检索结果-南通市图书馆

1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管

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固体电子学研究与进展 2012年第4期32卷 356-360,397页

作者：王因生丁晓明蒋幼泉傅义珠王佃利王志楠盛国兴严德圣南京电子器件研究所南京210016

介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功... 详细信息

介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功率增益大于8.75dB,效率大于55%。

关键词：硅微波功率管镇流电阻

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逆变器功率管开路故障诊断方法综述

电源学报 2023年第3期21卷 156-169页

作者：王晓鹏姚帅亮姚芳董超群省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室(河北工业大学电气工程学院) 天津300132 河北省电磁场与电器可靠性重点实验室(河北工业大学电气工程学院) 天津300132 国网新源张家口风光储示范电站有限公司张家口075000

作为各种新能源发电设备和驱动系统的核心部分,逆变器的安全性和可靠性对整个系统的安全稳定运行至关重要。近年来,高电压等级、高功率密度和高集成化的逆变器已成发展趋势,但增加更多的开关器件也会增大其故障概率,因此,采取快速有效... 详细信息

作为各种新能源发电设备和驱动系统的核心部分,逆变器的安全性和可靠性对整个系统的安全稳定运行至关重要。近年来,高电压等级、高功率密度和高集成化的逆变器已成发展趋势,但增加更多的开关器件也会增大其故障概率,因此,采取快速有效的方法对逆变器的故障进行诊断十分重要。针对逆变器功率管故障诊断,目前的分类方法主要分为基于解析模型、基于信号处理和基于数据驱动3种。为使诊断方法分类简单直观,从实际电路中检测变量的角度,在电流、电压和功率3个方面对国内外文献进行整理,阐述了各类方法的原理、适用范围和优缺点,最后概述了逆变器故障诊断的难点和未来的发展趋势。

关键词：逆变器功率管开路故障故障诊断故障隔离

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功率管关断瞬间尖峰电压的抑制方法

电气应用 2005年第8期24卷 i0035-i0037页

作者：胡炎申谢运祥华南理工大学电力学院雅达电源实验室 510640

针对反激式变换器功率管关断瞬间出现的尖峰电压问题,提出了两种抑制方法,即设计适当的电压钳位模式RCDClamp电路和降低主变压器漏感。

关键词：电压钳位缓冲器漏感尖峰电压抑制方法功率管瞬间关断反激式变换器主变压器

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S波段200 W硅LDMOS功率管研制

固体电子学研究与进展 2019年第5期39卷 333-338页

作者：刘洪军赵杨杨鞠久贵杨兴王佃利杨勇南京电子器件研究所

研制了具有高频高增益特性的硅LDMOS芯片,采用0.35μm精细栅实现高频率性能,CoSi2/PolySi栅工艺技术降低电阻,Ti/W金属场板优化漂移区电场分布降低反馈电容,并采用等平面工艺技术提高芯片一致性。采取参数仿真优化内匹配设计,并通过多个... 详细信息

研制了具有高频高增益特性的硅LDMOS芯片,采用0.35μm精细栅实现高频率性能,CoSi2/PolySi栅工艺技术降低电阻,Ti/W金属场板优化漂移区电场分布降低反馈电容,并采用等平面工艺技术提高芯片一致性。采取参数仿真优化内匹配设计,并通过多个LDMOS芯片合成实现大功率输出。最终实现的S波段大功率硅LDMOS器件性能为:在32 V工作电压,3.1~3.5 GHz频带内,300μs脉宽,15%占空比的工作条件下,输出功率大于200 W,增益大于9 dB,效率大于42%。

关键词：硅横向扩散金属-氧化物-半导体 S波段功率管

C波段3.5W/mm,PAE>40%的InGaP/GaAs HBT功率管

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Journal of Semiconductors 2006年第9期27卷 1612-1615页

作者：申华军陈延湖严北平葛霁王显泰刘新宇吴德馨中国科学院微电子研究所北京100029

通过优化InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的材料结构和器件结构,采用BE金属自对准、发射极镇流和电镀空气桥等工艺技术,研制了C波段InGaP/GaAsHBT功率管.其击穿电压BVCBO大于31V,BVCEO大于21V;在5.4GHz时连续波(CW)饱和输出功率达到1.... 详细信息

通过优化InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的材料结构和器件结构,采用BE金属自对准、发射极镇流和电镀空气桥等工艺技术,研制了C波段InGaP/GaAsHBT功率管.其击穿电压BVCBO大于31V,BVCEO大于21V;在5.4GHz时连续波(CW)饱和输出功率达到1.4W,功率密度达到3.5W/mm,功率附加效率(PAE)大于40%.

关键词： InGaP/GaAs 异质结双极晶体管功率管

1．46～1．66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管

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Journal of Semiconductors 2008年第5期29卷 965-969页

作者：王因生李相光傅义珠王佃利丁晓明盛国兴康小虎南京电子器件研究所南京210016

报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果．该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在1．46～1．66GHz频带内，脉宽200μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出... 详细信息

报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果．该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术，器件在1．46～1．66GHz频带内，脉宽200μs，占空比10％和40V工作电压下，全带内脉冲输出功率大于250W，功率增益大于7．0dB，效率大于45％．

关键词：硅微波功率管

基于NMOS功率管的Buck-Boost效率提升方法

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电力电子技术 2022年第4期56卷 105-108页

作者：郭仲杰曹喜涛陈浩刘申西安理工大学自动化与信息工程学院陕西西安710048

为使有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器最大限度的节省电源消耗,延长电池寿命,传统的P型金属氧化物半导体(PMOS)功率管需要较大的面积来减小开关损耗。针对上述问题,提出了基于N型金属氧化物半导体(NMOS)功率管的Buck-Boost转换结构... 详细信息

为使有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器最大限度的节省电源消耗,延长电池寿命,传统的P型金属氧化物半导体(PMOS)功率管需要较大的面积来减小开关损耗。针对上述问题,提出了基于N型金属氧化物半导体(NMOS)功率管的Buck-Boost转换结构,与同等宽长比的PMOS相比,NMOS作为功率管大幅降低了开关管的导通损耗,提升了系统转换效率;同时设计了一种恒定的NMOS功率管栅极驱动电路,保证功率管充分导通。采用所提结构实现了一款峰值电流模脉宽调制(PWM)控制的Buck-Boost型DC/DC转换器,验证结果显示输入电压为3.7 V,输出电压为-4 V,负载电流在35~200 mA范围内,转换效率维持在91%以上,为高效AMOLED的显示技术提供了有效的解决方案。

关键词：功率管驱动电路脉宽调制效率

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抗总剂量辐射华夫饼功率管版图设计

太赫兹科学与电子信息学报 2019年第4期17卷 730-734页

作者：周枭罗萍何林彦肖天成电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

功率管在空间辐射环境下会发生沟道边缘漏电,导致功率集成电路性能退化。介绍了一种0.35μm单片集成(BCD)工艺下基于华夫饼结构的全新功率管版图,并对普通条形栅结构N沟道功率管和新型华夫饼结构N沟道功率管进行了Co-60辐射实验。总剂... 详细信息

功率管在空间辐射环境下会发生沟道边缘漏电,导致功率集成电路性能退化。介绍了一种0.35μm单片集成(BCD)工艺下基于华夫饼结构的全新功率管版图,并对普通条形栅结构N沟道功率管和新型华夫饼结构N沟道功率管进行了Co-60辐射实验。总剂量辐射使N沟道条形栅功率管发生漏电。辐射实验结果表明,经过无边缘化处理的华夫饼结构可以有效控制总剂量辐射诱发的漏电,能够大幅提升功率管的抗总剂量辐射能力。

关键词：总剂量辐射功率管华夫饼结构漏电流

三相四线T-type整流器功率管开路故障诊断算法研究

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三相四线T-type整流器功率管开路故障诊断算法研究

作者：吴祉汐华中科技大学

学位级别：硕士

功率变换器是实现电能高效利用的核心设备,被广泛应用于电动汽车、航空航天、新能源、数控机床、化工冶炼等领域。随着科技水平的不断提升和人类对生存环境的不断探索,日益恶劣、复杂的工况对功率变换器可靠性要求越来越高。故障诊断技... 详细信息

功率变换器是实现电能高效利用的核心设备,被广泛应用于电动汽车、航空航天、新能源、数控机床、化工冶炼等领域。随着科技水平的不断提升和人类对生存环境的不断探索,日益恶劣、复杂的工况对功率变换器可靠性要求越来越高。故障诊断技术是提升功率变换器可靠性的重要手段,其对故障器件进行检测与定位,从而为维护决策、容错控制提供依据,保证了设备的安全性、可靠性、经济性以及无人化作业的能力。本文以三相四线T-type整流器为研究对象,对其功率管开路故障诊断方法展开一系列研究。本文介绍了三相四线T-type整流器系统的双闭环控制和SVPWM调制原理,分析了上桥臂、下桥臂和中桥臂功率管故障下电容电压和相电流的畸变特性。以电容电压作为故障特征量提出了基于电容电压对称性的中桥臂功率管故障诊断算法。该算法根据电容电压的三次波动的性质和对称性,结合电网锁相环得到的相位信息,可对三相中桥臂共六种功率管故障进行诊断。为了提高诊断算法的鲁棒性,提出了基于波动周期内的峰值构造具有自适应能力的诊断阈值。本文以相电流作为故障特征量设计了基于零电流的涵盖上桥臂、下桥臂和中桥臂功率管故障诊断算法。首先提出了零电流的概念用于实现故障检测。针对故障管的定位提出了分级判断的策略:结合故障检测时刻对应电网电压的极性信息判断第一级故障;计算重叠零电流区间来设计合理的自适应变化的故障定位阈值,判断第二级故障,用于区分中桥臂和上下桥臂功率管故障之间的故障相似性。该算法可对十二种单管故障类型进行诊断。本文搭建了三相四线T-type整流器Matlab/Simulink故障仿真平台对所提出的两种算法进行仿真验证,参与构建了物理实验平台,并开展了物理实验验证。仿真和实验结果表明,本文所提出的故障诊断算法能准确、快速诊断出功率管开路故障,且对变压变载、电网谐波等具有强鲁棒性,具有重要的工程应用价值。

关键词：三相四线T-type整流器功率管故障诊断电容电压对称性零电流