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辐照强度及温度对双层异质结有机光伏器件性能的影响

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发光学报 2011年第7期32卷 724-728页

作者：李卫民郭金川孙秀泉周彬深圳大学机电与控制工程学院广东深圳518060 深圳大学光电工程学院广东深圳518060 深圳大学电子科学与技术学院广东深圳518060

制备了基于CuPc/C60双层异质结有机光伏器件,研究不同光辐照强度及温度对器件性能的影响。测试结果表明:辐照强度直接决定器件的短路电流大小,但对开路电压影响不大;器件的短路电流对温度依赖性不强,但随着温度的降低,器件的开路电压逐... 详细信息

制备了基于CuPc/C60双层异质结有机光伏器件,研究不同光辐照强度及温度对器件性能的影响。测试结果表明:辐照强度直接决定器件的短路电流大小,但对开路电压影响不大;器件的短路电流对温度依赖性不强,但随着温度的降低,器件的开路电压逐渐增大。结合实验数据从理论上解释了光辐照强度及温度与有机光伏器件短路电流密度和开路电压的关系,为有机太阳能电池性能的改善提供了研究基础。

关键词：器件性能光辐射强度温度

LiF层对ITD/Alq^3/LiF∶Al器件性能的影响

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光电子．激光 2004年第5期15卷 572-574页

作者：许雪梅彭景翠李宏建瞿述赵楚军中南大学物理科学与技术学院长沙410083 湖南大学应用物理系长沙410082

分别制备了4种有机电致发光器件(OLEDs):ITO/Alq3/Al;ITO/Alq3/LiF(1.0nm):Al;ITO/Alq3/LiF(1.5nm)∶Al;ITO/Alq3/LiF∶(2.0nm)Al。研究了LiF的引入对金属电极与发光层界面的影响以及各种不同的界面态对器件发光性能的影响。研究结果表... 详细信息

关键词：界面有机电致发光 LiF 发光亮度 ITD/Alq^3/LiF:Al器件器件性能

15 nm Bulk nFinFET器件性能研究及参数优化

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强激光与粒子束 2024年第3期36卷 92-99页

作者：侯天昊范杰清赵强张芳郝建红董志伟华北电力大学电气与电子工程学院北京102206 北京应用物理与计算数学研究所北京100094

为研究Bulk FinFET工作时基本结构参数、器件温度和栅极材料对其性能的影响,建立了一个15 nm n型Bulk FinFET器件模型,仿真分析了不同栅长、鳍宽、鳍高、沟道掺杂浓度、器件工作温度、栅极材料对器件性能的影响,发现增长栅长、降低鳍宽... 详细信息

为研究Bulk FinFET工作时基本结构参数、器件温度和栅极材料对其性能的影响,建立了一个15 nm n型Bulk FinFET器件模型,仿真分析了不同栅长、鳍宽、鳍高、沟道掺杂浓度、器件工作温度、栅极材料对器件性能的影响,发现增长栅长、降低鳍宽和增加鳍高有助于抑制短沟道效应;1×10^(17)cm^(-3)以下的低沟道掺杂浓度对器件特性影响不大,但高掺杂会使器件失效;器件工作温度的升高会导致器件性能的下降;采用高K介质材料作为栅极器件性能优于传统材料SiO_(2)。

关键词： Bulk FinFET 短沟道效应器件性能参数优化栅极材料

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AWG器件设计方法的改进和器件性能分析

光电子．激光 2002年第11期13卷 1108-1112页

作者：周勤存戴道锌何赛灵何建军浙江大学现化光学仪器国家重点实验室光及电磁波研究中心浙江杭州310027

采用2点及3点Stigmaticpoints方法设计阵列波导光栅(AWG)器件,对传统的Rowland圆结构设计做了改进。比较分析了传统设计和改进设计AWG器件的像差,讨论了阵列波导的接收孔径及输入光信号的等效高斯光束发散角对AWG器件性能的影响。指出... 详细信息

采用2点及3点Stigmaticpoints方法设计阵列波导光栅(AWG)器件,对传统的Rowland圆结构设计做了改进。比较分析了传统设计和改进设计AWG器件的像差,讨论了阵列波导的接收孔径及输入光信号的等效高斯光束发散角对AWG器件性能的影响。指出了传统的Rowland圆结构设计在设计高通道数AWG器件时存在的边缘通道性能劣化问题,采用多点Stigmaticpoints方法设计能很好地解决这一问题。

关键词： AWG器件设计方法器件性能阵列波导光栅 Rowland圆 Stigmatic points方法波分复用 WDM

PVK空穴传输层对有机电致发光器件性能的影响

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发光学报 2006年第5期27卷 719-723页

作者：黎威志阳秀季兴桥钟志有蒋亚东电子科技大学光电信息学院四川成都610054

以聚乙烯基咔唑poly(N-vinylcarbazole)(PVK)旋涂层为空穴传输层,着重研究了PVK层厚度对双层器件氧化铟锡(ITO)/PVK/tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)/Mg∶Ag/Al器件性能的影响。测试结果表明,当Alq3层厚度一定时(50nm),只有PVK层为适当厚度(18nm)时双层器件才有最优良的器件性能,即最低的起亮电压,最高的发光亮度和效率。同时对比了不同PVK层厚度的PVK/Alq3双层器件之间以及PVK/Alq3与N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine(NPB)/Alq3双层器件寿命的差异。测试结果表明,尽管越厚的PVK层对应的PVK/Alq3双层器件发光性能并不是越好,但器件寿命越长。原因是器件Alq3层内形成的Alq3+越少,因此器件稳定性越好;而PVK/Alq3与NPB/Alq3双层器件寿命的差异来自不同空穴传输层的制备工艺和能级结构的不同。

关键词：有机电致发光器件聚乙烯基咔唑空穴传输层器件性能

近红外InGaAs探测器台面结构对器件性能的影响

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激光与红外 2010年第2期40卷 169-173页

作者：朱耀明李永富唐恒敬汪洋李淘李雪龚海梅中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100039

采用湿法腐蚀方式在PIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP材料上制备了不同台面结构的正照射In0.53Ga0.47As探测器,通过比较不同结构器件的性能,如暗电流、信号、噪声,研究了器件性能跟器件结构之间的关系,并分析影响器件性能的因素。研究结果表... 详细信息

采用湿法腐蚀方式在PIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP材料上制备了不同台面结构的正照射In0.53Ga0.47As探测器,通过比较不同结构器件的性能,如暗电流、信号、噪声,研究了器件性能跟器件结构之间的关系,并分析影响器件性能的因素。研究结果表明,探测器的暗电流、噪声与台面面积是成线性关系的,而信号与台面面积则不是线性关系。探测器的台面可分为光敏区和光敏区外部分,光敏区外部分对暗电流、噪声的贡献与光敏区是一致的,但对信号的贡献这两部分则是不一致的,这主要是由于衬底反射和器件之间的沟道光生载流子的侧向扩散所造成的。

关键词：近红外InGaAs探测器台面结构器件性能

ZnTe插层对CdS/CdTe光伏器件性能的影响

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真空科学与技术学报 2005年第2期25卷 105-109页

作者：宋慧瑾鄢强郑家贵冯良桓武莉莉张静全蔡伟蔡亚平李卫黎兵四川大学太阳能材料与器件研究所成都610064

从理论上分析了CdS/CdTe/Au器件的暗态、高正偏压下电流饱和(Roll over)和光照、高正偏压下光暗I V曲线相交(Crossover)现象。通过对比有无插层的CdTe太阳电池在C V、I V特性和光谱响应的不同,肯定了插层对改善背接触特性的作用;发现它... 详细信息

从理论上分析了CdS/CdTe/Au器件的暗态、高正偏压下电流饱和(Roll over)和光照、高正偏压下光暗I V曲线相交(Crossover)现象。通过对比有无插层的CdTe太阳电池在C V、I V特性和光谱响应的不同,肯定了插层对改善背接触特性的作用;发现它还可以改善器件前结CdS/CdTe的二极管特性和短波光谱响应。实验结果还表明,不掺杂的ZnTe对提高器件的效率是必要的。恰当的不掺杂层厚度和退火温度能最有效地改进CdTe太阳电池的性能,而对填充因子的提高最为显著。

关键词： CdTe ZnTe CdS 器件性能插层光伏太阳电池光谱响应 I-V曲线 I-V特性电流饱和接触特性退火温度填充因子二极管压下掺杂短波

锗硅外延工艺优化对28nm PMOS器件性能的改善

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微电子学与计算机 2020年第5期37卷 28-32页

作者：李帅蔡小五隋振超中国科学院大学微电子学院北京100029 中国科学院微电子研究所北京100029 中芯国际集成电路制造有限公司北京100176

在28 nm CMOS技术节点,锗硅技术在器件沟道产生压应力可以提高PMOS电学性能.在选择性锗硅外延工艺基础上对锗含量进行细化阶梯分布,此阶梯式分布能避免因锗含量过高产生位错而进一步提高总体应力效果.通过研究发现,薄膜堆叠层的厚度和... 详细信息

在28 nm CMOS技术节点,锗硅技术在器件沟道产生压应力可以提高PMOS电学性能.在选择性锗硅外延工艺基础上对锗含量进行细化阶梯分布,此阶梯式分布能避免因锗含量过高产生位错而进一步提高总体应力效果.通过研究发现,薄膜堆叠层的厚度和锗元素浓度是影响器件性能的重要因素,实验对堆叠层厚度和锗浓度同时改变比单独改变一种影响因素获得的器件性能更好,器件的饱和电流和漏电流的性能(Idsat-Ioff)可以提高7%,同时,器件阈值电压和饱和电流的性能(Vtsat-Idsat)、器件阈值电压和漏电流(Vtsat-Ioff)性能、漏致势垒降低(DIBL)效应也有相应的改善.

关键词：锗硅外延薄膜堆叠层器件性能 PMOS器件

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扩散用石英管与器件性能

电力电子技术 1989年第1期 56-58页

作者：庞银锁