检索结果-南通市图书馆

计算机辅助设计与图形学学报 1994年第3期6卷 192-198页

作者：唐茂林中国科学院计算技术研究所CAD开放实验室湖北大学计算机系

本文提出了一种双层ＶＬＳＩ及ＰＣＢ布线的受限通孔最小化问题的新方法。该方法允许通孔候选点所关联的线网段的数目任意多个，且与初始布线所采用的线网连接方式无关。

关键词：双层布线通孔最小化线网段 PCB

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VLSI中双层布线导孔数的优化算法

Journal of Semiconductors 1989年第1期10卷 31-38页

作者：李英梦唐璞山复旦大学电子工程系

在超大规模集成电路的设计中,通常需要尽可能地减少布线时产生的导孔,因为导孔数是影响集成电路成品率、可靠性及各种电性能的重要因素.本文的工作是解决VLSI双层金属布线的导孔数优化问题.实际的布线根据其拓扑特性和电连通性等效为带... 详细信息

在超大规模集成电路的设计中,通常需要尽可能地减少布线时产生的导孔,因为导孔数是影响集成电路成品率、可靠性及各种电性能的重要因素.本文的工作是解决VLSI双层金属布线的导孔数优化问题.实际的布线根据其拓扑特性和电连通性等效为带权的图.将这种方法推广到三联和四联导孔的情形,并引入了添加冗余导孔的方法以进一步减少导孔的数目.最后给出了对变权图求最大偶子图的算法,以便对三联及四联情形的导孔进行优化.算法实现后试算的实例表明一般能减少30％-50％的导孔.

关键词： VLSI 双层布线导孔数优化 CAD

VLSI和PCB双层布线中的通孔最少化算法

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Journal of Semiconductors 1996年第7期17卷 533-539页

作者：洪先龙潘立王尔乾清华大学计算机科学与技术系

本文提出了一个新的通孔最少化层分配的图模型．该模型克服了传统层分配算法对通孔度数和位置的限制，允许通孔自由地以任意度数和任何需要的位置出现．模型中还提出了通孔秩的概念，它比较能更精确地反映通孔的本质．在此基础上，本文... 详细信息

本文提出了一个新的通孔最少化层分配的图模型．该模型克服了传统层分配算法对通孔度数和位置的限制，允许通孔自由地以任意度数和任何需要的位置出现．模型中还提出了通孔秩的概念，它比较能更精确地反映通孔的本质．在此基础上，本文将通孔最少化问题转化为图的最大割问题，并提出了一种启发式算法去求解图的最大割．算法已用Ｃ语言在ＳＵＮ工作站上实现．实验结果表明，算法十分有效且稳定．

关键词： VLSI PCB 双层布线通孔最少化算法

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一种采用微小通孔的双层布线技术

微电子学 2001年第1期31卷 46-48页

作者：杨国渝伍乾永陈鹏信息产业部电子第二十四研究所重庆400060 自贡高等专科学校四川自贡643000

文中介绍了分别采用聚酰亚胺和 CVD Si O2 作层间介质 ,进行 2 μm× 2 μm通孔的刻蚀和铝双层布线 ,其成品率均可达到 1 0 0 % ,介质对一次铝的覆盖完整率可达 95%以上 ,层间绝缘电压大于 2 50

关键词：集成电路双层布线聚酰亚胺层间介质微小通孔二氧化硅

大规模集成电路双层布线中的LTCVDPSG介质

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半导体技术 1999年第1期24卷 43-45页

作者：孔令英国营天光集成电路厂

论述了大规模集成电路双层布线中起介质和钝化作用的磷硅玻璃（ＰＳＧ）的淀积条件、厚度以及实际应用中的若干问题。

关键词：低温汽相淀积 PSG 双层布线大规模集成电路

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双层布线工艺研究

电子 1991年第1期 13-19页

作者：张建伟

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双层布线两层铝引线间的导通技术

微电子学 1992年第5期22卷 18-23页

作者：杨国渝机电部第24研究所重庆永川632167

讨论了IC的双层布线工艺中两层铝引线在接触孔处怎样才能形成良好的欧姆接触的问题。接触不好的主要原因是第一次铝引线上的氧化物造成的,因此必须(1)去除第一次铝引线上的自然氧化物;(2)提高蒸发二次铝时的真空度,防止再生氧化物形成... 详细信息

讨论了IC的双层布线工艺中两层铝引线在接触孔处怎样才能形成良好的欧姆接触的问题。接触不好的主要原因是第一次铝引线上的氧化物造成的,因此必须(1)去除第一次铝引线上的自然氧化物;(2)提高蒸发二次铝时的真空度,防止再生氧化物形成。另外,通过热处理可改善接触;淀积二次铝时衬底加热,有利于接触的均匀完善,而且大孔比小孔接触好。

关键词：双层布线欧姆接触集成电路工艺

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双层布线技术研究

微处理机 2014年第6期35卷 19-21页

作者：申猛孔明吴会利中国电子科技集团公司第四十七研究所沈阳110032

随着集成电路技术的发展,双层布线技术显得越来越重要。主要对双层布线中二次金属淀积前的通孔预处理技术进行了研究和探索,通过对反溅射时间、反溅射功率等不同工艺参数的对比实验,给出了最优的反溅射清洗工艺条件。

关键词：双层布线反溅射欧姆接触

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1.5μm双层布线Ｎ阱CMOS工艺研究

集成电路通讯 2000年第2期18卷 1-2,,14,页

作者：陈计学中国兵器工业第214研究所

给出了１．５μｍ双层布线Ｎ阱ＣＭＯＳ工敢研究流程，叙述了研究中一些关键技术。

关键词： N阱CMOS 双层布线 PMOS 光刻

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硅基异构集成模块金属互连失效分析

固体电子学研究与进展 2022年第1期42卷 68-72页

作者：宋明宣林罡刘鹏飞张洪泽南京电子器件研究所南京210008

介绍了硅基三维异构集成模块金属互连失效的一种定位方法。通过分析集成模块的金属互连结构,采用介质层剥离、金刚刀裂片、磨削制样等预处理方法,结合聚焦离子束(FIB)、电子能谱(EDAX)等工具,实现了故障点的有效定位。介绍了三维集成模... 详细信息

介绍了硅基三维异构集成模块金属互连失效的一种定位方法。通过分析集成模块的金属互连结构,采用介质层剥离、金刚刀裂片、磨削制样等预处理方法,结合聚焦离子束(FIB)、电子能谱(EDAX)等工具,实现了故障点的有效定位。介绍了三维集成模块金属互连失效的一种失效机理。通过对集成模块生产工艺的分析,以及对实验晶圆进行模拟去胶实验,得到了导致失效的工艺原因。研究结果显示:在去胶工艺中,有机残胶未被完全去除,可能会在两层金属的接触界面,例如双层布线通孔界面、晶圆键合界面,产生阻隔、裂缝、孔洞等异常结构,阻碍电流的纵向传输,导致三维集成产品金属互连系统失效。

关键词：异构集成失效分析双层布线晶圆键合