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主题

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  • 2 篇 应用
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机构

  • 7 篇 西北核技术研究所
  • 2 篇 上海交通大学
  • 2 篇 西安电力电子技术...
  • 2 篇 西安卫光科技有限...
  • 1 篇 东南大学
  • 1 篇 西安交通大学
  • 1 篇 电子科技大学
  • 1 篇 英飞凌科技
  • 1 篇 北方工业大学

作者

  • 7 篇 王燕萍
  • 7 篇 耿斌
  • 7 篇 唐本奇
  • 4 篇 陈晓华
  • 2 篇 刘文辉
  • 2 篇 杨海亮
  • 2 篇 徐国治
  • 2 篇 潘志斌
  • 2 篇 杜凯
  • 1 篇 dean henderson
  • 1 篇 李志奇
  • 1 篇 贺朝会
  • 1 篇 崔雨风
  • 1 篇 沈昂
  • 1 篇 christian wald
  • 1 篇 刘光廷
  • 1 篇 靳辉凯
  • 1 篇 郭超

语言

  • 20 篇 中文
检索条件"主题词=功率MOS器件"
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功率mos器件单粒子烧毁效应的PSPICE模拟
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核电子学与探测技术 1999年 第6期19卷 422-427页
作者： 唐本奇 王燕萍 耿斌 陈晓华 杨海亮 西北核技术研究所 西安710024
建立了功率ＭＯＳ器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法， 对功率ＭＯＳ器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和ＰＳＰＩＣＥ模拟，模拟结果与文献中提供的数据相符合，表明所建立的器件模型和模拟方法是... 详细信息
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功率mos器件单粒子栅穿效应的等效电路模拟方法
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计算物理 2000年 第1期17卷 77-81页
作者： 唐本奇 王燕萍 耿斌 陈晓华 西北核技术研究所 陕西西安710024
根据电路模拟软件PSPICE内建元器件模型 ,建立了功率mos器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法 ,对VDmos器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 。
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功率mos器件单粒子栅穿效应的PSPICE模拟
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原子能科学技术 2000年 第2期34卷 161-165页
作者： 唐本奇 王燕萍 耿斌 陈晓华 西北核技术研究所 陕西西安710024
建立了功率mos器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法 ,对VDmos器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 。
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功率mos器件SEB、SEGR测量系统的研制
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核电子学与探测技术 2001年 第3期21卷 217-219页
作者： 王燕萍 唐本奇 耿斌 杜凯 西北核技术研究所 西安电力电子技术研究所 陕西西安710061
研制了功率 mos器件单粒子烧毁、单粒子栅穿辐照效应实验用的电流测量及电源系统 ,该系统由栅极电源电路、漏极电源电路、漏极 RC振荡电路和 DUT栅极触发电路组成 ,具有栅 (漏 )极电压偏置、电流测量、过流保护、电容电阻选择等功能 ,... 详细信息
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功率mos器件安全工作区的修正方法
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微电子学与计算机 1992年 第4期9卷 7-8页
作者： 徐国治 潘志斌 西安交通大学信息与控制工程系 710049
本文以功率mos器件(IRF440)为例。给出了安全工作区在实际工作条件下的修正步骤及SOA曲线的修正结果。
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功率mos器件模型的研究
功率MOS器件模型的研究
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作者： 靳辉凯 北方工业大学
学位级别：硕士
功率mos是在集成电路工艺基础上发展起来的新一代电力电子开关器件。LDmos器件和VDmos器件是功率mos的典型代表,也是功率集成电路技术研究和实现的主流器件。但是目前的功率mos并没有成熟的等效电路模型,所以,建立用于电路仿真的功率mos... 详细信息
来源： 同方学位论文库 同方学位论文库 评论
功率mos器件安全工作区的修正方法
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电子产品可靠性与环境试验 1992年 第5期10卷 27-28页
作者： 徐国治 潘志斌
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高压功率mos器件终端结构计算机模拟的物理模型
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电子器件 1995年 第2期18卷 65-75页
作者： 刘光廷 东南大学电子工程系
对高压ＭＯＳ功率器件的设计而言，结终端结构的设计是至关重要的一环。由于电压不断提高，终端结构亦更加复杂、传统的设计方法已不再运用。因此，本文对新的设计手段──计算机模拟进行了详细地研究。首先建立了一套适用于终端结构模... 详细信息
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打破技术垄断 比亚迪自主研发碳化硅功率mos器件
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半导体信息 2017年 第5期 3-6页
碳化硅材料以其优异的性能被行业列为第三代半导体材料,其击穿场强是硅的10倍,热导率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的mos器件可在大于200度的高温环境下工作,具有极低的开关损耗和高频工作能力,减小模块的体积和重量,显著提高系统的效... 详细信息
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功率mos、IGBT单粒子烧毁、栅穿效应模拟实验研究
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核电子学与探测技术 2001年 第5期21卷 344-347页
作者： 唐本奇 王燕萍 耿斌 西北核技术研究所 西安69信箱陕西西安710024
建立了利用2 52 Cf裂片源 ,模拟空间重离子引起的单粒子烧毁、栅穿效应的实验方法和测试装置 ,开展了功率 mos器件、IGBT的单粒子烧毁、栅穿效应的模拟试验研究 ,给出了被试器件单粒子烧毁、栅穿效应的损伤阈值 。
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