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象增强器件

物理通报 1965年第11期 481-488页

作者：佘永正

在没有月亮的夜晚,我们会感到观察物体比白天要困难得多。当目标物比较远或对比度比较差时,象往往变得模糊起来,甚至分辨不清。黑夜妨碍人们的视觉,也阻碍了人们的行动。人们自然会想到,能不能利用近代的科学技术成就来提高人们在夜间... 详细信息

在没有月亮的夜晚,我们会感到观察物体比白天要困难得多。当目标物比较远或对比度比较差时,象往往变得模糊起来,甚至分辨不清。黑夜妨碍人们的视觉,也阻碍了人们的行动。人们自然会想到,能不能利用近代的科学技术成就来提高人们在夜间的观察能力呢? 在低照度下,观察对比度一定的物体时,眼睛分辨力与目标物亮度的关系接近于Lα~2=常数;α是目标物在眼睛中的张角,L是它的亮

关键词：第二级超正析象管荧光屏量子效率激光效率光谱分布曲线电子光学系统光电流

Zn 扩散 SH GaAs LED 及其电致发光特性

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半导体光电 1979年第2期 7-17页

作者：詹素贞

一、前言与半导体 DH 激光器相比,作为近红外光源的半导体 LED’S 有如下优点:1)光输出与工作电流之间有良好的线性关系;2)具有较好的温度稳定性;3)突然失效变化小,即寿命长,Zn 扩散 SH GaAs LED 就是一种这样的红外光源。虽然,在调制... 详细信息

一、前言与半导体 DH 激光器相比,作为近红外光源的半导体 LED’S 有如下优点:1)光输出与工作电流之间有良好的线性关系;2)具有较好的温度稳定性;3)突然失效变化小,即寿命长,Zn 扩散 SH GaAs LED 就是一种这样的红外光源。虽然,在调制特性和效率方面,它比不上半导体 DH 激光器和 DH LED,但是,由于其结构简单,工艺难度小,所以还是一种得到广泛应用的器件。其效率高于同质结结构的同类器件,其截止频率 fc 也比掺

关键词： LED GaAs SH GaAs LED 光谱分布曲线激光器光激射器电子器件发光器件有源层欧姆接触电阻非辐射复合 Zn 正向导通

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磷砷化镓黄色发光二极管

发光与显示 1982年第1期 40-45页

作者：方志烈倪林福汪曼生复旦大学上海半导体器件六厂江南无线电材料厂

采用掺氨砷压法在磷化镓衬底上外延生长掺碲n型的GaAs0.15P0.85:N/GaP材料,制成磷砷化镓黄色发光二极管,测量了其光学和电学性能。讨论了影响器件发光效率的因素。

关键词：发光二极管 GaP 电子陷阱激子磷化衬底 GaAs 空穴结型发光器件陷阱(半导体) 准粒子磷酸盐处理基片载流子(半导体) 光谱分布曲线发光效率光流光通量外延层晶体管特性图示仪

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磷化镓绿色发光二极管

浙江大学学报(工学版) 1982年第2期 62-68页

作者：丁祖昌华伟民曹光胜吴国贤

文章叙述了GaP绿色发光二极管的材料和器件的制备。对试验所得到的这些材料和器件进行测定与分析表明:用过补偿液相外延方法已能重复地生长出绿色发射PN结。目前已达到的绿色发光二极管性能为:30毫安电流下,正向压降低于2.7伏,总光通量... 详细信息

文章叙述了GaP绿色发光二极管的材料和器件的制备。对试验所得到的这些材料和器件进行测定与分析表明:用过补偿液相外延方法已能重复地生长出绿色发射PN结。目前已达到的绿色发光二极管性能为:30毫安电流下,正向压降低于2.7伏,总光通量普遍大于10毫流明,有些高达20毫流明以上;发光光谱峰值波长为5600埃左右。

关键词：发光二极管磷化总光通量 GaP 结型发光器件磷酸盐处理发光效率发光器件光谱分布曲线外延材料

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对半导体双异质结激光器测试的几点看法

半导体光电 1978年第2期 71-101页

作者：詹素真

一、前言二、半导体双异质结激光器的特性参数测试1、电学参数2、光学参数3、热学参数三、工艺过程中的测试分析手段四、对未来测试工作的几点看法一、.前言自从一九七O年第一只半导体双异质结激光器

关键词：激光器参数测试器件二阶导数光激射器电子器件有源区厚度有源层激射光谱分布曲线激光发射激光理论近场图样液相外延位错密度光纤通讯系统横模激光模式纵模轴向模热阻率几点看法

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GF211正面辐射型DH LED的特性