检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

类氢氖在高温高密度等离子体中的光谱漂移

强激光与粒子束 2006年第5期18卷 779-784页

作者：张丽李向东中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室

采用离子球模型,通过自洽求解Poisson方程和Dirac方程,得到氖的类氢离子低能级组态的能级能量随等离子体电子温度和电子密度的变化关系,进一步研究了等离子体电子温度和电子密度对光谱漂移的影响。结果表明:光谱漂移随着等离子体电子密... 详细信息

采用离子球模型,通过自洽求解Poisson方程和Dirac方程,得到氖的类氢离子低能级组态的能级能量随等离子体电子温度和电子密度的变化关系,进一步研究了等离子体电子温度和电子密度对光谱漂移的影响。结果表明:光谱漂移随着等离子体电子密度的增大而增大,随着电子温度的升高而减小;谱线精细结构分裂随着电子密度的增大而减小,随着电子温度的升高而增大。等离子体对束缚电子的屏蔽是决定光谱漂移的主要原因。这些变化规律不仅对等离子体光谱模拟结果产生影响,而且使实验上观测光谱的相对或绝对漂移成为可能,从而为高密度等离子体诊断的新方法提供了理论依据。

关键词：类氢离子等离子体光谱漂移精细结构分裂离子球模型

离子辅助沉积对ZnS/MgF_2滤光片光谱漂移的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

浙江大学学报（工学版） 2004年第11期38卷 1511-1514页

作者：鲁法珂顾培夫张德景浙江大学现代光学仪器国家重点实验室浙江杭州310027

采用霍尔源离子辅助沉积(IAD)技术制备了ZnS/MgF2多层膜窄带干涉滤光片,并与常规沉积条件下制备的样品作比较.结果发现离子辅助沉积明显减小了滤光片的光谱漂移,实测漂移小于0.5nm,光谱稳定性得到很大提高.计算了滤光片中MgF2膜层的聚... 详细信息

采用霍尔源离子辅助沉积(IAD)技术制备了ZnS/MgF2多层膜窄带干涉滤光片,并与常规沉积条件下制备的样品作比较.结果发现离子辅助沉积明显减小了滤光片的光谱漂移,实测漂移小于0.5nm,光谱稳定性得到很大提高.计算了滤光片中MgF2膜层的聚集密度,离子辅助沉积使MgF2膜的聚集密度从常规条件下的0.70提高到0.97,增幅达38%.间隔层对光谱漂移的影响最大,越远离间隔层的膜层,其影响越小.

关键词：离子辅助沉积 ZnS/MgF2 窄带滤光片光谱漂移聚集密度

一种减小聚合物阵列波导光栅光谱漂移的有效方法

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

光电子．激光 2008年第12期19卷 1599-1601页

作者：秦政坤马春生吉林师范大学四平136000 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区、吉林大学电子科学与工程学院长春130012

报道了一种在工艺制作过程中减小聚合物阵列波导光栅(AWG)器件光谱漂移的有效方法,通过调整波导芯层的旋涂转速来控制芯层的厚度进而可以有效地减小器件的光谱漂移。AWG器件的设计中心波长为1 550.918 nm,制作的AWG器件的实际中心波长为... 详细信息

报道了一种在工艺制作过程中减小聚合物阵列波导光栅(AWG)器件光谱漂移的有效方法,通过调整波导芯层的旋涂转速来控制芯层的厚度进而可以有效地减小器件的光谱漂移。AWG器件的设计中心波长为1 550.918 nm,制作的AWG器件的实际中心波长为1 550.85 nm,即利用该方法使传输光谱的漂移减小到0.07nm,远远小于波长间隔0.8 nm,改善了器件的解复用功能。

关键词：集成光学阵列波导光栅(AWG) 光谱漂移插入损耗串扰

碲化铅/硫化锌红外多层滤光片的光谱漂移研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

光学技术 1999年第4期25卷 65-67页

作者：熊玉卿李少梅罗崇泰刘定权黄良甫中国空间技术研究院兰州物理研究所甘肃广播电视大学数理部

采用碲化铅和硫化锌作为镀膜材料，研制了空间红外光学系统使用的红外多层带通滤光片。本文首次利用导纳轨迹图解技术，当在空间低温条件下使用时，对由碲化铅的折射率变化引起的光谱漂移机理进行了研究。根据多层膜各膜层间存在的光学... 详细信息

采用碲化铅和硫化锌作为镀膜材料，研制了空间红外光学系统使用的红外多层带通滤光片。本文首次利用导纳轨迹图解技术，当在空间低温条件下使用时，对由碲化铅的折射率变化引起的光谱漂移机理进行了研究。根据多层膜各膜层间存在的光学厚度的补偿效应，建立了光谱漂移模型。并对设计的滤光片采用对分法计算了它在低温条件下波长的漂移量，计算结果与研制出的滤光片实测结果吻合很好。并成功地将研究结果应用于滤光片的设计，对原设计结果进行了准确的修正，使得最终研制的滤光片在低温下完全满足使用要求。

关键词：滤光片光谱漂移低温红外光学系统

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

光干涉型甲烷测定器产生光谱漂移的原因

上海计量测试 2009年第3期36卷 14-16页

作者：韩雨寰神华新疆公司

甲烷测定器是煤矿企业安全生产必不可少的测定仪器,光干涉型甲烷测定器在使用过程中产生的"光谱漂移"问题,直接影响甲烷测定精度。该文解析其工作原理,罗列了光谱自动漂移的种种现象,分析其影响因素并对防止光谱漂移提出具体的措施。

关键词：甲烷测定器光谱漂移影响因素防止措施

离子辅助沉积对ZnS/MgF2窄带滤光片光谱漂移的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

离子辅助沉积对ZnS/MgF2窄带滤光片光谱漂移的影响

第四届华东真空科技学术交流展示会

作者：鲁法珂顾培夫张德景浙江大学现代光学仪器国家重点实验室浙江大学现代光学仪器国家重点实验室浙江大学现代光学仪器国家重点实验室

采用霍尔源离子辅助沉积（IAD）技术制备了ZnS/MgF2多层膜窄带干涉滤光片,并与常规沉积条件下制备的样品做了比较。发现离子辅助明显地的减小了滤光片的光谱漂移（Δλ）,实测漂移Δλ＜0.5nm,光谱稳定性得到很大提高。计算了滤光片中M... 详细信息

采用霍尔源离子辅助沉积（IAD）技术制备了ZnS/MgF2多层膜窄带干涉滤光片,并与常规沉积条件下制备的样品做了比较。发现离子辅助明显地的减小了滤光片的光谱漂移（Δλ）,实测漂移Δλ＜0.5nm,光谱稳定性得到很大提高。计算了滤光片中MgF2膜层的聚集密度,离子辅助使MgF2的聚集密度从常规条件下的0.70提高到0.97,增幅达38%。同时发现间隔层对光谱漂移的影响最大,越远离间隔层的膜层,其影响越小。提高基板温度对改善光谱漂移影响不大。

关键词：离子辅助沉积 ZnS/MgF2窄带滤光片光谱漂移聚集密度

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

红外带通滤光片77K光谱漂移特性实验研究

红外 2020年第5期41卷 19-23页

作者：田亚张磊林国画方志浩付志凯华北光电技术研究所北京100015

红外带通滤光片是决定红外探测器组件光谱响应范围的重要元件。滤光片光谱的截止波长在低温下会产生漂移,从而影响组件的光谱响应范围。为探究滤光片在低温下的光谱漂移情况,选取了几种典型的红外带通滤光片,并分别在常温和77 K温度下... 详细信息

红外带通滤光片是决定红外探测器组件光谱响应范围的重要元件。滤光片光谱的截止波长在低温下会产生漂移,从而影响组件的光谱响应范围。为探究滤光片在低温下的光谱漂移情况,选取了几种典型的红外带通滤光片,并分别在常温和77 K温度下使用自制的低温光谱测试杜瓦对其进行了光谱测试。结果表明,低温下滤光片的前截止波长均向短波方向漂移。该漂移量的大小主要与工作波段有关。工作波长越长,漂移量越大。中波红外带通滤光片的截止波长在低温下的漂移量小于100 nm。基片材料对截止波长漂移的影响较小。该结论对于红外探测器滤光片的光谱设计具有重要的参考价值。

关键词：红外带通滤光片低温光谱漂移

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

超光谱成像仪光谱温度漂移计算分析

光学仪器 2009年第4期31卷 53-57页

作者：马洪亮刘伟许杰贾海涛中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林长春130033 中国科学院研究生院北京100039

为了为超光谱成像仪光谱温度漂移修正提供依据和指导其光机结构设计,介绍了光谱成像的基本原理,研究了温度变化对超光谱成像仪光机结构尺寸稳定性的影响,通过面型拟合,将MSC Nastran的分析结果代入Zemax光学设计软件,计算了光谱漂移量。... 详细信息

为了为超光谱成像仪光谱温度漂移修正提供依据和指导其光机结构设计,介绍了光谱成像的基本原理,研究了温度变化对超光谱成像仪光机结构尺寸稳定性的影响,通过面型拟合,将MSC Nastran的分析结果代入Zemax光学设计软件,计算了光谱漂移量。在+30℃均匀温升载荷下,光谱在x方向漂移量为—31μm,小于2 pixel(CCD像元为18μm),y方向漂移量为—29μm,小于2 pixel。计算结果表明各波长光线光谱为整体漂移,光谱温度漂移对光谱分辨力和线色散率无影响,光谱漂移随温度呈线性变化。

关键词：超光谱成像仪热弹性分析面型拟合光谱漂移

等离子体效应对类氦氖Kα线系电偶极辐射的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2006年第9期55卷 4501-4505页

作者：张丽李向东蒋新革中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室中国科学院研究生院北京100049 伊犁师范学院物理与电子信息学院

采用离子球模型,通过自洽求解Boltzmann方程和Poisson方程,得到类氦氖离子Kα线系的两条电偶极辐射光谱能量随等离子体环境的漂移.结果显示,Kα线系电偶极谱线随等离子体电子密度增大发生红移,红移量与等离子体电子密度有近似的正比关系... 详细信息

采用离子球模型,通过自洽求解Boltzmann方程和Poisson方程,得到类氦氖离子Kα线系的两条电偶极辐射光谱能量随等离子体环境的漂移.结果显示,Kα线系电偶极谱线随等离子体电子密度增大发生红移,红移量与等离子体电子密度有近似的正比关系;随着等离子体电子温度的降低,光谱红移对等离子体电子密度的敏感性增大.另外,所研究的两条谱线间的能量间隔随等离子体电子密度的增大而减小,减小量随等离子体电子密度的变化也呈现出近似的线性规律.值得注意的是,类氦氖Kα线系中两条电偶极谱线分别为互组合线与共振谱线,而其能量差就是1s2p(3P1)的交换能,因此进一步发现能级中交换能将随等离子体环境变化的规律.所观察到的光谱红移和精细结构分裂在高密度等离子体中都有明显的变化,对探索高密度等离子体的诊断新方法有重要意义.

关键词：光谱漂移交换能等离子体类氦离子