表面声波在一维电子通道中诱导产生的声电电流

作     者：高宏雷 盛钢 李玲 高洁 GAO Hong-lei, SHENG Gang, LI Ling, GAO Jie(College of Physcial Science and Technology, Sichuan University, Chengdu 610064,China)

作者机构：四川大学物理科学与技术学院成都610064 

出 版 物：《四川大学学报（自然科学版）》 (Journal of Sichuan University(Natural Science Edition))

年 卷 期：2004年第41卷第3期

页      面：598-602页

核心收录：

学科分类：07[理学] 082403[工学-水声工程] 08[工学] 070206[理学-声学] 0824[工学-船舶与海洋工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：科技部重大基础研究前期研究专项基金(2002CCA02600) 

主　　题：表面声波 准一维电子通道 量子阱 声电电流 

摘      要：表面声波(SAW)在GaAs/AlxGa1-xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时,在通道中可诱导产生声电电流.根据准经典(WKB)近似,计算出一维电子通道钳断情况下的量子化声电电流,并详细讨论了源漏偏压和库仑相互作用对声电电流的影响.