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中国科技信息 2008年第20期 35-36页

作者：吴献营口职业技术学院

本文简单介绍了半导体量子点的概念,以及用分子束外延技术生长半导体量子点的方法;并对目前半导体量子点生长和应用所面临的基础性问题作了讨论。

关键词：半导体量子点分子束外延纳米技术分子束外延生长不均匀性

半导体量子点和碳点基零维/二维异质结光催化剂构筑及应用

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发光学报 2021年第8期42卷 1278-1296页

作者：张栋琪倪俊朋陈启涛刘艳红李丽霞毛宝东江苏大学化学与化工学院江苏镇江212013 江苏大学环境与安全工程学院江苏镇江212013

半导体量子点因其具有精准的尺寸调控、独特的光电特性、丰富的表面活性位点等优势,在光催化剂设计和机理研究中获得了广泛关注。与传统半导体量子点主要作为光吸收单元不同,新兴的碳点更是在增加光吸收、促进电荷分离和增加表面反应位... 详细信息

半导体量子点因其具有精准的尺寸调控、独特的光电特性、丰富的表面活性位点等优势,在光催化剂设计和机理研究中获得了广泛关注。与传统半导体量子点主要作为光吸收单元不同,新兴的碳点更是在增加光吸收、促进电荷分离和增加表面反应位点等光催化不同环节均展现出优异的应用潜力。然而,量子点光催化剂由于小尺寸带来电荷复合严重、易团聚、稳定性差等问题而限制了其光催化性能。解决这些问题的主要途径之一是将零维(0D)量子点负载到超薄的二维(2D)纳米片上,形成0D/2D纳米复合材料,使量子点更加分散和稳定,且2D纳米材料促进的加速电荷转移能够抑制光生电荷的复合,从而可以有效地改善量子点基光催化剂的催化活性和稳定性。本文系统阐述了半导体量子点和碳点基0D/2D异质结光催化剂的构筑及应用,着重讨论了不同类型0D/2D异质结的光催化作用机理及面临的挑战,最后对其未来发展进行了分析和展望。

关键词：光催化制氢 0D/2D异质结半导体量子点碳点

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半导体量子点内弹性应变能的研究(英文)

人工晶体学报 2004年第4期33卷 531-534页

作者：杨红波俞重远刘玉敏黄永箴北京邮电大学理学院北京100876 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室北京100083

本文用有限元分析软件ANSTS 6 .0计算了半导体量子点内的弹性应变和弹性应变能 ,通过对金塔形、台形和圆顶形量子点内总弹性应变能的计算和总能量的比较 ,得到了在热平衡条件下金字塔形量子点是最稳定的结构。

关键词：有限元分析软件半导体量子点弹性应变弹性应变能

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半导体量子点的器件应用

半导体光电 2000年第5期21卷 310-313页

作者：王亚东黄靖云叶志镇浙江大学硅材料国家重点实验室浙江杭州310027

半导体量子点的生长和性质已成为当今研究的热点。以S -K生长模式已成功地生长了无缺陷的半导体量子点。由于其较强的量子效应 ,量子点结构的光电器件和电子器件有望比量子阱结构的器件具有更好的性能。介绍了量子点在光电器件和电子器... 详细信息

半导体量子点的生长和性质已成为当今研究的热点。以S -K生长模式已成功地生长了无缺陷的半导体量子点。由于其较强的量子效应 ,量子点结构的光电器件和电子器件有望比量子阱结构的器件具有更好的性能。介绍了量子点在光电器件和电子器件中的一些应用 ,包括单电子晶体管、激光器和红外探测器等。

关键词：半导体量子点最子限制效应光电器件电子器件

脉冲激发三能级体系半导体量子点的单光子发射效率

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物理学报 2006年第4期55卷 1781-1786页

作者：李耀义程木田周慧君刘绍鼎王取泉薛其坤武汉大学物理系武汉430072 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室北京100080

研究了脉冲激发下单个半导体量子点中单光子发射的统计特性.在旋转波近似条件下,由系统粒子数演化主方程并结合量子回归理论推导了二阶相关函数的运动方程,利用此方程讨论了二阶相关函数随输入脉冲面积的关系.在窄脉冲宽度的脉冲激发下... 详细信息

研究了脉冲激发下单个半导体量子点中单光子发射的统计特性.在旋转波近似条件下,由系统粒子数演化主方程并结合量子回归理论推导了二阶相关函数的运动方程,利用此方程讨论了二阶相关函数随输入脉冲面积的关系.在窄脉冲宽度的脉冲激发下,单光子的发射概率p和效率η都随着强度的增强而产生振荡.研究表明,采用窄脉冲宽度,当输入脉冲面积在π附近时可以得到较高的单光子发射效率.

关键词：半导体量子点单光子发射三能级系统发射效率

初态与纯失相对半导体量子点V型三能级系统拉比振荡的影响

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光学学报 2010年第6期30卷 1809-1815页

作者：柳闻鹃朱善华郝中华湖南工业大学理学院湖南株洲412008 武汉大学物理科学与技术学院湖北武汉430072

相干光学操控半导体量子点(SQDs)激子态在量子信息、量子计算中具有很重要的应用。通过对影响量子点(QDs)拉比振荡因素的分析,可获得导致量子点体系退相干的物理机制,这为全光操控半导体量子点体系提供了理论依据。线偏振脉冲激光激发... 详细信息

相干光学操控半导体量子点(SQDs)激子态在量子信息、量子计算中具有很重要的应用。通过对影响量子点(QDs)拉比振荡因素的分析,可获得导致量子点体系退相干的物理机制,这为全光操控半导体量子点体系提供了理论依据。线偏振脉冲激光激发自组织InGaAsQDs,运用系统粒子数主方程并结合光学布洛赫矢量推导了单脉冲激发下V型三能级系统激子动力学方程,利用此方程讨论了初始状态及纯失相对拉比振荡的影响。研究表明,可以通过改变系统初态条件和激发场的偏振角对该体系激子拉比振荡的振幅和频率进行调控,可以用纯失相强度相关衰减因子等效地分析V型三能级体系的退相干特性,从而使相关计算得到了简化。

关键词：量子光学半导体量子点激子动力学方程拉比振荡 V型三能级系统

半导体量子点-Smad2单克隆抗体荧光探针的制备及其相关性质检测

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华西口腔医学杂志 2008年第5期26卷 541-545页

作者：杨凯孙德平陈睿重庆医科大学附属第一医院口腔颌面外科重庆400016

目的制备半导体量子点-Smad2单克隆抗体荧光探针(QDs-Smad2单抗荧光探针),并对其相关光学性质和特异免疫性识别能力进行检测。方法1)用半导体量子点和Smad2单克隆抗体通过化学偶联法制备水溶性的QDs-Smad2单抗荧光探针并纯化;2)用紫外... 详细信息

目的制备半导体量子点-Smad2单克隆抗体荧光探针(QDs-Smad2单抗荧光探针),并对其相关光学性质和特异免疫性识别能力进行检测。方法1)用半导体量子点和Smad2单克隆抗体通过化学偶联法制备水溶性的QDs-Smad2单抗荧光探针并纯化;2)用紫外分光光度计和荧光分光光度计分别测定QDs-Smad2单抗荧光探针的吸收光谱、发射光谱,在激光共聚焦显微镜下观察并检测QDs-Smad2单抗荧光探针的形态、荧光强度和光化学稳定性;3)转化生长因子-β1(TGF-β1)和大鼠牙乳头细胞共同孵育24h后,采用SP免疫细胞化学法和QDs-Smad2单抗荧光探针直接免疫荧光成像法观察比较Smad2信号蛋白分子在大鼠牙乳头细胞内的分布,并检测细胞内QDs-Smad2单抗荧光探针的相关光学性质。结果半导体量子点与Smad2单抗通过共价结合形成稳定的QDs-Smad2单抗荧光探针,QDs-Smad2单抗荧光探针对大鼠牙乳头细胞内Smad2分子具有特异性的识别能力;QDs-Smad2单抗荧光探针仍具有QDs所具有的激发光谱宽,发射光谱窄,荧光度强,光化学稳定性好等优良光学特征。结论生物修饰的半导体量子点和单克隆抗体通过共价结合形成纳米分子探针后仍具有特异免疫识别能力和量子点独特的光学性质,这为半导体量子点用于活细胞内对蛋白质分子进行实时、原位、长时间动态可视化检测提供了科学基础和依据。

关键词：半导体量子点纳米免疫荧光

半导体量子点光谱特性标准样品及高分辨透射电子显微镜粒径定值研究

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中国科学：物理学、力学、天文学 2011年第9期41卷 1023-1028页

作者：刘忍肖张丽娜李学毅齐笑迎吴侠汤艳魏文博葛广路国家纳米科学中心纳米标准研究室中国科学院纳米标准与检测重点实验室北京100190 清华大学物理系清华一富士康纳米科技研究中心北京100084 国家纳米科学中心纳米检测实验室北京100190 国家纳米科学中心纳米制造与应用基础研究室北京100190

半导体量子点纳米晶体是一类典型的纳米材料,具有独特的光学特性,已在生物医学、光电转换等领域得到应用.量子点纳米晶体的标准样品对其质量控制和产业应用都有重要的意义,但需要对其光学特性和尺寸特性进行准确测量研究.我们研制了以... 详细信息

半导体量子点纳米晶体是一类典型的纳米材料,具有独特的光学特性,已在生物医学、光电转换等领域得到应用.量子点纳米晶体的标准样品对其质量控制和产业应用都有重要的意义,但需要对其光学特性和尺寸特性进行准确测量研究.我们研制了以硒化镉量子点为代表的半导体量子点纳米晶体标准样品,并对其光学特性进行定值.针对目前制约量子点粒子尺寸准确测量的透射电子显微镜样品基底问题进行改进,用碳管-氧化石墨烯微栅代替常用的超薄碳膜微栅.通过高分辨透射电子显微镜表征得到晶格清晰的小尺寸半导体量子点纳米晶体的形貌像.这些结果有助于建立硒化镉量子点半导体纳米晶体的特征带边吸收峰值与粒子粒径的准确定量对应关系,从而推动量子点的应用.

关键词：半导体量子点标准样品特征带边吸收峰粒径

半导体量子点电调制吸收谱一次微分性质的理论分析

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北京师范大学学报（自然科学版） 2000年第3期36卷 344-347页

作者：田强北京师范大学物理学系北京100875

分析在电场作用下半导体量子点的介电响应函数 ,在弱场近似下得到半导体量子点的电调制吸收谱的一次微分性质 .由于量子点的量子约束效应 ,半导体中的电子能带不复存在 ,成为一系列离散的能级 ;通常体材料中的电场调制机制不存在了 ,在... 详细信息

分析在电场作用下半导体量子点的介电响应函数 ,在弱场近似下得到半导体量子点的电调制吸收谱的一次微分性质 .由于量子点的量子约束效应 ,半导体中的电子能带不复存在 ,成为一系列离散的能级 ;通常体材料中的电场调制机制不存在了 ,在电场作用下 ,量子点中的量子能级会随电场而改变 ,激子吸收峰红移 ,因此电场直接影响到介电函数中的激子能级 ,使激子能级产生与电场强度有关而与时间无关的移动 .

关键词：半导体量子点一次微分性质电调制吸收谱

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水相制备硒化镉半导体量子点的荧光性能

硅酸盐学报 2005年第10期33卷 1224-1230页

作者：王璐王德平黄文 宁佳郁美娟同济大学材料科学与工程学院上海200092

研究水相制备CdSe半导体量子点的合成工艺及后处理过程(包括前驱体物质选择及其用量、水浴反应时间、真空热处理等因素)对样品荧光性能的影响.通过荧光光谱测试分析样品荧光性能,结合紫外-可见光吸收光谱分析样品光吸收性能,并用扫描电... 详细信息

研究水相制备CdSe半导体量子点的合成工艺及后处理过程(包括前驱体物质选择及其用量、水浴反应时间、真空热处理等因素)对样品荧光性能的影响.通过荧光光谱测试分析样品荧光性能,结合紫外-可见光吸收光谱分析样品光吸收性能,并用扫描电镜和X射线衍射谱分析样品形貌与组分.结果表明:使用Na2SO3前驱体制备的水溶液样品的荧光性能容易受水浴加热时间的影响,表现出特殊的荧光双峰现象.使用NaBH4前驱体制备的水溶液样品荧光性能几乎不受水浴加热时间的影响,NaBH4的加入量增多有利于钝化CdSe量子点表面,有效减少表面陷阱,大幅度提高荧光量子产率.真空热处理使样品荧光峰锐化,半峰宽为30～40 nm且峰位产生红移,峰强急剧增加.

关键词：半导体量子点硒化镉水相制备荧光