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金属-氧化物-半导体场效应晶体管存贮器电路

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电子计算机参考资料 1971年第6期 15-30页

作者： LEWIS M.TERMAN 险峰

金属-氢化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)目前正广泛地应用于各种存贮器。存贮器的要求和金属-氧化物-半导体器件和工艺的特点导致出许多为此类应用的独特的电路。本文评论了存贮器系统的组织和设计考虑。举出了具体的电路例子进行分析... 详细信息

金属-氢化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)目前正广泛地应用于各种存贮器。存贮器的要求和金属-氧化物-半导体器件和工艺的特点导致出许多为此类应用的独特的电路。本文评论了存贮器系统的组织和设计考虑。举出了具体的电路例子进行分析,包括随机存取单元、移位寄存器、只读存贮电路和芯片上的外围电路;讨论了互补和非互补电路。

关键词：互补电路金属反相器栅极字线随机存取有源器件电荷金属材料直接存取电子器件半导体场效应晶体管移位寄存器

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硅锗量子阱埋沟场效应晶体管

现代物理知识 1993年第6期 10-11页

作者：胡际璜王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

现代科学技术的发展、自动化程度的提高、计算机应用的普及,需要越来越多的高速大规模、超大规模集成电路.金属/氧化物/半导体场效应晶体管(MOSFET) 由于其工艺简单、产额高、功耗低、抗干扰能力强、输入阻抗高、易于大规模集成,在大规... 详细信息

现代科学技术的发展、自动化程度的提高、计算机应用的普及,需要越来越多的高速大规模、超大规模集成电路.金属/氧化物/半导体场效应晶体管(MOSFET) 由于其工艺简单、产额高、功耗低、抗干扰能力强、输入阻抗高、易于大规模集成,在大规模集成电路领域内很受人们青睐.尤其是互补型金属/氧化物/半导体场效应晶体管(CMOS)电路,可在单电流下工作,且工作电压范围广、噪声容限大、集成度高.几乎有取代双极型晶体管集成电路的趋势.然而,CMOS电路的速度因受ρ沟MOS中空穴迁移率的限制,不如双极型器件的快,使它的应用受到一定的限制.如能提高它的工作速度,则可使MOS电路具有更强的生命力.

关键词：空穴迁移率量子杂质散射子阶热载流子载流子(半导体) MOSFET 栅介质介质材料埋沟半导体场效应晶体管载流子迁移率

分裂栅功率MOSFET器件热安全工作区研究

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分裂栅功率MOSFET器件热安全工作区研究

作者：蒋彦博东南大学

学位级别：硕士

分裂栅功率金属氧化物半导体场效应晶体管（Split-GatePowerMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，SGTPowerMOSFET）广泛应用于通信及汽车电子等领域。支持热插拔技术是SGT功率MOSFET器件应用于上述领域的重要条件之一。热插拔要求功率器件较长时间（毫秒级）工作在高压大电流的条件下，器件需具有更宽的热安全工作区（ThermalSafeOperatingArea，T-SOA）。本文旨在研究SGT功率MOSFET器件超热SOA失效机理，并对已有的热SOA模型进行改进重建并验证。　　本文首先从工作原理、电学特性和热学特性等方面对SGT功率MOSFET进行了详细阐述。然后，对器件超出热SOA失效机理进行研究分析，研究表明器件超热SOA失效的主要原因是已有热SOA模型计算最大功率限制线时未考虑器件漏极电流正温度系数引起的电流变化。接下来，通过T-CAD软件、并结合数学方法得到电流温度系数(dId/dT)与器件主要结构参数的关系，器件沟道的宽长比越大、Pbody掺杂浓度越大，电流温度系数越大，热SOA面积越小;热SOA面积随着栅氧化层厚度的增加先增大后减小。最后，基于100V商用器件，在计算其最大功率限制线时，从起始温度到最大结温范围内对电流温度系数进行积分，从而完成了对漏极电流模型的修正，在此基础上，搭建了测试平台测试该器件的热SOA，对模型精度加以验证。　　实测结果与传统热SOA模型和改进型热SOA模型的计算结果相比，传统热SOA理论模型计算得到的最大功率限制线与实测结果的平均相对误差超过1倍，而改进型热SOA模型计算得到的最大功率限制线与实测结果的平均相对误差仅为9.7%，大幅提高了模型精度，为SGT功率MOSFET器件的热SOA准确评估奠定了理论基础。

关键词：半导体场效应晶体管分裂栅功率金属氧化物热安全工作区温度系数电学特性

超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制

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物理学报 2005年第8期54卷 3884-3888页

作者：王彦刚许铭真谭长华段小蓉北京大学微电子学研究所北京100871

研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)软击穿后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内,软击穿后的栅电流Ig符合Fowler-Nordheim隧穿公式,但室温下隧穿势垒b的平均值仅为0·936eV,远小于Si/SiO2... 详细信息

研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)软击穿后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内,软击穿后的栅电流Ig符合Fowler-Nordheim隧穿公式,但室温下隧穿势垒b的平均值仅为0·936eV,远小于Si/SiO2界面的势垒高度3·15eV.研究表明,软击穿后,处于Si/SiO2界面量子化能级上的电子不隧穿到氧化层的导带,而是隧穿到氧化层内的缺陷带上.b与缺陷带能级和电子所处的量子能级相关;高温下,激发态电子对隧穿电流贡献的增大导致b逐渐降低.

关键词：超薄栅氧化层 n-MOSFET 导电机制软击穿 Si/SiO2 半导体场效应晶体管势垒高度量子能级隧穿电流氧化物压应力栅电流平均值量子化电子对激发态界面缺陷

A new dimmer for alternating-current directly driven light-emitting-diode lamp

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Journal of Central South University 2012年第2期19卷 374-379页

作者： KIM Jong-hyun RYU Myung-hyo YOON Hyok-min SONG Eui-ho School of Mechatronics Changwon National University

A new dimmer using a mental-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) for alternating-current (AC) directly driven light-emitting-diode (LED) lamp was presented. The control method of proposed dimmer is pulse width control (PWM) method. Compared with the conventional phase-controlled dimmer, the proposed PWM dimmer can produce sine wave and did not cause harmonics problem. Furthermore, the proposed control method did not amplify the light flicker due to the independence of input voltage. Therefore, the PWM dimmer can be used as the dimmer of the AC LED lamp instead of the conventional phase-controlled dimmer. The experimental result shows that the proposed PWM dimmer has good performances.

关键词：发光二极管调光器直接驱动交流电流灯泡半导体场效应晶体管 MOSFET 脉宽控制

Polycrystalline diamond MESFETs by Au-mask technology for RF applications

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Science China(Technological Sciences) 2013年第4期56卷 957-962页

作者： FENG ZhiHong WANG JingJing HE ZeZhao DUN ShaoBo YU Cui LIU JinLong ZHANG PingWei GUO Hui LI ChengMing CAI ShuJun Science and Technology on ASIC Laboratory Hebei Semiconductor Research Institute School of Information Engineering Hebei University of Technology School of Materials Science and Engineering University of Science and Technology Beijing Hebei Institute of Laser

Metal-semiconductor field effect transistors (MESFETs) were fabricated on H-terminated polycrystalline diamond.The DC characteristics of the p-channel MESFET showed a maximum drain current density of 204 mA/mm at a gate-source voltage of 6 V,and a maximum transconductance of 20 mS/mm at a gate-source voltage of 1.5 V.The small signal S-parameters of MESFET with 2 100 m gate width and 2 m gate length were measured.An extrinsic cut-off frequency (fT) of 1.7 GHz and the maximum oscillation frequency (fmax) of 2.5 GHz were obtained,which was the first report on diamond MESFETs with RF characteristics in China.

关键词： MESFET 聚晶金刚石 RF应用半导体场效应晶体管技术面具射频特性多晶金刚石

Analysis of process variations impact on the single-event transient quenching in 65 nm CMOS combinational circuits

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Science China(Technological Sciences) 2014年第2期57卷 322-331页

作者： WANG TianQi XIAO LiYi ZHOU Bin QI ChunHua Micro-electric Centre Harbin Institute of Technology

Single-event transient pulse quenching(Quenching effect)is employed to effectively mitigate WSET(SET pulse width).It enhanced along with the increased charge sharing which is norm for future advanced technologies.As technology scales,parameter variation is another serious issue that significantly affects circuit’s performance and single-event response.Monte Carlo simulations combined with TCAD(Technology Computer-Aided Design)simulations are conducted on a six-stage inverter chain to identify and quantify the impact of charge sharing and parameter variation on pulse quenching.Studies show that charge sharing induce a wider WSET spread range.The difference of WSET range between no quenching and quenching is smaller in NMOS(N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)simulation than that in PMOS’(P-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),so that from parameter variation view,quenching is beneficial in PMOS SET mitigation.The individual parameter analysis indicates that gate oxide thickness(TOXE)and channel length variation(XL)mostly affect SET response of combinational circuits.They bring 14.58%and 19.73%average WSET difference probabilities for no-quenching cases,and 105.56%and 123.32%for quenching cases.

关键词： CMOS组合电路淬火工艺瞬态脉冲单事件半导体场效应晶体管计算机辅助设计 N-氧化物纳米

Optoelectronic switching of nanowire-based hybrid organic/oxide/semiconductor field-effect transistors

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Nano Research 2015年第4期8卷 1229-1240页

作者： Eunhye Baek Sebastian Pregl Mehrdad Shaygan Lotta Romhildt Walter M. Weber Thomas Mikolajick DmitryA. Ryndyk Larysa Baraban Gianaurelio Cuniberti Institute for Materials Science and Max Bergmann Center of Biomaterials TU Dresden 01062 Dresden Germany Center for Advancing Electronics Dresden TU Dresden 01062 Dresden Germany Division of IT Convergence Engineering Pohang University of Science and Technology Pohang Korea NaMLab GmbH Nothnitzer Strasse 64 01187 Dresden Germany Dresden Center for Computational Materials Science TU Dresden 01062 Dresden Germany

由组成的新奇感光性的混合地效果晶体管联邦货物税一器官的卟啉电影 / 氧化物 / 硅 nanowires 多重壳被介绍。由于在 nanowires 附近的氧化物壳，在混合 nanodevices 的水流的 photoswitching 被电场效果指导，在器官的电影以内由费用... 详细信息

由组成的新奇感光性的混合地效果晶体管联邦货物税一器官的卟啉电影 / 氧化物 / 硅 nanowires 多重壳被介绍。由于在 nanowires 附近的氧化物壳，在混合 nanodevices 的水流的 photoswitching 被电场效果指导，在器官的电影以内由费用再分配导致了。这个原则是 photoinduced 电子注射的一种选择，为依靠在器官的分子和金属或半导体之间的直接连接的设备有效。在紫轻照明之上的混合 nanodevices 的切换的动力学被调查，包 nanowires 的卟啉电影的厚度上的强壮的依赖被发现。而且，器官的电影的厚度被发现为 nanowire 联邦货物税的切换的效率也是一个关键参数，开在轻照明下面由电流的比率代表了在上并且处于黑暗条件。我们建议卟啉电影收费解释 nanowire 联邦货物税的 optoelectronic 行为由器官的电影 / 氧化物 / 半导体连接调停了的一个简单模型。

关键词：半导体场效应晶体管硅纳米线光电开关氧化物有机薄膜杂化纳米器件 FET

Effects of Unintended Dopants on I-V Characteristics of the Double-Gate MOSFETs,a Simulation Study

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Communications in Theoretical Physics 2012年第7期58卷 171-174页

作者：李佩成梅光辉胡光喜王伶俐刘冉汤庭鳌 State Key Laboratory of ASIC and System School of Information Science and TechnologyFudan University

In this paper, we study the effects of an unintended dopant in the channel on the current-voltage char-acteristics of a Double-Gate (DG) Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET). Non-Equilibrium Green's Function (NEGF) approach is used. A quantum transport model to calculate the drain current is presented and subthreshold swing and drain induced barrier lowering (DIBL) effect are studied.

关键词：双栅MOSFET 电压特性掺杂剂半导体场效应晶体管非平衡格林函数模拟输运模型漏电流