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检索条件"作者=徐小树"
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几种反常弛豫的宽带隙半导体(110)表面电子结构的理论研究
几种反常弛豫的宽带隙半导体(110)表面电子结构的理论研究
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作者: 徐小树 郑州大学
学位级别:硕士
本文利用形式散射理论的格林函数方法及紧束缚最近邻sps和spd模型计算 了两种在应用方面具有一些优异特性的反常弛豫的半导体材料Ⅲ族氮化物BN和Ⅰ- Ⅶ族化合物CulCl(110)表面的电子结构。分别给出了理想表面和弛豫表面的投影带 结构及... 详细信息
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角位移与角速度的关系
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河南教育学院学报(自然科学版) 1997年 第2期6卷 22-24页
作者: 徐小树 河南教育学院物理系 郑州450003
一般说来,作定点运动的刚体的瞬时角速度矢量(?)(t)不等于角位移“矢量”φ(t)对时间的微商。本文导出了用(?)(t)及其对时间的微商(?)(t)表示(?)(t)的公式。
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浅述电梯电路维修思维方法
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中国电梯 2011年 第9期22卷 56-58页
作者: 徐小树 上海师范大学经贸公司
随着国际上电子技术的高速发展,尤其受日本电子技术发展的影响,我国电梯的电路控制技术,从继电器控制技术到PLC可编程序控制技术再到电梯专用计算机控制技术,只用了近10年的时间。笔者从1989年进入电梯维修行业至今经历了这一时期,
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对建立弦的横振动方程时的一个近似条件的分析
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大学物理 1998年 第7期17卷 23-25页
作者: 徐小树 王海燕 河南教育学院物理系 河南医科大学基础部
详细分析了建立弦的横振动方程时通常加上的一个条件,即弦振动时的张力T近似等于静止时的张力T0.用一个实例证明当横振动的振幅为实际的大小时,弦的一小段Δx所受到的纵向力为横向力的三倍多,但纵向振动的振幅比横向振幅小得多.
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Si( 31 3)表面电子结构特性的理论研究
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郑州大学学报(自然科学版) 2001年 第1期33卷 32-35页
作者: 魏英耐 姚乾凯 徐小树 马丙现 贾瑜 郑州大学材料物理重点实验室 郑州450052
利用形式散射理论的格林函数方法及紧束缚最近邻近似下的 sp3s模型 ,首次计算了半导体 Si的(31 3)高指数表面的表面电子结构 .采用层轨道表象及表面投影技术 ,给出了 (31 3)表面在二维布里渊区高对称点的波矢可分辨的电子态密度和表面... 详细信息
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BN(110)弛豫表面电子结构的理论研究
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河南教育学院学报(自然科学版) 2001年 第1期10卷 21-24页
作者: 徐小树 王玉仓 魏英耐 姚乾凯 马丙现 贾瑜 胡行 河南教育学院物理系 河南郑州450003 河南省南阳第四师范学校 河南南阳473000 郑州大学物理工程学院物理系 河南郑州450052
本文利用形式散射理论的格林函数方法 ,采用考虑最紧邻的sp3s 模型描述体带 ,计算了BN(110 )面的电子结构 .分别给出了理想表面和驰豫表面的投影带结构和波矢分辨的层态密度 ,并进行了较详细的讨论 .结果表明 :BN(110 )面的电子结构与... 详细信息
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反常弛豫的CuCl(110)表面电子态研究
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郑州大学学报(自然科学版) 2000年 第4期32卷 37-42页
作者: 徐小树 姚乾凯 魏英耐 贾瑜 胡行 河南教育学院物理系 郑州450003 郑州大学物理工程学院 郑州450052
采用考虑 d电子相互作用的 spd紧束缚模型描述具有闪矿结构的半导体 Cu Cl的体能带 ,用形势散射理论方法计算了弛豫的 Cu Cl(110 )表面电子结构 ,给出了表面投影能带结构和表面波矢分辨的层态密度 .计算结果表明 :表面弛豫主要是表面层 ... 详细信息
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英特尔隆重推出奔腾4处理器
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电脑技术-HELLO-IT 2000年 第12期 17-17页
作者: 徐小树
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电脑幽默
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电脑技术 2001年 第1期 77-77页
作者: 徐小树
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电脑幽默(二)
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电脑技术-HELLO-IT 2000年 第11期 51-51页
作者: 徐小树
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