功率MOS器件单粒子烧毁效应的PSPICE模拟
PSPICE Simulation for Single Event Burnout of Power MOSFETs作者机构：西北核技术研究所西安710024
出 版 物：《核电子学与探测技术》 (Nuclear Electronics & Detection Technology)
年 卷 期：1999年第19卷第6期
页 面：422-427页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：功率MOS器件 电路模拟 PSPICE模拟 单粒子烧毁效应 电路模型
摘 要：建立了功率ＭＯＳ器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法， 对功率ＭＯＳ器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和ＰＳＰＩＣＥ模拟，模拟结果与文献中提供的数据相符合，表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的。
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