一种高速只读存储器拓扑结构的设计
Design of Topology of a High-Speed ROM作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：2012年第42卷第1期
页 面：46-49页
学科分类：08[工学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）]
基 金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室创新基金资助项目(CXJJ200905)
摘 要：随着只读存储器密度越来越大,对读取速度的要求越来越高,位线大电容逐渐成为影响只读存储器读取速度的关键问题。设计了一种存储器拓扑结构,这种结构通过改变存储单元读取点的位置,能有效避免位线大电容充放电对读取速度的不利影响,极大地缩短了读取周期,提高了只读存储器的读取速度。该拓扑结构的优势在TSMC 0.13μm工艺仿真库里得到验证。
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