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日期分布

主题

  • 2 篇 后扩
  • 2 篇 硅片
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  • 1 篇 石英舟
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  • 1 篇 晶体缺陷
  • 1 篇 晶格缺陷
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  • 1 篇 数量级
  • 1 篇 集电区
  • 1 篇 成品率

机构

  • 1 篇 复旦大学
  • 1 篇 东方半导体器件厂
  • 1 篇 山东师范大学

作者

  • 1 篇 宗祥福
  • 1 篇 赵富贤
  • 1 篇 沈绍群
  • 1 篇 李萍
  • 1 篇 刘秀喜
  • 1 篇 张傲
  • 1 篇 斐素华

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=后扩"
共 2 条 记 录，以下是1-10 订阅
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后扩金工艺
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引用
半导体技术 1979年 第4期 36-42页
作者： 张傲 沈绍群 宗祥福 东方半导体器件厂 复旦大学
众所周知,掺金工艺可以提高晶体管的开关速度,是目前饱和型T;L电路制造工艺中的一项重要工艺。常规的掺金工艺是按排在隔离扩散之后,与基区氧化同时完成。实践证明,这种掺金工艺存在如下不足之处:（1）硅片最后一次高温处理（三次氧化... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
先氧化后扩镓工艺提高扩散质量的分析
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引用
半导体技术 1987年 第2期 57-60页
作者： 刘秀喜 赵富贤 斐素华 李萍 山东师范大学半导体所
在3DD系列高反压管生产中,采用先氧化后扩镓工艺,避免了合金点和腐蚀坑的产生,提高了扩散质量,本文对提高扩散质量进行了分析.
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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