一种采用微小通孔的双层布线技术
A Double Layer Wiring Technique Based on Fine Vias作者机构：信息产业部电子第二十四研究所重庆400060 自贡高等专科学校四川自贡643000
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：2001年第31卷第1期
页 面：46-48页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：集成电路 双层布线 聚酰亚胺 层间介质 微小通孔 二氧化硅
摘 要：文中介绍了分别采用聚酰亚胺和 CVD Si O2 作层间介质 ,进行 2 μm× 2 μm通孔的刻蚀和铝双层布线 ,其成品率均可达到 1 0 0 % ,介质对一次铝的覆盖完整率可达 95%以上 ,层间绝缘电压大于 2 50
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