检索结果-南通市图书馆

基于SET/MOS混合结构的只读存储器设计

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微电子学 2008年第6期38卷 895-898页

作者：李芹蔡理吴刚空军工程大学理学院西安710051

结合单电子晶体管的I-V特性和传统的CMOS工艺设计存储器的思想,设计实现了4×4位的只读存储器电路。该电路各主要组成部分均由单电子晶体管和MOS管的混合结构构成,通过对该电路进行SPICE仿真分析,验证了电路设计的正确性。研究表明,只... 详细信息

结合单电子晶体管的I-V特性和传统的CMOS工艺设计存储器的思想,设计实现了4×4位的只读存储器电路。该电路各主要组成部分均由单电子晶体管和MOS管的混合结构构成,通过对该电路进行SPICE仿真分析,验证了电路设计的正确性。研究表明,只读存储器的取数时间达到了纳秒级;该电路与纯SET实现的电路相比,驱动能力得到了提高;与传统晶体管实现的电路相比,具有高集成度、低功耗等优点。

关键词：单电子晶体管 MOS晶体管反相器译码器只读存储器

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一种高速只读存储器拓扑结构的设计

微电子学 2012年第1期42卷 46-49页

作者：陈奕含罗前陈志钧罗小勇李平电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

随着只读存储器密度越来越大,对读取速度的要求越来越高,位线大电容逐渐成为影响只读存储器读取速度的关键问题。设计了一种存储器拓扑结构,这种结构通过改变存储单元读取点的位置,能有效避免位线大电容充放电对读取速度的不利影响,极... 详细信息

随着只读存储器密度越来越大,对读取速度的要求越来越高,位线大电容逐渐成为影响只读存储器读取速度的关键问题。设计了一种存储器拓扑结构,这种结构通过改变存储单元读取点的位置,能有效避免位线大电容充放电对读取速度的不利影响,极大地缩短了读取周期,提高了只读存储器的读取速度。该拓扑结构的优势在TSMC 0.13μm工艺仿真库里得到验证。

关键词：只读存储器位线电容拓扑结构

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基于量子细胞自动机的只读存储器设计

微电子学与计算机 2007年第11期24卷 46-48页

作者：王森蔡理吴刚空军工程大学理学院陕西西安710051

结合量子细胞自动机的双稳态特性和传统的CMOS工艺设计存储器的思想,设计了4×5bit的只读存储器,并利用基于量子细胞自动机的遗传模拟退火法进行了仿真验证,结果显示该电路的正确性。由于采用了量子细胞自动机这一新型纳电子器件,存储... 详细信息

结合量子细胞自动机的双稳态特性和传统的CMOS工艺设计存储器的思想,设计了4×5bit的只读存储器,并利用基于量子细胞自动机的遗传模拟退火法进行了仿真验证,结果显示该电路的正确性。由于采用了量子细胞自动机这一新型纳电子器件,存储器具有高集成度、低功耗等优点。

关键词：量子细胞自动机只读存储器遗传模拟退火法

只读存储器仿真器——一种微处理机软件开发系统

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微计算机应用 1982年第4期 1-7页

作者：高宗仁熊秀钟徐淑馨缪凤瑛中国科学院物理研究所

随着微处理机在科学技术领域中的广泛应用,许多实验室都需要自行设计安装各种微处理机控制的应用系统,诸如自动数据采集系统、数字式自动控制系统以及有智能的谱仪和电子设备等。在安装这些微处理机应用系统时,往往需要另一套具有特殊... 详细信息

随着微处理机在科学技术领域中的广泛应用,许多实验室都需要自行设计安装各种微处理机控制的应用系统,诸如自动数据采集系统、数字式自动控制系统以及有智能的谱仪和电子设备等。在安装这些微处理机应用系统时,往往需要另一套具有特殊功能的微型机系统去调试样机的软件或者模拟样机的硬件。这样一套系统就是微处理机开发系统。现在国外一些微型计算机厂家和半导体器件厂家已提供有各种类型的开发系统,其中以

关键词：仿真器寄存器主机内存地址线 EPROM 只读存储器唯读存储器断点

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只读存储器(ROM)在数字系统中的应用

信息与控制 1982年第3期 36-40+64页

作者：高殿华吴根声

大规模集成电路只读存储器 ROM(Read Only Memory)广泛地用于数字系统中,本文简要叙述它们在静态逻辑电路中和在时序电路中的应用,着重介绍它在终端设备,自动控制系统及可编程序遥测系统中的应用。

关键词： EPROM ROM 只读存储器唯读存储器字符发生器地址码程序计数器指令计数器数据采集系统数据处理系统数据采集器数字系统离散系统(自动化)

只读存储器EPROM和可编程器件GAL在频率合成器中的应用

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无线电工程 1995年第4期25卷 68-72页

作者：边境电子工业部第五十四研究所

本文提出了在输出20MHz～30MHz步进100Hz频率综合器控制电路部分用只读存储器EPROM及可编成器件GAL实现控制电路的方法。并给出了设计电路时计算EPROM写入内容和GAL的编程方法。

关键词：只读存储器可编程器件频率合成器

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VMOS只读存储器(ROM)

电子计算机动态 1977年第8期 65-72页

作者：徐英乔

本文介绍一种新的V形槽MOS只读存储器(VMOS ROM),这种静态16K单元的ROM只用一个5V电源,典型及最坏条件下的读出时间分别为160ns和200ns,用6μm设计规范芯片面积是120×140 mil~2。制造 VMOS ROM的目的是说明大规模集成(LSI)VMOS工艺是... 详细信息

本文介绍一种新的V形槽MOS只读存储器(VMOS ROM),这种静态16K单元的ROM只用一个5V电源,典型及最坏条件下的读出时间分别为160ns和200ns,用6μm设计规范芯片面积是120×140 mil~2。制造 VMOS ROM的目的是说明大规模集成(LSI)VMOS工艺是可行的,并引伸出各种线路和工艺实验。依据实验数据对两种新的VMOS工艺技术做了评价,这两种新工艺叫做'线型'(Linear)和'自对准',16K单元ROM的芯片面积将减小到100×120 mil~2(6μm规范)。

关键词：反型层自对准工艺栅压沟道长度 NMOS 开启电压只读存储器唯读存储器 VMOS 耗尽区沟道电导 ROM 芯片面积字线漏电流

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析汽车点火系统单片机只读存储器数据丢失

职大学报 2012年第6期 82-83,92页

作者：王雪梅阜新高等专科学校辽宁省阜新市123000

本文对汽车中点火系统中的强干扰脉冲对只读存储器数据丢失的原因,以EEPROM为例,从只读存储器的内部结构分析了数据被破坏的原因。

关键词：点火系统单片机只读存储器

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基于CPLD的只读存储器细分技术研究

电子器件 2008年第2期31卷 446-448,452页

作者：朴伟英袁怡宝张志杰李晶哈尔滨工业大学光电测控技术与装备研究所哈尔滨150001

本文介绍了一种使用CPLD处理光栅信号的辨向细分电路。作者分析了微机细分电路产生误计数的原因,通过利用VHDL语言的有限状态机对信号的细分数据进行处理解决了这个问题,因此该电路具有动态范围宽、抗干扰能力强的特点。改软件查表为硬... 详细信息

本文介绍了一种使用CPLD处理光栅信号的辨向细分电路。作者分析了微机细分电路产生误计数的原因,通过利用VHDL语言的有限状态机对信号的细分数据进行处理解决了这个问题,因此该电路具有动态范围宽、抗干扰能力强的特点。改软件查表为硬件查表,因此速度快。使用CPLD作为逻辑控制器和周期计数器,电路简单,可靠性高。作者通过实验验证了所述的优点。

关键词： CPLD 只读存储器计数细分有限状态机