离子辅助沉积对ZnS/MgF2窄带滤光片光谱漂移的影响
作者单位：浙江大学现代光学仪器国家重点实验室 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室
会议名称：《第四届华东真空科技学术交流展示会》
会议日期：2003年
关 键 词：离子辅助沉积 ZnS/MgF2窄带滤光片 光谱漂移 聚集密度
摘 要：采用霍尔源离子辅助沉积（IAD）技术制备了ZnS/MgF2多层膜窄带干涉滤光片,并与常规沉积条件下制备的样品做了比较。发现离子辅助明显地的减小了滤光片的光谱漂移（Δλ）,实测漂移Δλ0.5nm,光谱稳定性得到很大提高。计算了滤光片中MgF2膜层的聚集密度,离子辅助使MgF2的聚集密度从常规条件下的0.70提高到0.97,增幅达38%。同时发现间隔层对光谱漂移的影响最大,越远离间隔层的膜层,其影响越小。提高基板温度对改善光谱漂移影响不大。