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利用导波耦合角度实时控制光刻胶光栅掩模的占宽比

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光学学报 2006年第5期26卷 767-772页

作者：林华李立峰曾理江清华大学精密仪器系精密测试技术及仪器国家重点实验室北京100084

研究一种控制多层介质膜上的光刻胶光栅掩模占宽比(线宽与周期之比)的新方法。该方法基于下面的原理:如果某泄漏模在包层中的隐失尾较强,那么它的等效折射率受光刻胶光栅占宽比变化的影响就大,从而可以利用耦合角度来实时控制光栅占宽... 详细信息

研究一种控制多层介质膜上的光刻胶光栅掩模占宽比(线宽与周期之比)的新方法。该方法基于下面的原理:如果某泄漏模在包层中的隐失尾较强,那么它的等效折射率受光刻胶光栅占宽比变化的影响就大,从而可以利用耦合角度来实时控制光栅占宽比。在光栅制作的显影阶段,采用实时监测技术,根据耦合角度和占宽比之间的关系预设入射光角度,在出现共振反常的时刻停止显影来控制占宽比。实验结果表明,固定适当的入射角度可以得到特定的占宽比;改变入射角度,占宽比按照预计的规律变化,因此定性地验证了这种占宽比控制方法的可行性。文中给出了监控装置和具体的实验方法,并讨论了误差来源和影响。

关键词：物理光学光刻胶光栅光栅波导占宽比实时监控技术

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热压增大光刻胶光栅占宽比的方法及其应用

光学精密工程 2019年第1期27卷 94-100页

作者：郑衍畅胡华奎邱克强王海徐向东付绍军安徽工程大学机械与汽车工程学院安徽芜湖241000 中国科学技术大学国家同步辐射实验室安徽合肥230029

全息光刻-单晶硅各向异性湿法刻蚀是制作大高宽比硅光栅的一种重要方法 ,而如何增大光刻胶光栅的占宽比,以提高制作工艺宽容度和光栅质量是急需解决的问题。本文提出了一种热压增大光刻胶光栅占宽比的方法,该方法通过加热加压直接将光... 详细信息

全息光刻-单晶硅各向异性湿法刻蚀是制作大高宽比硅光栅的一种重要方法 ,而如何增大光刻胶光栅的占宽比,以提高制作工艺宽容度和光栅质量是急需解决的问题。本文提出了一种热压增大光刻胶光栅占宽比的方法,该方法通过加热加压直接将光刻胶光栅线条展宽。论文详细阐述了其工艺过程,探究了占宽比增加值随施压载荷、温度的变化规律,讨论了施压垫片对光刻胶光栅质量的影响。应用此方法制作了周期为500nm的硅光栅,光栅线条的高宽比达到了12.6,氮化硅光栅掩模的占宽比高达0.72。热压增大光刻胶光栅占宽比的方法工艺简单、可靠,无需昂贵设备、成本低,能够有效增大占宽比,且获得的光栅掩模质量高、均匀性好,满足制作高质量大高宽比硅光栅的要求。

关键词：硅光栅大高宽比光刻胶光栅占宽比热压

取样光栅制作过程中的铬掩模占宽比测量技术研究

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取样光栅制作过程中的铬掩模占宽比测量技术研究

作者：夏小斌苏州大学

学位级别：硕士

本文围绕取样光栅制作过程中的铬掩模占宽比测量展开了理论研究和实验研究。取样光栅要求1级平均衍射效率0.1%-0.3%，衍射效率RMS小于5%。取样光栅光刻胶掩模制作过程中，曝光量和周期的不均匀导致显影后掩模占宽比的不均匀分布，... 详细信息

本文围绕取样光栅制作过程中的铬掩模占宽比测量展开了理论研究和实验研究。取样光栅要求1级平均衍射效率0.1%-0.3%，衍射效率RMS小于5%。取样光栅光刻胶掩模制作过程中，曝光量和周期的不均匀导致显影后掩模占宽比的不均匀分布，这种占宽比的不均匀分布使刻蚀后的取样光栅1级衍射效率呈现不均匀性。提出以铬掩模代替光刻胶掩模制作均匀衍射效率取样光栅的方法，通过测量掩模占宽比分布，确定一个合适的刻蚀深度，使取样光栅的平均衍射效率及衍射效率RMS达到要求。本文以严格耦合波方法为理论基础，研究了光栅结构对铬掩模及取样光栅衍射效率的影响。通过测量铬掩模0级衍射效率推算铬掩模的占宽比分布;由铬掩模的占宽比分布计算一定刻蚀深度下的取样光栅1级平均衍射效率及衍射效率均匀性，可以为制作均匀效率的取样光栅的下一步制作提供刻蚀参数。以TE入射和圆锥入射分别计算取样光栅的衍射效率，两者的差别不大，可以使用TE入射计算取样光栅的衍射效率简化计算。实验制作了一批铬光栅并测量衍射效率，分别以矩形模型和梯形模型计算了占宽比，矩形模型计算得到的占宽比与SEM结果存在一定误差，分析了误差来源，接近实际槽形的梯形模型计算结果与SEM结果能够较好符合。建立了衍射效率测量系统，并编写了测量控制程序。测量了掩模占宽比并由占宽比模拟湿法均匀刻蚀下取样光栅的衍射效率分布;湿法刻蚀后测量了取样光栅1级衍射效率分布，测量结果与由掩模占宽比的模拟结果有一定的对应性。实验结果表明以铬掩模制作均匀衍射效率的取样光栅是可行的。

关键词：取样光栅铬掩模占宽比衍射效率严格耦合波

全息光栅制作中光栅掩模形状随曝光量及干涉场条纹对比度的变化规律

同方学位论文库评论

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同方学位论文库

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光学学报 2012年第3期32卷 1-7页

作者：韩建巴音贺希格李文昊孔鹏中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林长春130033 中国科学院研究生院北京100049

为了在光栅制作中对光栅掩模占宽比及槽深加以控制,结合光刻胶在显影过程中的非线性特性,建立了光栅掩模槽形演化的数学模型,由此分析和模拟曝光量、条纹对比度对光栅槽形的影响。结果表明:在显影条件确定时,光栅掩模占宽比随光刻胶曝... 详细信息

为了在光栅制作中对光栅掩模占宽比及槽深加以控制,结合光刻胶在显影过程中的非线性特性,建立了光栅掩模槽形演化的数学模型,由此分析和模拟曝光量、条纹对比度对光栅槽形的影响。结果表明:在显影条件确定时,光栅掩模占宽比随光刻胶曝光量的增大而减小,条纹对比度减小,则不仅使光栅占宽比减小,同时也是使光栅槽深减小的主要原因,这样做的前提是预先通过实验和计算确定出一个曝光量上限Ec。该方法能够反映光栅掩模形状的演化规律,为全息光栅参数预测和工艺控制提供依据。

关键词：光栅曝光量条纹对比度占宽比槽深

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电铸金属光栅中金属沉积过程的在线监测

中国光学 2019年第3期12卷 606-615页

作者：朱春霖胡昊焦庆斌谭鑫巴音贺希格中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林长春130033 中国科学院大学北京100049

在使用电铸方法制作金属光栅时,采用传统的计时电铸方法常常不能保证金属栅条具有精确的沉积厚度。为了能够实时监测光栅栅条的沉积厚度,以实现电铸截止时刻的精确判断,建立了基于衍射效率判断金属沉积厚度的在线监测系统。采用严格耦... 详细信息

在使用电铸方法制作金属光栅时,采用传统的计时电铸方法常常不能保证金属栅条具有精确的沉积厚度。为了能够实时监测光栅栅条的沉积厚度,以实现电铸截止时刻的精确判断,建立了基于衍射效率判断金属沉积厚度的在线监测系统。采用严格耦合波理论计算了Au在光刻胶沟槽中进行沉积时,衍射效率随Au沉积厚度的变化规律,并讨论了光刻胶占宽比、电铸电流密度对衍射效率的影响;计算了电铸池、镀液对监测激光能量造成的损耗。实验得到的效率曲线与仿真结果相一致;电铸池、镀液对光能的损耗达94.88%。实验结果表明,采用在线监测方法实时判断金属沉积厚度是合理有效的;光刻胶占宽比对在线监测影响不大;电铸电流密度对在线监测有影响,且电流密度越高越有利于截止点的判断。

关键词：金属光栅在线监测严格耦合波理论占宽比电流密度能量损耗

镀铬基片全息光栅光刻胶掩模槽形参量光谱检测方法

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中国激光 2006年第6期33卷 800-804页

作者：陈刚吴建宏陈新荣刘全苏州大学信息光学工程研究所江苏苏州215006

为了检测全息光栅掩模槽形，运用严格耦合波理论（RCWT）分析镀铬基片光栅光刻胶掩模反射0级衍射效率光谱曲线与槽形参量的关系。测量了400～700nm波长范围内60°入射角条件下的镀铬基片全息光栅光刻胶掩模反射0级衍射效率光谱曲线。将... 详细信息

为了检测全息光栅掩模槽形，运用严格耦合波理论（RCWT）分析镀铬基片光栅光刻胶掩模反射0级衍射效率光谱曲线与槽形参量的关系。测量了400～700nm波长范围内60°入射角条件下的镀铬基片全息光栅光刻胶掩模反射0级衍射效率光谱曲线。将实验曲线与不同槽形参数对应理论曲线相减、求标准差进行匹配，标准差最小者为匹配结果，从而找到被测掩模的槽深和占宽比（光栅齿宽占光栅周期的百分比）。结果表明，该方法图形匹配速度快，误差容限大，匹配结果与电镜结果相符。对于要求同时检测矩形或接近矩形槽形的全息光刻胶光栅掩模的槽深和占宽比，该方法完全适用。

关键词：衍射与光栅全息光栅掩模光谱检测槽深占宽比

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啁啾光纤光栅相位掩模槽形控制新方法研究

激光杂志 2009年第1期30卷 51-52页

作者：杨卫鹏刘全吴建宏苏州大学信息光学工程研究所江苏苏州215006

在啁啾光纤光栅相位掩模的制作中,针对光刻胶光栅槽形要求比较高的问题,提出离子束刻蚀和反应离子束刻蚀相结合的方法,来实现对相位掩模槽形占宽比的控制。运用高级线段运动算法模拟分析刻蚀中的图形演化,用Ar离子束刻蚀对光刻胶光栅掩... 详细信息

在啁啾光纤光栅相位掩模的制作中,针对光刻胶光栅槽形要求比较高的问题,提出离子束刻蚀和反应离子束刻蚀相结合的方法,来实现对相位掩模槽形占宽比的控制。运用高级线段运动算法模拟分析刻蚀中的图形演化,用Ar离子束刻蚀对光刻胶光栅掩模形貌进行修正,然后采用CHF3反应离子束刻蚀,实验和模拟均表明,Ar离子束刻蚀能很好的改善掩模与基片交界处的基片侧壁形貌,使得在CHF3反应离子束刻蚀下能得到较小的占宽比。对槽形控制提供了有意义的实验手段。

关键词：离子束刻蚀反应离子束刻蚀槽形模拟占宽比

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快速充电芯片MAX712/713及其应用

电测与仪表 1997年第5期34卷 44-46页

作者：陈树南汕头超声电子(集团)公司

便携式仪器的飞速发展，迫切要求有能够快速充电的电池充电器，采用ＭＡＸ７１２／７１３芯片制作的充电器可对镉镍／镍氢电池进行快速嵃踩某涞纾视糜谝贫缁啊⑽奚缁啊⑹謲提式摄录放像机、笔记本电脑。

关键词：充电速率占宽比充电器芯片

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全息光栅反应离子束刻蚀特性研究

全息光栅反应离子束刻蚀特性研究

作者：杨卫鹏苏州大学

学位级别：硕士

本文围绕离子束刻蚀衍射光栅的方法,对刻蚀过程中的图形演化展开了理论和实验的研究。主要包括以下几个方面的内容。首先,介绍了离子束刻蚀技术和常见的Kaufman离子源系统,讨论了离子束刻蚀中主要工艺参数,阐述了刻面、开槽和再沉积等... 详细信息

本文围绕离子束刻蚀衍射光栅的方法,对刻蚀过程中的图形演化展开了理论和实验的研究。主要包括以下几个方面的内容。首先,介绍了离子束刻蚀技术和常见的Kaufman离子源系统,讨论了离子束刻蚀中主要工艺参数,阐述了刻面、开槽和再沉积等离子束刻蚀中出现的常见现象,分析了其产生的机理,提出了解决方法。系统地研究了石英、光刻胶和铬三种材料在Ar气和CHF气体中的刻蚀特性,分析离子能量、束流密度和离子束入射角度对刻蚀速率的影响。介绍了模拟刻蚀过程中图形演化的几种常见的算法。在忽略再沉积效应、刻面效应和二次刻蚀效应的基础上,用线段运动算法建立理想的离子束刻蚀图形演化程序,并验证了程序的可行性。模拟了Ar离子束刻蚀和CHF反应离子束刻蚀中的图形演化规律,结果发现用CHF反应离子束刻蚀光刻胶光栅能够得到较为陡直的基片槽形。研究了光纤光栅刻蚀中的演化规律,并和实验结果有比较好的吻合。针对CHF反应离子束刻蚀中刻蚀占宽比难以控制的问题,提出用离子束刻蚀和反应离子束刻蚀相结合的方法,实现对刻蚀槽形占宽比的控制,这种方法对于较大条纹密度的光刻胶光栅掩模有良好的适用性,为光纤光栅位相掩模的离子束刻蚀提供了可行的刻蚀方案。

关键词：离子束刻蚀反应离子束刻蚀图形演化模拟占宽比光纤光栅