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作者：徐小树郑州大学

学位级别：硕士

本文利用形式散射理论的格林函数方法及紧束缚最近邻sps和spd模型计算了两种在应用方面具有一些优异特性的反常弛豫的半导体材料Ⅲ族氮化物BN和Ⅰ- Ⅶ族化合物CulCl(110)表面的电子结构。分别给出了理想表面和弛豫表面的投影带结构及... 详细信息

本文利用形式散射理论的格林函数方法及紧束缚最近邻sps和spd模型计算了两种在应用方面具有一些优异特性的反常弛豫的半导体材料Ⅲ族氮化物BN和Ⅰ- Ⅶ族化合物CulCl(110)表面的电子结构。分别给出了理想表面和弛豫表面的投影带结构及电子层态密度。比较详细地讨论了弛豫前后电子态的特征。结果表明： (1)BN(110)表面的电子结构与大多数Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体(110) 表面的电子结构定性上是类似的。但在各表面态的能级位置、色散特性和轨道特性等方面上均存在较大的差别。其中一个显著的区别是：弛豫后带隙中阴阳离子悬挂键对应的表面态虽然分别向下和向上移动，但仍部分处在带隙中。这与普适的“弛豫赶走了禁带隙内的表面态”的结论不一致。(2)CuCl(110)表面弛豫后电子态的变化是Cu的d态电子和Cl的p态电子的重新杂化起了主要作用。表面弛豫是p- p、p-d杂化的共同作用，而大多数Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体(110)表面的弛豫是p-p杂化起主要作用。

关键词：反常弛豫电子结构弛豫表面半导体材料

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BN(110)弛豫表面电子结构的理论研究

引用

河南教育学院学报（自然科学版） 2001年第1期10卷 21-24页

作者：徐小树王玉仓魏英耐姚乾凯马丙现贾瑜胡行河南教育学院物理系河南郑州450003 河南省南阳第四师范学校河南南阳473000 郑州大学物理工程学院物理系河南郑州450052

本文利用形式散射理论的格林函数方法 ,采用考虑最紧邻的sp3s 模型描述体带 ,计算了BN(110 )面的电子结构 .分别给出了理想表面和驰豫表面的投影带结构和波矢分辨的层态密度 ,并进行了较详细的讨论 .结果表明 :BN(110 )面的电子结构与... 详细信息

本文利用形式散射理论的格林函数方法 ,采用考虑最紧邻的sp3s 模型描述体带 ,计算了BN(110 )面的电子结构 .分别给出了理想表面和驰豫表面的投影带结构和波矢分辨的层态密度 ,并进行了较详细的讨论 .结果表明 :BN(110 )面的电子结构与大多数Ⅲ Ⅴ族和Ⅱ Ⅵ族半导体的 (110 )面的电子结构定性上是类似的 .但在各表面态的能级位置、色散特性和轨道特性等方面均有较大的差别 .

关键词：散射理论 BN(110)面反常弛豫投影带结构层态密度半导体电子结构

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