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  • 14 篇 期刊文献

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  • 14 篇 电子文献
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学科分类号

  • 4 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程(可...
    • 2 篇 电气工程
    • 2 篇 电子科学与技术(可...
  • 2 篇 经济学
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  • 2 篇 教育学
    • 1 篇 教育学
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  • 1 篇 医学
    • 1 篇 临床医学
  • 1 篇 管理学
    • 1 篇 工商管理

主题

  • 14 篇 分压环
  • 4 篇 加速管
  • 3 篇 高压电极
  • 3 篇 静电加速器
  • 3 篇 高压加速器
  • 3 篇 范德格喇夫加速器
  • 2 篇 场板
  • 2 篇 电流
  • 2 篇 离子源
  • 2 篇 中子发生器
  • 2 篇 中子产额
  • 2 篇 电场分布
  • 2 篇 粒子源
  • 2 篇 电子枪
  • 2 篇 钢筒
  • 2 篇 vdmos
  • 2 篇 结深
  • 2 篇 击穿电压
  • 1 篇 加速电压
  • 1 篇 开关晶体管

机构

  • 1 篇 华中理工大学
  • 1 篇 上海科技大学
  • 1 篇 华越微电子有限公...

作者

  • 2 篇 钱云龙
  • 1 篇 王有玕
  • 1 篇 许方官
  • 1 篇 邓雨生
  • 1 篇 孙承贤
  • 1 篇 班明德
  • 1 篇 段绍林
  • 1 篇 秦祖新
  • 1 篇 张之津
  • 1 篇 夏德君
  • 1 篇 王述元
  • 1 篇 金德宣
  • 1 篇 欧文
  • 1 篇 李宏杨
  • 1 篇 刘三清
  • 1 篇 白宏光
  • 1 篇 石成儒
  • 1 篇 鄢细根
  • 1 篇 应建华
  • 1 篇 闵继堂

语言

  • 14 篇 中文
检索条件"主题词=分压环"
14 条 记 录,以下是1-10 订阅
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60万电子伏静电加速器调整中的几个问题
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河南师范大学学报(自然科学版) 1961年 第3期 1-10页
作者: 賈銘河
前言静电加速器,是利用高压静电场把带电粒子加速到高能量的装置,是原子能研究与应用中的基本设备之一。电子静电加速器,更可以作为β或γ辐射源,在工业上、农业上、医药卫生上、生物学上以及国民经济的其它方面,都有相当广泛的应用。自... 详细信息
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静电加速器电场计算
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原子能科学技术 1981年 第5期 525-535+518页
作者: 许方官
本文用解析方法系统地计算了静电加速器中各区域的电场,得到了高压电极上部电场的均匀化条件。计算表明,为了降低分压环的电场,迭件柱的直径应小于钢筒直径的1/e,且应随着轴向电位梯度的增加而减小。计算还表明,文献[1]关于分压环截面... 详细信息
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电子静电加速器的运行情况
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原子能科学技术 1962年 第4期 247-255页
作者: 钱云龙 邓雨生 段绍林 王有玕
本文主要介绍中国科学院原子能研究所的电子静电加速器的运行情况。关于它的结构在以前已经有过介绍。加速的最高能量在1960年初曾达到过2兆电子伏,并用以产生中子,和用核反应Be~9(γ,n)Be~8进一步校正了电子束的能量。这架加速器通常... 详细信息
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彩电视放管的设计与制造工艺
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半导体技术 1985年 第5期 7-12页
作者: 金德宣 李宏杨
已经有许多作者对低频大功率晶体管和大电流型高频大功率晶体管的设计和制造问题进行过详细的研究,关于“高频高反压功率晶体管”方面的研究报告还不多见,作者在设计、试制了彩电视放管之后,觉得对这类晶体管的研制方面还有许多工作要做... 详细信息
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300千伏中子发生器的加速管
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兰州大学学报 1981年 第1期 46-53页
作者: 石成儒 张之津
本文介绍了300千伏中子发生器的加速管,该中子发生器能产生3×1011中子/秒的中子产额。
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吊环向前大回环的技术和教学方法
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中国体育科技 1978年 第Z2期 37-42页
作者: 夏德君 欧文(井力)
吊环向前大回环是吊环大摆类动作的典型动作,也是优秀体操运动员成套动作中不可缺少的C组动作。近年来我国优秀体操运动员都比较好的掌握了向后大回环,但向前大回环掌握得好的还不普遍,这是与向前大回环的技术困难程度有直接的联系,所... 详细信息
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电子静电加速器交流会议总结
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原子能科学技术 1966年 第1期 15-24页
作者: 钱云龙
一、引言1961年5月3日到5月14日在上海召开了有关电子静电加速器的技术经验交流及定型设计会议。参加会议的有上海、北京、天津、西安、兰州等地12个单位,共20余人。会议是在国家科学技术委员会的直接领导下进行的。参加这次会议的人数... 详细信息
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国外VMOS功率场效应管的解剖与分析
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半导体技术 1986年 第3期 61-64+55页
作者: 王德明 上海科技大学
自从具有纵向导电结构的MOS场效应管问世以来,MOS场效应管在功率和频率特性方面有了很大的突破。目前功率MOS场效应管所能承受的电压和电流已能与大功率双极型晶体管相提并论。加上功率MOS场效应管本身具有的特色,比如:高输入阻抗、高... 详细信息
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一台200keV中子发生器
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国防科技大学学报 1985年 第3期 95-98页
作者: 闵继堂 王述元
本文介绍一台200KeV中子发生器的调试结果:用200KeV,1.5mA氘束轰击氚钛靶,由(d,T)反应产生中子产额可达2×10;n/s;有效直径为20mm质量好的新靶,在160Kev,0.8mA下,中子产额5×10;n/s维持4小时。该发生器采用高频离子源,用普通高压电瓷... 详细信息
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浅谈平面高压VDMOS工艺平台发展
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电子质量 2014年 第3期 1-8,13页
作者: 鄢细根 华越微电子有限公司 浙江绍兴312000
该文从国内生产线的实际出发,简单介绍了目前国内主流功率VDMOS器件生产厂家所采用的平面高压VDMOS工艺平台,初步总结了当前各种成熟工艺平台具有的特点与优点,希望该文有助于国内同行之间相互借鉴与提高,目的是促进民族工业不断向前发展。
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