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固体电子学研究与进展 2016年第1期36卷 39-44页

作者：储晓磊高珊李尚君安徽大学电子信息工程学院合肥230601

用二维器件仿真软件Silvaco-Atlas模拟了VDMOS器件工作时产热分布,观察到高温区集中分布在沟道末端及积累层区域。仿真了自加热效应情形下的输出特性曲线,图像显示曲线在达到饱和点后随漏电压增大有下降趋势。结合理论揭示了自加热效应... 详细信息

用二维器件仿真软件Silvaco-Atlas模拟了VDMOS器件工作时产热分布,观察到高温区集中分布在沟道末端及积累层区域。仿真了自加热效应情形下的输出特性曲线,图像显示曲线在达到饱和点后随漏电压增大有下降趋势。结合理论揭示了自加热效应造成器件电学参数退化机理。通过建立衬底电流模型,分析了衬底电流受偏置电压和温度影响的变化过程。结果表明:在偏置电压固定时,衬底电流随温度升高呈先下降后升高的变化过程;在高温和高偏置电压下衬底电流有指数上升趋势,而且正比于阈值电压、饱和漏电流以及传输特性等电学特性的退化。

关键词：垂直双扩散金属氧化物半导体自加热效应衬底电流热载流子效应

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功率VDMOS器件高温直流应力下退化及失效机理研究

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上海第二工业大学学报 2019年第1期36卷 36-41页

作者：石磊陈旭华上海第二工业大学工程训练中心上海201209 安阳市环境监测中心站安阳455000

研究了垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率器件在高温和直流应力下的退化和失效过程及机理。测量了栅极阈值电压[U_(GS(th))]、栅极-源极漏电流(I_(GSS))、静态漏极-源极通态电阻[R_(DS(on))]、漏极-源极击穿电压(U_(DSS)),发现R_(D... 详细信息

研究了垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率器件在高温和直流应力下的退化和失效过程及机理。测量了栅极阈值电压[U_(GS(th))]、栅极-源极漏电流(I_(GSS))、静态漏极-源极通态电阻[R_(DS(on))]、漏极-源极击穿电压(U_(DSS)),发现R_(DS(on))在应力时间672～864 h范围内开始变大直至测试结束,其他各项电学参数总体保持稳定。测量了器件结到热沉的热阻(R_(TH)), R_(TH)保持稳定。研究表明器件的栅极、漏极、器件内部结构和焊料、管壳基本不受应力影响。对烧毁的器件进行微区分析,扫描电镜图片表明损坏区域在源极上表层和源极引线位置,和电学参数、R_(TH)值的分析相一致。R_(DS(on))的增加是由包括引线在内的源极封装和源极欧姆接触电阻增大导致,超过阈值时将导致器件烧毁。研究结果有助于提高恶劣工况下的VDMOS功率器件可靠性。

关键词：微电子学固体电子学垂直双扩散金属氧化物半导体可靠性退化失效

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