LiF层对ITD/Alq^3/LiF∶Al器件性能的影响
Effects of the LiF Layer on the Performance of ITO/Alq^3/LiF∶Al Device作者机构：中南大学物理科学与技术学院长沙410083 湖南大学应用物理系长沙410082
出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)
年 卷 期：2004年第15卷第5期
页 面：572-574页
核心收录：
主 题：界面 有机电致发光 LiF 发光亮度 ITD/Alq^3/LiF:Al器件 器件性能
摘 要：分别制备了4种有机电致发光器件(OLEDs):ITO/Alq3/Al;ITO/Alq3/LiF(1.0nm):Al;ITO/Alq3/LiF(1.5nm)∶Al;ITO/Alq3/LiF∶(2.0nm)Al。研究了LiF的引入对金属电极与发光层界面的影响以及各种不同的界面态对器件发光性能的影响。研究结果表明:适当的LiF厚度的引入不仅可以改善器件的界面特性,而且可以提高器件的发光亮度及发光效率。
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