检索结果-南通市图书馆

稀有金属快报 2005年第3期24卷 28-30页

作者：刘高建杜继红李争显周慧西北有色金属研究院陕西西安710016

研究了在一定温度的石墨基体表面上用化学气相沉积钨涂层的方法。通过调节氢气、氯气的气流量,控制流量比,得到了具有一定厚度、晶粒均匀致密的钨涂层,并对试验中仍需解决的问题做了讨论。

关键词：钨涂层表面沉积化学气相沉积方法基体晶粒石墨厚度氢气氯气研究

发明特殊的化学气相沉积方法实现二维材料的可控制备——湖南大学化学化工学院段曦东教授

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科技成果管理与研究 2019年第8期 7-9页

作者：王玮不详

二维材料是伴随2004年石墨烯的成功分离而提出的一类新颖的超薄材料,具有不同于已有材料的特殊性能。其一个维度达到原子级薄的尺度(0.1 n m-10 nm),其余两个维度接近宏观或者宏观(一般在1μm以上),是纳米材料的一种。

关键词：湖南大学化学化工学院化学气相沉积方法二维材料可控制备发明超薄材料纳米材料石墨烯

从钽卤化物前体得到的钽氮化物膜的等离子增强的化学气相沉积方法

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电镀与涂饰 2002年第5期21卷 64-64页

利用等离子体辅助热丝化学气相沉积方法合成出硼碳氮单壁纳米管

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中国基础科学 2006年第4期8卷 61-61页

中科院物理所北京凝聚态物理国家实验室（筹）王恩哥研究小组采用等离子体辅助热丝化学气相沉积生长技术，通过设计具有高选择性的催化剂材料，系统优化生长参数，首次实现了硼碳氮单壁纳米管结构的直接合成。他们并与日本国立材料科学... 详细信息

中科院物理所北京凝聚态物理国家实验室（筹）王恩哥研究小组采用等离子体辅助热丝化学气相沉积生长技术，通过设计具有高选择性的催化剂材料，系统优化生长参数，首次实现了硼碳氮单壁纳米管结构的直接合成。他们并与日本国立材料科学研究所***研究组合作对其进行了结构表征，结果表明他们得到的单壁纳米管是结构完整、硼和氮含量较高的三元共价硼碳氮单壁纳米管。

关键词：热丝化学气相沉积单壁纳米管等离子体辅助化学气相沉积方法直接合成碳氮日本国立材料科学研究所凝聚态物理纳米管结构硼

CN200610024508．0在复杂形状刀具上制备金刚石薄膜的化学气相沉积方法

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磨料磨具通讯 2007年第8期 36-36页

一种镀覆技术领域的在复杂形状刀具上制备金刚石薄膜的化学气相沉积方法，在热丝CVD沉积金刚石薄膜的基础上，采用螺旋形热丝结构进行复杂形状刀具金刚石涂层的沉积，将复杂形状刀具竖直放入螺旋形热丝结构的内部，其轴心和螺旋形热丝... 详细信息

一种镀覆技术领域的在复杂形状刀具上制备金刚石薄膜的化学气相沉积方法，在热丝CVD沉积金刚石薄膜的基础上，采用螺旋形热丝结构进行复杂形状刀具金刚石涂层的沉积，将复杂形状刀具竖直放入螺旋形热丝结构的内部，其轴心和螺旋形热丝结构的中心相重合，在沉积过程中，复杂形状刀具自身通过设备工作台绕其轴心旋转，采用螺旋形热丝结构保证了复杂形状刀具各部分与热丝之间的距离均匀，

关键词：化学气相沉积方法复杂形状刀具金刚石薄膜制备热丝CVD 金刚石涂层螺旋形沉积过程

一种金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积方法及装置

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化学分析计量 2018年第1期27卷 67-67页

本发明提供了一种利用磁控技术提高金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积设备沉积速率的方法和装置。该方法包含以下步骤:在微波等离子体化学气相沉积工艺中利用磁场形成电子捕集阱,电子在捕集阱的约束下,在衬底上方固定区域作封闭的曲... 详细信息

本发明提供了一种利用磁控技术提高金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积设备沉积速率的方法和装置。该方法包含以下步骤:在微波等离子体化学气相沉积工艺中利用磁场形成电子捕集阱,电子在捕集阱的约束下,在衬底上方固定区域作封闭的曲线运动,电子在运动过程中碰撞反应气体碰撞生成前驱反应基团和石墨组织抑制基团,从而提高反应基团浓度,实现金刚石薄膜沉积速率的提高。使用该方法的反应腔装置由微波源、螺钉调配器、定向耦合器、同轴天线、波导装置、调节活塞、谐振腔、石英罩、磁场发生装置等组成。本发明优点是可以显著提高金刚石微波等离子体化学气相沉积工艺的薄膜沉积速率,工艺和装置简单,便于实施。

关键词：化学气相沉积方法微波等离子体金刚石薄膜装置反应气体沉积速率沉积工艺沉积设备

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碳纳米管氧化成环制备研究

物理学报 2005年第8期54卷 3734-3739页

作者：张萍李萍剑侯士敏张琦锋吴锦雷北京大学电子学系北京100871

采用化学气相沉积方法制备的碳纳米管,用酸溶液进行弱氧化处理,经适当温度在大气中烧灼后碳纳米管发生弯曲,在样品中出现大量的环状结构.利用原子力显微镜、透射电子显微镜和扫描电子显微镜对典型环直径为300nm的碳纳米管环进行了表征.... 详细信息

采用化学气相沉积方法制备的碳纳米管,用酸溶液进行弱氧化处理,经适当温度在大气中烧灼后碳纳米管发生弯曲,在样品中出现大量的环状结构.利用原子力显微镜、透射电子显微镜和扫描电子显微镜对典型环直径为300nm的碳纳米管环进行了表征.烧灼温度和烧灼时间对环的结构和产率有重要的影响.实验数据统计结果表明,烧灼温度在510—530℃区间内可得到超过40%的碳纳米管环产率,并且烧灼时间延长到120min有利于提高碳纳米管环的产率.在加热情况下,碳纳米管端结合的羧基官能团脱水成酯,导致弯曲的碳纳米管结合成环.

关键词：碳纳米管制备研究成环化学气相沉积方法扫描电子显微镜透射电子显微镜原子力显微镜氧化处理环状结构数据统计酸溶液温度产率官能团弯曲时间直径区间酯

化学气相沉积(CVD)金刚石技术及产业分析——21世纪新材料CVD金刚石

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新材料产业 2008年第8期 49-54页

作者：董长顺玄真武石岩秦松岩北京天地东方超硬材料股份有限公司

20世纪80年代以来，世界范围内掀起了一股利用化学气相沉积（Cheroical Vapor Deposition-CVD）方法制备金刚石材料的科技研发浪潮，新方法制备的金刚石材料几乎实现了天然单晶金刚石的全部特性，被认为是未来最具发展前景、能够实现金... 详细信息

20世纪80年代以来，世界范围内掀起了一股利用化学气相沉积（Cheroical Vapor Deposition-CVD）方法制备金刚石材料的科技研发浪潮，新方法制备的金刚石材料几乎实现了天然单晶金刚石的全部特性，被认为是未来最具发展前景、能够实现金刚石全方位功能应用的新金刚石材料。利用化学气相沉积方法合成金刚石材料的技术最早起源可追溯到20世纪50—60年代，

关键词：化学气相沉积方法 CVD金刚石产业分析技术新材料金刚石材料天然单晶金刚石世界范围

Fast growth of graphene on SiO2/Si substrates by atmospheric pressure chemical vapor deposition with floating metal catalysts

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Science China Chemistry 2016年第6期59卷 707-712页

作者： Na Liu Jia Zhang Yunfeng Qiu Jie Yang PingAn Hu School of Chemical Engineering and Technology Harbin Institute of TechnologyHarbin 150001China Key Laboratory of Micro-systems and Micro-structures Manufacturing Ministry of EducationHarbin Institute of TechnologyHarbin 150080China

Graphene on dielectric substrates is essential for its electronic applications. Graphene is typically synthesized on the surface of metal and then transferred to an appropriate substrate for fabricating device applications. This post growth transfer process is detrimental to the quality and performance of the as-grown graphene. Therefore, direct growth of graphene films on dielectric substrates without any transfer process is highly desirable. However, fast growth of graphene on dielectric substrates remains challenging. Here, we demonstrate a transfer-free chemical vapor deposition (CVD) method to directly grow graphene films on dielectric substrates at fast growth rate using Cu as floating catalyst. A large area (centimeter level) graphene can be grown within 15 min using this CVD method, which is increased by 500 times compared to other direct CVD growth on dielectric substrate in the literatures. This research presents a significant progress in transfer-free growth of graphene and graphene device applications.

关键词：化学气相沉积法快速生长催化剂石墨二氧化硅硅衬底金属基化学气相沉积方法

Photoluminescence and surface photovoltage properties of Zn Se nanoribbons

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Science Bulletin 2015年第19期60卷 1674-1679页

作者： Chao Fan Qinglin Zhang Xiaoli Zhu Xiujuan Zhuang Anlian Pan Key Laboratory for Micro Nano Physics and Technology of Hunan Province School of Physics and Electronic ScienceHunan University

Zn Se nanoribbons were synthesized with chemical vapor deposition route. The excitation power-dependent photoluminescence and surface photovoltage(SPV) techniques were used to study the optoelectronic properties of the as-grown Zn Se nanoribbons. Three deep defect(DD)-related emission bands, respectively, centered at 623 nm(DD1), 563 nm(DD2)and 525 nm(DD3), emerge orderly with increasing the excitation power, which is attributed to the saturation of the DD states from deeper to shallower level. The SPV spectrum and the corresponding phase spectrum show that DD1 mainly acts as recombination center, while DD2 and DD3 can act as both the recombination center and electron traps. The influence of the trapping electrons on the SPV response dynamic was studied with transient SPV.

关键词： ZnSe 表面光伏特性纳米带光致发光化学气相沉积方法复合中心电子陷阱表面光电压