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先氧化后扩镓工艺提高扩散质量的分析

作者：刘秀喜赵富贤斐素华李萍

作者机构：山东师范大学半导体所

出版物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年卷期：1987年第2期

页面：57-60页

主　　题：后扩反压硅表面硅片质量

摘要：在3DD系列高反压管生产中,采用先氧化后扩镓工艺,避免了合金点和腐蚀坑的产生,提高了扩散质量,本文对提高扩散质量进行了分析.

本地馆藏 |

1、借阅数量：每证可借书6册，期刊2册，团体读者证可借书刊300册。 2、借阅时间：个人借期为30天，每本书可续借1次，借期为30天；团体借期为90天。 3、归还地点：3楼服务台、自助借还设备、还书箱、各分馆 4、馆际互借：读者未能在本馆获取所需文献资料，可至参考咨询阅览室服务台填写《南通市图书馆馆际互借读者申请表》，根据馆际互借协议，我馆将为读者向其他馆代借文献。馆际互借过程中所产生的费用（资料复印、邮寄费等），由读者个人承担。 5、服务电话续借：59003605 59003606 咨询：81100100 59003600

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