阻塞研究

表面声波单电子输运中的库仑阻塞研究

作者：康建锋四川大学

学位级别：硕士

20世纪80年代初期开始兴起的介观物理是凝聚态物理中人们十分关注的领域,它揭示了许多新的物理效应,对半导体物理基础研究、半导体器件及其应用都有重要意义。近年来,表面声波(SAW)通过压电效应与GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气(2D... 详细信息

20世纪80年代初期开始兴起的介观物理是凝聚态物理中人们十分关注的领域,它揭示了许多新的物理效应,对半导体物理基础研究、半导体器件及其应用都有重要意义。近年来,表面声波(SAW)通过压电效应与GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气(2DEG)的相互作用受到越来越多的关注。由于这种相互作用,表面声波在异质结表面传播时强度减弱,并将其部分动量传给电子。从而在开路中产生一个直流电压;在闭合回路中则产生一个直流电流,即声电电流。在本文中,我们在极低温(0.260K)下对表面声波单电子器件进行了研究,在国内观察到表面声波搬运电子形成的声电电流。在给分裂栅加适当的负电压情况下,我们观察到当源漏偏置电压小于某阈值电压时,源漏电流为零,即出现库仑阻塞现象。固定源漏电压,观察到源漏电流随分裂栅电压的变化出现库仑阻塞振荡现象。然后当叉指换能器耦合不同频率的微波信号时,测量流过源漏两区的声电电流,测得叉指换能器的一个共振工作频率。给叉指换能器耦合共振工作频率微波后,我们观察到声电电流随分裂栅电压的变化同样出现库仑阻塞。用静电模型的库仑阻塞理论解释了源漏电流的库仑阻塞振荡和声电电流的库仑阻塞现象。

关键词：表面声波 GaAs/AlxGa1-xAs异质结声电电流库仑阻塞库仑阻塞振荡