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新的原子力显微镜方法能获取材料的三维信息

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现代材料动态 2018年第3期 7-7页

作者：赵晓凤

日本大阪大学的研究者们和一个来自斯洛伐克科学院的团队合作开发了一种利用原子力显微镜（AFM）获取亚原子尺度上的材料表面三维信息的新方法。这种称为双峰原子力显微镜的方法，用锗表面作为基底，

关键词：原子力显微镜方法三维信息材料表面日本大阪大学原子尺度合作开发斯洛伐克科学院

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Probing Co/Si interface behaviour by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and atomic force microscopy (AFM)

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Nuclear Science and Techniques 2006年第4期17卷 202-211页

作者： PAN J. S. LIU R. S. TOK E. S. Institute of Materials Research and Engineering 3 Research Link Singapore 117602 Department of Physics National University of Singapore Kent Ridge Singapore 119260

In this work, we investigate the Co-Si reaction, the Co growth mode at room temperature, diffusion be- haviour as well as morphology evolution during annealing on both H-terminated and clean Si(001) and Si(111) sur- faces. From in-situ X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) investigation, “Co-Si” reaction appears to occur on both H-terminated and clean surfaces at room temperature (RT) and the silicide crystallinity is improved upon annealing. Co growth mode on H-terminated Si surfaces occurs in a pseudo layer-by-layer manner while small close-packed is- land growth mode is observed on the clean Si surface. Upon annealing at different temperatures, Co atom concentra- tion decreases versus annealing time, which in part is attributed to Co atoms inward diffusion. The diffusion behav- iour on both types of surfaces demonstrates a similar trend. Morphology study using ex-situ atomic force microscopy (AFM) shows that the islands formed on Si(001) surface after annealing at 700 °C are elongated with growth direc- tions alternate between the two perpendicular [ 110 ] and [110] directions. Triangular islands are observed on Si (111) surface.

关键词：钴硅金属-半导体界面反应 X射线光电子光谱学原子力显微镜方法表面形态

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表面活化沸石外比表面积的试验研究

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材料开发与应用 2004年第3期19卷 1-3,11页

作者：陶鲜 ZHANG Peng-fei Robert Bowman S 中国科学院广州地球化学研究所广东广州510640中国地质大学武汉地球化学研究所湖北武汉430074 University of West Florida Pensacola FL 32514 New Mexico Institute of Mining and Technology Socorro NM 87801

利用阳离子表面活化剂(HDTMA Cl)对天然沸石进行了表面活化改性,并使用BET法测定了表面活化沸石颗粒(SMZ)和天然沸石颗粒的外比表面积,试验结果表明,粒径为4～100目时,天然沸石的比表面积为13.44～14.32m2/g,活化沸石的比表面积为4.18～... 详细信息

利用阳离子表面活化剂(HDTMA Cl)对天然沸石进行了表面活化改性,并使用BET法测定了表面活化沸石颗粒(SMZ)和天然沸石颗粒的外比表面积,试验结果表明,粒径为4～100目时,天然沸石的比表面积为13.44～14.32m2/g,活化沸石的比表面积为4.18～6.79m2/g,与天然沸石相比较,其值要小1～2倍。通过轻拍式原子力显微镜镜像分析(TMAFM),探讨了SMZ外比表面积发生变化的原因。

关键词： HDTMA 表面活化沸石外比表面积原子力显微镜方法

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Microstructure of flow pattern defects in boron-doped Czochralski-grown silicon

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北京科技大学学报 2006年第8期28卷 793-793页

作者： LIU Caichi HAO Qiuyan ZHANG Jianfeng TENG Xiaoyun Sun Shilong QigangZhou WANG Jing XIAO Qinghua Institute of Information Functional Materials Hebei University of Technology Tianjin 300130 China General Research Institute of Non-ferrous Metals Beijing 100088 China

The morphology and microstructure of flow pattern defects (FPDs) in lightly boron-doped Czochralski-grown silicon (Cz-Si) crystals were investigated using optical microscopy and atomic force microscopy. The experimental results showed that the morphology of FPDs was parabola-like with several steps. Single-type and dual-type voids were found on the tip of FPDs and two heaves exist on the left and right sides of the void. All the results have proved that FPDs were void-type defects. These results are very useful to investigate FPDs in Cz-Si wafers further and explain the annihilation of FPDs during high-temperature annealing.

关键词：流态缺陷微观结构原子力显微镜方法硼掺杂直拉法单晶硅晶体生长

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