检索结果-南通市图书馆

世界电子元器件 2022年第9期 52-55页

ADI公司的ADL8105是砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为5 GHz至20 GHz.在12GHz至17 GHz范围内,ADL8105提供27 dB典型增益,1.8 dB典型噪声系数和30.5dBm典型输出三阶交调... 详细信息

ADI公司的ADL8105是砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为5 GHz至20 GHz.在12GHz至17 GHz范围内,ADL8105提供27 dB典型增益,1.8 dB典型噪声系数和30.5dBm典型输出三阶交调截点(OIP3)以及高达20.5 dBm的饱和输出功率(PSAT),采用5 V电源电压时功耗仅为90 mA.可通过牺牲OIP3和输出功率(POUT)来降低功耗.

关键词：高电子迁移率晶体管单片微波集成电路宽带放大器工作频率范围噪声系数电源电压砷化镓饱和输出功率

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单片微波集成电路中的元件参数的提取

复旦学报（自然科学版） 1999年第3期38卷 358-365页

作者：高宇史维华王宗欣复旦大学电子工程系

单片微波集成电路（ＭＭＩＣ）中集总元件和ＭＥＳＦＥＴ管的模型是微波电路ＣＡＤ的关键，在确定电路模型后，为要进行正确的设计，还必须知道模型中各元件的参数．在给出了ＭＭＩＣ集总元件９种可能的等效电路形式，已知Ｓ参数与频率... 详细信息

单片微波集成电路（ＭＭＩＣ）中集总元件和ＭＥＳＦＥＴ管的模型是微波电路ＣＡＤ的关键，在确定电路模型后，为要进行正确的设计，还必须知道模型中各元件的参数．在给出了ＭＭＩＣ集总元件９种可能的等效电路形式，已知Ｓ参数与频率的关系后，可以确定集总元件应选用的最佳等效电路形式；推导了由Ｓ参数提取上述集总元件和管芯等效电路中各元件参数的方法，编制了相应的程序．为确保计算得到的各元件值的误差最小，在程序中用最小二乘法对计算结果进行了优化处理；推导了各参数在最小二乘意义下的最佳值；对各元件的计算结果分别进行了高精度的搜索比较，以使计算结果有最小偏差．

关键词：单片微波集成电路元件参数等效电路参数提取电路CAD S参数 A参数

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某单片微波集成电路漏电问题分析

电子产品可靠性与环境试验 2018年第6期36卷 15-22页

作者：钱雨鑫汤仕晖李进工业和信息化部电子第五研究所广东广州510610 宁波赛宝信息产业技术研究院有限公司浙江宁波315040

对某单片微波集成电路上机工作17个月后在客户端使用时频响不良的原因进行了研究。利用外观检查、 X-ray测试、 I-V特性曲线测试和声学扫描检查等手段对该单片微波集成电路的失效原因进行了具体的分析。通过测试发现样品的失效模式为漏... 详细信息

对某单片微波集成电路上机工作17个月后在客户端使用时频响不良的原因进行了研究。利用外观检查、 X-ray测试、 I-V特性曲线测试和声学扫描检查等手段对该单片微波集成电路的失效原因进行了具体的分析。通过测试发现样品的失效模式为漏电,内部芯片表面可见钝化层破损,因此推测样品失效与ESD损伤或沟道退化有关。

关键词：单片微波集成电路漏电失效分析

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单片微波集成电路放大器

电子质量 2001年第11期 59-63页

作者：吴腾奇列光华华南师范大学 510631 湛江师院学院 520431

介绍单片微波等成路的特性

关键词： MMID microwave 单片微波集成电路放大器

SiGe/Si HBT及其单片微波集成电路的研究

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半导体技术 2000年第4期25卷 31-35页

作者：魏欢陈建新邹德恕徐晨杜金玉韩金茹董欣周静沈光地北京工业大学电子工程学系北京光电子技术实验室北京100022

SiGe／SiHBT作为单片微波集成电路中的有源元件，在截止频率、增益、噪声等方面相对于GaAs器件有很大的优势。本文结合本单位在SiGe材料和器件、电路等方面做过的工作，对实现SiGe单片微波集成电路的一些理论和技术要点作了阐述。

关键词：异质结双极晶体管单片微波集成电路锗化硅

基于FFT技术微波集成电路及阵列天线快速电磁仿真

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南京理工大学学报 2008年第1期32卷 105-109页

作者：庄伟丁大志叶珍宝陈如山南京理工大学电子工程与光电技术学院江苏南京210094

该文开展了混合位积分方程(MPIE)的空域矩量法(MoM)对单片微波集成电路(MMIC)及阵列天线的全波分析,并采用了共轭梯度快速傅里叶变换(CGFFT)算法减少矩量法的内存需求与计算复杂度。并针对此方法必须采用等间距离散的限制,采用了基于快... 详细信息

该文开展了混合位积分方程(MPIE)的空域矩量法(MoM)对单片微波集成电路(MMIC)及阵列天线的全波分析,并采用了共轭梯度快速傅里叶变换(CGFFT)算法减少矩量法的内存需求与计算复杂度。并针对此方法必须采用等间距离散的限制,采用了基于快速傅里叶变换(FFT)技术的修正算法,包括稀疏矩阵规则网格方法(SMCG)、自适应积分方法(AIM)和预校准快速傅里叶变换方法(Precorrected-FFT)。此类方法既保留了三角基函数精确建模的能力又具备CGFFT算法高效计算的优点,实现了对复杂结构、电大尺寸的微波集成电路及阵列天线的快速电磁仿真。

关键词：单片微波集成电路阵列天线快速傅里叶变换

单片微波集成电路中集总参数元件模型及其CAD程序

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固体电子学研究与进展 1988年第2期 124-135页

作者：冯珅南京电子器件研究所

本文给出了带状和螺圈电感、叉指和MIM电容、有源层和金属膜电阻等常用于单片微波集成电路中的集总参数元件的分析模型,编写出了相应的计算机分析与设计程序——SLECAD,并能在1BM PC/XT微机上运行。利用此程序,对业已发表的元件数据以... 详细信息

本文给出了带状和螺圈电感、叉指和MIM电容、有源层和金属膜电阻等常用于单片微波集成电路中的集总参数元件的分析模型,编写出了相应的计算机分析与设计程序——SLECAD,并能在1BM PC/XT微机上运行。利用此程序,对业已发表的元件数据以及本所的一些实验数据进行了对照分析计算,取得了相吻合的结果。

关键词：集总参数元件膜电阻分析模型等效电路模型电容设计程序有源层单片微波集成电路 CAD 螺圈

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瑞萨科技高性能硅锗单片微波集成电路

电子产品世界 2006年第7X期13卷 38-39页

瑞萨科技公司（Renesas Technology）推出一种用于无线局域网终端发射功率放大器的高性能2．4GHz／5GHz双模硅锗（SiGe）单片微波集成电路（MMIC）HA31010。HA31010的主要特性如下：2AGHz／5GHz双模操作，在单个芯片中集成了支持IEEE802... 详细信息

瑞萨科技公司（Renesas Technology）推出一种用于无线局域网终端发射功率放大器的高性能2．4GHz／5GHz双模硅锗（SiGe）单片微波集成电路（MMIC）HA31010。HA31010的主要特性如下：2AGHz／5GHz双模操作，在单个芯片中集成了支持IEEE802．1lb／g无线局域网标准的2．4GHz频段放大器电路，和支持IEEE802．11a标准的5GHz频段放大器电路；

关键词：单片微波集成电路瑞萨科技公司 IEEE802.11a标准 IEEE802.1lb 硅锗 2.4GHz频段无线局域网标准放大器电路功率放大器双模

三维单片微波集成电路设计中的阻抗匹配与耦合干扰问题研究

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三维单片微波集成电路设计中的阻抗匹配与耦合干扰问题研究