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IGBT损耗计算和损耗模型研究

电源技术应用 2006年第5期9卷 55-60页

作者：熊妍沈燕群江剑何湘宁浙江大学电气工程学院浙江杭州310027

器件的损耗对系统设计、器件参数及散热器的选择相当重要。损耗模型主要分为两大类:基于物理结构的IGBT损耗模型(physics-based)和于数学方法的IGBT损耗模型。对近年来的各种研究情况进行了讨论,并给出了其相应的应用范围。

关键词： IGBT 损耗计算损耗模型散热器器件参数

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体硅CMOS器件中寄生p-n-p-n通路的闭锁模型

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微电子学 1985年第2期 40-50页

作者： Robert Ching Yuhfang ,John L Moll ,黄益全 ,苏同悦

单片CMOS电路所固有的寄生双极晶体管和p-n-p-n通路可能被触发到所不希望的低电阻和高电流状态即产生闭锁现象。为了确保将来的按比例缩小的CMOS电路能安全地工作,因此需要一个精确的闭锁模型以便使设计最佳化。曾经开发过一个改进型... 详细信息

单片CMOS电路所固有的寄生双极晶体管和p-n-p-n通路可能被触发到所不希望的低电阻和高电流状态即产生闭锁现象。为了确保将来的按比例缩小的CMOS电路能安全地工作,因此需要一个精确的闭锁模型以便使设计最佳化。曾经开发过一个改进型的集总电阻模型,只要能精确地测量器件参数并在闭锁状态反映这些参数,该模型就能精确地预示闭锁特性。该模型包含由一个电阻网络来等效的衬底扩展电阻效应且它在闭锁特性中是一个关键参数。本文还报导了支持这种模型的实验数据。 CMOS电路中的反向设计产大地改善了闭锁保特电流,同时也表征了由电路输入端外电压过冲引起的闭锁动态特性。表明存在一个引起闭锁触发的最小导通时间,并由因高注入效应而增强了扩散系数的横向晶体管的基区滚越时间来决定。

关键词：双极晶体管器件参数基极电流 p-n-p-n 基区横向晶体管电流增益集电极电流发射极器件 CMOS 通路

三相开关电源PFC电路的CASPOC仿真分析及优化

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电气时代 2006年第11期 122-124页

作者：王永民任开春景有泉重庆通信学院

利用CASPOC软件进行仿真一种三相无源PFC电路的拓扑模型,通过仿真数据和图形确定器件参数,并插值分析了参数设置对功率因数、效率以及纹波电压的影响,最后优化改进了模型结构,通过参数配置,可使功率因数达到0.996。

关键词： PFC电路仿真分析优化改进开关电源三相功率因数拓扑模型器件参数

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用正交法进行电子电路的最大可靠性设计(下)

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电子技术 1983年第4期 8-9+17页

作者：王槐荫

五、正交设计的结果交互作用搞清后,因素的效应就不再混杂,可用L;(З;)表中Ⅰ,Ⅱ,Ⅲ水平■,和相应的因素水平作趋势图如图9（a）-（d）所示,由图可见R;在所搜索范围内存在极值,此极值在本例约为3.9千欧左右.β;,β;,β;大于100后梯度变... 详细信息

五、正交设计的结果交互作用搞清后,因素的效应就不再混杂,可用L;(З;)表中Ⅰ,Ⅱ,Ⅲ水平■,和相应的因素水平作趋势图如图9（a）-（d）所示,由图可见R;在所搜索范围内存在极值,此极值在本例约为3.9千欧左右.β;,β;,β;大于100后梯度变小,逐渐进入性能和质量的优化区.根据这结果,在参数存在分布和漂移的情况下,R;的设计中心约为3.9千欧,β;,β;,β;的设计中心值应取200或稍大些.考虑到目标函数?,R;应稍小些,因此取3千欧～3.3千欧亦可.

关键词：目标函数设计中心自变量器件参数千欧空间曲面等值线图地质图总收益等值图优化方案

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集成电路工艺和器件一体化模拟的实用化研究

固体电子学研究与进展 1988年第4期 402-403页

作者：徐向东复旦大学微电子学研究所

一、引言在工艺和器件模拟方面,已出现许多优秀的模拟器,如:SUPREM,SEDAN,MINIMOS,PISCES等,可用于指导IC的设计和生产。国内集成电路工厂迫切需要用计算机来实现工艺、器件的一体化模拟,以加快集成电路工业的发展。本文将一些工艺与... 详细信息

一、引言在工艺和器件模拟方面,已出现许多优秀的模拟器,如:SUPREM,SEDAN,MINIMOS,PISCES等,可用于指导IC的设计和生产。国内集成电路工厂迫切需要用计算机来实现工艺、器件的一体化模拟,以加快集成电路工业的发展。本文将一些工艺与器件模拟器联为一体,对国内几种典型电路产品进行了全过程模拟,模拟结果确证了产品参数,对工艺流程提出了合理建议。

关键词：器件工艺步骤器件参数器件特性

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10厘米谐波抽出俘越振荡器

通信学报 1981年第3期 31-38页

作者：何希哲刘焕章许国诩胡秀珍

本文提出了一个俘越器件的简化电压、电流波形,并且进行了分析;建立了器件参数与二次谐波阻抗的联系;求得了二次谐波抽出俘越振荡器近似设计的必要条件;采用浅绪N+PP+型硅俘越二极管研制成功了十厘米二次谐波抽出俘越振荡器。此振荡器在... 详细信息

本文提出了一个俘越器件的简化电压、电流波形,并且进行了分析;建立了器件参数与二次谐波阻抗的联系;求得了二次谐波抽出俘越振荡器近似设计的必要条件;采用浅绪N+PP+型硅俘越二极管研制成功了十厘米二次谐波抽出俘越振荡器。此振荡器在2700MHz至3300MHz范围内可获得160W至210W的功率输出（脉宽为0.5μs,工作比为1/1000）,效率为10％至15％,频率稳定度小于1×10-4,并且具有可调范围大,输出端杂波抑制特性好等优点以及较好的机械可靠性,从而提供了一种十厘米单脉冲体制固体发射源,可用于十厘米应答器,敌我识别器等方面。

关键词：振荡器 MHz 谐波阻抗器件参数可调范围 PP 功率输出电子设备可变电容

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提高线性集成电路性能和可靠性的工艺措施

微电子学 1984年第3期 31-37页

作者： Brian E Hollins ,成福康

设计和工艺技术之间理想的折衷方案已经产生出当前的高性能的线性集成电路。比如,线性技术公司的新产品、单片、双极运算放大器就有其特点,它的输入失调电压小到15μA、输入偏置电流小到100pA,象这样接近理想的参数是通过

关键词：电流放大线性电路三氧化锑器件参数

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行输出变压器测试分析

电视技术 1983年第5期 7-14页

作者：黄雪飞程辉湖南省电子产品例行试验站

行输出变压器电性能测试中存在的主要问题是测试的一致性差。本文分析了联合设计 HCB-12型行输出变压器技术条件中未作规定的一些因素,特别是行激励状态对测试的影响。其它类型行输出变压器检测也存在相似情况。实验分析表明,影响行输... 详细信息

行输出变压器电性能测试中存在的主要问题是测试的一致性差。本文分析了联合设计 HCB-12型行输出变压器技术条件中未作规定的一些因素,特别是行激励状态对测试的影响。其它类型行输出变压器检测也存在相似情况。实验分析表明,影响行输出变压器测试结果的因素是多方面的,只有对典型测试电路的元件、器件参数及其稳定性;行激励状态;逆程时间的测量作较严格的规定,才能取得比较一致的结果。

关键词：行输出变压器联合设计器件参数测试电路脉冲变压器偏转线圈电磁线圈阻尼二极管温度影响行扫描电路逆程时间

自对准结构InGaAsP/InP双异质结构激光器

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微纳电子技术 1983年第2期 35-42页

作者： Hiroshi Nishi 张华

本文研究了一种横模稳定的InGaAsP/InP双异质结构（DH）激光器的器件参数,即各层的厚度和条宽,这种激光器称为自对准结构（SAS）,发射波长为1.3μm。为了控制平行于结平面的横模以及为了在高温下能稳定工作（尽管阈值电流对温度很灵敏）... 详细信息

本文研究了一种横模稳定的InGaAsP/InP双异质结构（DH）激光器的器件参数,即各层的厚度和条宽,这种激光器称为自对准结构（SAS）,发射波长为1.3μm。为了控制平行于结平面的横模以及为了在高温下能稳定工作（尽管阈值电流对温度很灵敏）,得出最佳条宽为7μm。 SAS激光器显示出稳定的基横模和接近单纵模的工作特性,并且直到3GHz有平坦的频率响应特性,范围在±5dB内。在老化试验中,温度提高到50℃和70℃,在恒定光功率条件下,所有样品都已工作了10000多小时,驱动电流没有明显变化。在50℃,5mW/端面恒定功率条件下的样品,5000小时期间驱动电流增加的平均速率为3.1×10-6/hr。这个数值与GaAlAs/GaAs DH激光器相比几乎一样。在老化试验期间未观察到基横模分布上的变化。

关键词：激光器器件参数热沉双异质结构光激射器电子器件横模激光模式 InGaAsP/InP 驱动电流自对准