国外VMOS功率场效应管的解剖与分析
作者机构：上海科技大学
出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)
年 卷 期：1986年第3期
页 面：61-64+55页
主 题：场氧化层 钝化膜 光学薄膜 场效应管 VMOS 显微照片 结深 磨角 击穿电压 导通电阻 开关特性 分压环 电子管 功率管 漏极电流 栅极
摘 要：自从具有纵向导电结构的MOS场效应管问世以来,MOS场效应管在功率和频率特性方面有了很大的突破。目前功率MOS场效应管所能承受的电压和电流已能与大功率双极型晶体管相提并论。加上功率MOS场效应管本身具有的特色,比如:高输入阻抗、高功率增益、良好的热稳定性以及无二次击穿现象等等。这一系列的优点使得MOS场效应管在射频功率放大、
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