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微结构传感器芯片划切工艺优化

信息技术 2013年第7期37卷 182-184页

作者：王江陈苗岐中国电子科技集团公司第四十九研究所芯片与微系统工程中心哈尔滨150001

MEMS传感器技术的发展,伴随着新结构、新材料、新工艺应用在晶圆制造中[1]。这对封装核心工序的划片工艺提出了很大挑战。主要通过芯片划切过程中容易出现的几个异常现象对微结构敏感芯片划切过程中的破片进行分析,提出了一些解决微结... 详细信息

MEMS传感器技术的发展,伴随着新结构、新材料、新工艺应用在晶圆制造中[1]。这对封装核心工序的划片工艺提出了很大挑战。主要通过芯片划切过程中容易出现的几个异常现象对微结构敏感芯片划切过程中的破片进行分析,提出了一些解决微结构芯片划切过程中存在问题的办法,并进行了划切参数的优化。

关键词：划切芯片优化

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在台钻上划切圆形工件的工装

机械制造 1996年第4期34卷 33-33页

作者：宋正忠赵斯庚江苏连云港变压器厂 222003

在生产或维修工作中,常常需加工圆形胶垫、纸垫或在薄材料(小于3m)上开孔,这些加工对于钻削或套料均不合适,原因主要是材料刚性太差。为解决这个问题,我们设计了图示这种在台钻上划切圆形工件的工装。它具有自动夹紧,加工尺寸无级可调,... 详细信息

在生产或维修工作中,常常需加工圆形胶垫、纸垫或在薄材料(小于3m)上开孔,这些加工对于钻削或套料均不合适,原因主要是材料刚性太差。为解决这个问题,我们设计了图示这种在台钻上划切圆形工件的工装。它具有自动夹紧,加工尺寸无级可调,加工刚性差的工件不变形等优点。使用方法:把外壳4的锥柄插入台钻的主轴孔,把需要加工的工件放在木垫上调好位置。

关键词：划切台钻圆形工件

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制样方法对薄膜拉伸性能检测结果的影响研究

中国塑料 2011年第8期25卷 91-93页

作者：黄伟红河州质量技术监督综合检测中心云南蒙自661100

通过显微镜观测、原理解析和实测比对,对薄膜拉伸试验中常用的冲切和划切(切割)制样方法及其对检测结果的影响进行了对比分析和验证。结果表明,冲切制样方法不适用于薄膜拉伸试验。

关键词：塑料薄膜拉伸试验制样方法冲切划切

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高亮度LED晶圆紫外激光划片技术研究

高亮度LED晶圆紫外激光划片技术研究

作者：黄欢哈尔滨工业大学

学位级别：硕士

蓝宝石和碳化硅等材料是当今主流的用于Ⅲ-Ⅴ价半导体(氮化镓、砷化镓等)外延生长的基体材料。使用它们可以制造出许多高性能的光电器件,如高亮度发光二极管(LED)等。然而,这两种材料具有的高硬度和化学稳定性等特性,使得以它们为基体... 详细信息

蓝宝石和碳化硅等材料是当今主流的用于Ⅲ-Ⅴ价半导体(氮化镓、砷化镓等)外延生长的基体材料。使用它们可以制造出许多高性能的光电器件,如高亮度发光二极管(LED)等。然而,这两种材料具有的高硬度和化学稳定性等特性,使得以它们为基体制造的晶圆很难用传统的机械加工和红外激光加工等方法进行分离。另外,随着光电器件的微型化,对这些材料的划片技术提出了更高的要求。本论文对紫外激光应用于蓝宝石晶圆和碳化硅等材料的划切加工技术进行了部分理论与试验研究工作。首先,介绍了晶圆材料对紫外激光的吸收机制;分析了紫外激光与晶圆材料的作用过程中发生的光热作用、光化学作用和等离子体的产生和屏蔽效应;总结了紫外激光与晶圆材料作用的几种理论模型:光化学模型、光热模型和SSB模型;并对SSB模型进行了修正,建立了修正的SSB模型。然后,利用数值模拟和有限元仿真的方法分别对紫外激光与蓝宝石晶圆相互作用过程中的光化学消融作用和光热消融作用进行了仿真研究,初步研究了紫外激光与蓝宝石晶圆的相互作用规律。最后,利用紫外激光加工系统,进行了蓝宝石晶圆和碳化硅划切工艺试验。研究了紫外激光划切工艺中,入射激光能量密度、激光脉冲重复频率、扫描速度等参数对划切深度、宽度、表面质量影响。论文得到的紫外激光与晶圆材料相互作用的机理及划切的加工参数对加工结果的影响,对应用紫外激光划切晶圆具有重要的意义。

关键词：紫外激光蓝宝石晶圆碳化硅划切

Cu-Sn-Ti金属结合剂超薄砂轮的制备与切割评价

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Cu-Sn-Ti金属结合剂超薄砂轮的制备与切割评价

作者：张飞华侨大学

学位级别：硕士

在半导体芯片的制造过程中,晶圆划切和封装体的划切是必不可少的步骤,而金刚石超薄砂轮切割可控性较强,操作十分便捷,是目前应用最多的晶圆和封装体划切的方法。金属结合剂超薄砂轮的力学性能可调节范围广,硬度大,寿命高,是目前应用较... 详细信息

在半导体芯片的制造过程中,晶圆划切和封装体的划切是必不可少的步骤,而金刚石超薄砂轮切割可控性较强,操作十分便捷,是目前应用最多的晶圆和封装体划切的方法。金属结合剂超薄砂轮的力学性能可调节范围广,硬度大,寿命高,是目前应用较广泛、研究较活跃的结合剂体系。随着半导体芯片越来越趋向于小型化、轻型化发展,而且为了满足高密度封装的要求,金刚石超薄砂轮的厚度需要尽可能的减薄,这对超薄砂轮的力学性能提出了更高的要求。因此,本论文从Cu-Sn-Ti结合剂的力学性能出发,通过对不同温度下结合剂的三点弯曲强度、硬度以及孔隙率进行测量,选择最佳的烧结温度以及最佳的结合剂配比,成功制备了厚度为50μm的Cu-Sn-Ti金刚石超薄砂轮。并且通过对单抛硅片的划切,探究了Cu-Sn-Ti金刚石超薄砂轮的切割性能以及刀具寿命。本论文的主要研究内容以及结论如下:(1)通过对不同烧结温度下Cu-Sn-Ti金属结合剂力学性能以及微观组织的研究,确定了金刚石超薄砂轮的烧结温度,以及最佳的Cu-Sn-Ti结合剂配比。(2)探索了Cu-Sn-Ti金属结合剂金刚石超薄砂轮的制备工艺,分别为混粉、刮刀、冷压、烧结、减薄以及内外圆的修整,成功制备了Cu-Sn-Ti金属结合剂金刚石超薄砂轮,并成功的将超薄砂轮的厚度减薄至50μm。(3)Cu-Sn-Ti金属结合剂金刚石超薄砂轮对单抛硅片进行划切时,刀具的进给速度对切割质量影响最大,切割深度次之,主轴转速的影响较小,且单抛硅片正面产生的崩边远大于背面的崩边。(4)通过与商业的超薄砂轮切割对比发现,Cu-Sn-Ti金属结合剂金刚石超薄砂轮与商业的超薄砂轮拥有相差不大的切割质量,但是超薄砂轮的寿命要高。(5)Cu-Sn-Ti金属结合剂超薄砂轮对K9玻璃以及碳化硅晶圆都有较好的切割质量。

关键词： Cu-Sn-Ti 超薄砂轮划切硅片崩边

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微水导激光划片工艺原理及应用

电子工业专用设备 2008年第3期37卷 27-31,49页

作者：王宏智中国电子科技集团公司第四十五研究所北京东燕郊101601

从应用需求出发,介绍了微水导激光划片工艺的主要原理和特点;对其关键工艺机构中的光学聚焦系统、激光在水柱中的全反射传播、激光系统、压力水腔和喷嘴组成的光液耦合器等原理进行了简单分析和介绍;对微水导激光划片工艺的应用前景进... 详细信息

从应用需求出发,介绍了微水导激光划片工艺的主要原理和特点;对其关键工艺机构中的光学聚焦系统、激光在水柱中的全反射传播、激光系统、压力水腔和喷嘴组成的光液耦合器等原理进行了简单分析和介绍;对微水导激光划片工艺的应用前景进行了总结和展望。

关键词：微水导激光光液耦合划切微水柱热熔效应超薄晶圆 Low—K介质层 LED衬底

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小尺寸芯片电容加工工艺研究

电子工艺技术 2019年第5期40卷 288-290页

作者：徐亚新梁广华魏浩赵飞庄治学周拥华何超中国电子科技集团公司第五十四研究所

研究了小尺寸芯片电容的仿真以及加工工艺,分析了芯片电容的边界效应,优化了加工过程中的关键工艺。在此基础上加工出一种小尺寸芯片电容,并进行了性能测试,达到了使用要求,对小尺寸芯片电容的加工制造具有较好的借鉴意义。

关键词：芯片电容边界效应划切

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稀土专利摘编

稀土信息 2023年第12期 36-37页

一种铋取代稀土铁石榴石的划切方法申请号:CN202210792208.6(公开)日期:2022.12.02申请(专利权)人:电子科技大学一种铋取代稀土铁石榴石的划切方法,属于光通讯器件技术领域。包括以下步骤:1)采用液相外延法在SGGG基片上制备Bi取代稀土... 详细信息

一种铋取代稀土铁石榴石的划切方法申请号:CN202210792208.6(公开)日期:2022.12.02申请(专利权)人:电子科技大学一种铋取代稀土铁石榴石的划切方法,属于光通讯器件技术领域。包括以下步骤:1)采用液相外延法在SGGG基片上制备Bi取代稀土类铁石榴石单晶膜,得到带单晶膜的SGGG基片;2)通过在蓝膜上黏贴软弹性垫后再将带单晶膜的SGGG基片固定于软弹性垫上,或者通过PDMS封装的方式,将带单晶膜的SGGG基片固定于蓝膜上;3)采用划片机将带单晶膜的SGGG基片切割为11毫米×11毫米的小片。本发明提出的一种铋取代稀土铁石榴石的划切方法,采用具有弹性的软体保护晶片,使晶片完美贴合软体,抑制晶片在切割过程中的振动和位移;同时通过软体缓冲晶片切割过程中产生的应力释放,有效防止了划切过程中的崩裂。

关键词：电子科技大学切割过程稀土类划切弹性垫应力释放蓝膜专利权

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牺牲层粘接的单层陶瓷电容器砂轮划片工艺

电子工艺技术 2017年第3期38卷 177-179页

作者：王进许延峰马子腾宋振国中国电子科技集团公司第四十一研究所山东青岛266555

单层陶瓷电容器电路尺寸小,加工精度高,划切过程中电容脱落、崩裂控制是加工制作的难点。通过对电容划切过程中脱落、崩裂问题进行详细的分析总结,找出问题所在。重点介绍了一种强力胶粘接,牺牲层剥离的划切技术方法。通过试验结果表明... 详细信息

单层陶瓷电容器电路尺寸小,加工精度高,划切过程中电容脱落、崩裂控制是加工制作的难点。通过对电容划切过程中脱落、崩裂问题进行详细的分析总结,找出问题所在。重点介绍了一种强力胶粘接,牺牲层剥离的划切技术方法。通过试验结果表明该技术能够很好解决单层陶瓷电容器划切脱落、崩裂问题,提高了单层陶瓷电容器的划切品质和良品率。

关键词：划切粘接崩裂脱落