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初态与纯失相对半导体量子点V型三能级系统拉比振荡的影响

Effect of Initial Conditions and Pure Dephasing on Rabi Oscillation in V-Type Three-Level of Semiconductor Quantum Dots

作     者:柳闻鹃 朱善华 郝中华 

作者机构:湖南工业大学理学院湖南株洲412008 武汉大学物理科学与技术学院湖北武汉430072 

出 版 物:《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期:2010年第30卷第6期

页      面:1809-1815页

核心收录:

学科分类:0808[工学-电气工程] 070207[理学-光学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 07[理学] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基  金:国家自然科学基金(10534030) 湖南省教育厅资助科研(09C322)资助课题 

主  题:量子光学 半导体量子点 激子动力学方程 拉比振荡 V型三能级系统 

摘      要:相干光学操控半导体量子点(SQDs)激子态在量子信息、量子计算中具有很重要的应用。通过对影响量子点(QDs)拉比振荡因素的分析,可获得导致量子点体系退相干的物理机制,这为全光操控半导体量子点体系提供了理论依据。线偏振脉冲激光激发自组织InGaAsQDs,运用系统粒子数主方程并结合光学布洛赫矢量推导了单脉冲激发下V型三能级系统激子动力学方程,利用此方程讨论了初始状态及纯失相对拉比振荡的影响。研究表明,可以通过改变系统初态条件和激发场的偏振角对该体系激子拉比振荡的振幅和频率进行调控,可以用纯失相强度相关衰减因子等效地分析V型三能级体系的退相干特性,从而使相关计算得到了简化。

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