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  • 1 篇 库仑阻塞振荡

机构

  • 1 篇 合肥鑫晟光电科技...
  • 1 篇 空军工程大学

作者

  • 1 篇 林亮
  • 1 篇 文锺源
  • 1 篇 王章涛
  • 1 篇 冯朝文
  • 1 篇 杨成绍
  • 1 篇 吴刚
  • 1 篇 马骏
  • 1 篇 蔡理
  • 1 篇 黄寅虎
  • 1 篇 邹志翔
  • 1 篇 林致远

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"主题词=双栅极"
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不同双栅极设计对a-Si:H TFT特性影响
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液晶与显示 2016年 第5期31卷 460-463页
作者： 林致远 马骏 林亮 杨成绍 邹志翔 黄寅虎 文锺源 王章涛 合肥鑫晟光电科技有限公司 安徽合肥230012
本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响。实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升I_(on... 详细信息
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混合SETMOS神经元分段线性输出函数的实现
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微纳电子技术 2008年 第5期45卷 255-259页
作者： 冯朝文 蔡理 吴刚 空军工程大学理学院 西安710051
提出了一种结构简单的神经元分段线性输出函数SETMOS实现方式。理论分析了恒流源偏置下单电子晶体管(SET)器件的特性和神经元分段线性输出函数。利用SET和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)混合结构实现了分段线性输出函数电路,并通过仿... 详细信息
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材料制备工艺
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电子科技文摘 2001年 第3期 23-24页
Y2000-62422-108 0103751用于单栅极和双栅极 MOS 场效应晶体管的选择外延生长多层绝缘体上硅岛技术=Multi-layer SOI islandtechnology by selective epitaxial growth for single-gateand double-gate MOSFETs[会,英]/Pae,S.& Denton,
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