ADI ADL8105砷化镓单片微波集成电路低噪声宽带放大器解决方案
出 版 物：《世界电子元器件》 (Global Electronics China)
年 卷 期：2022年第9期
页 面：52-55页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 080902[工学-电路与系统] 08[工学]
主 题：高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 宽带放大器 工作频率范围 噪声系数 电源电压 砷化镓 饱和输出功率
摘 要：ADI公司的ADL8105是砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为5 GHz至20 GHz.在12GHz至17 GHz范围内,ADL8105提供27 dB典型增益,1.8 dB典型噪声系数和30.5dBm典型输出三阶交调截点(OIP3)以及高达20.5 dBm的饱和输出功率(PSAT),采用5 V电源电压时功耗仅为90 mA.可通过牺牲OIP3和输出功率(POUT)来降低功耗.
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