几种反常弛豫的宽带隙半导体（110）表面电子结构的理论研究

作     者：徐小树 

作者单位：郑州大学 

学位级别：硕士

导师姓名：胡行

授予年度：2001年

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

主      题：反常弛豫 电子结构 弛豫表面 半导体材料 

摘      要：本文利用形式散射理论的格林函数方法及紧束缚最近邻sps和spd模型计算 了两种在应用方面具有一些优异特性的反常弛豫的半导体材料Ⅲ族氮化物BN和Ⅰ- Ⅶ族化合物CulCl(110)表面的电子结构。分别给出了理想表面和弛豫表面的投影带 结构及电子层态密度。比较详细地讨论了弛豫前后电子态的特征。结果表明： (1)BN(110)表面的电子结构与大多数Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体(110) 表面的电子结构定性上是类似的。但在各表面态的能级位置、色散特性和轨道特性 等方面上均存在较大的差别。其中一个显著的区别是：弛豫后带隙中阴阳离子悬挂 键对应的表面态虽然分别向下和向上移动，但仍部分处在带隙中。这与普适的“弛 豫赶走了禁带隙内的表面态的结论不一致。(2)CuCl(110)表面弛豫后电子态的 变化是Cu的d态电子和Cl的p态电子的重新杂化起了主要作用。表面弛豫是p- p、p-d杂化的共同作用，而大多数Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体(110)表面的 弛豫是p-p杂化起主要作用。