VDMOS器件高温热载流子效应的研究

作     者：储晓磊 高珊 李尚君 CHU Xiaolei;GAO Shan;LI Shangjun

作者机构：安徽大学电子信息工程学院合肥230601 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2016年第36卷第1期

页      面：39-44页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家核高基重大专项资助项目(2010ZX0103 0-001-001-004) 

主　　题：垂直双扩散金属氧化物半导体 自加热效应 衬底电流 热载流子效应 

摘      要：用二维器件仿真软件Silvaco-Atlas模拟了VDMOS器件工作时产热分布,观察到高温区集中分布在沟道末端及积累层区域。仿真了自加热效应情形下的输出特性曲线,图像显示曲线在达到饱和点后随漏电压增大有下降趋势。结合理论揭示了自加热效应造成器件电学参数退化机理。通过建立衬底电流模型,分析了衬底电流受偏置电压和温度影响的变化过程。结果表明:在偏置电压固定时,衬底电流随温度升高呈先下降后升高的变化过程;在高温和高偏置电压下衬底电流有指数上升趋势,而且正比于阈值电压、饱和漏电流以及传输特性等电学特性的退化。