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Zn 扩散 SH GaAs LED 及其电致发光特性

作     者:詹素贞 

出 版 物:《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期:1979年第2期

页      面:7-17页

主  题:LED GaAs SH GaAs LED 光谱分布曲线 激光器 光激射器 电子器件 发光器件 有源层 欧姆接触电阻 非辐射复合 Zn 正向导通 

摘      要:一、前言与半导体 DH 激光器相比,作为近红外光源的半导体 LED’S 有如下优点:1)光输出与工作电流之间有良好的线性关系;2)具有较好的温度稳定性;3)突然失效变化小,即寿命长,Zn 扩散 SH GaAs LED 就是一种这样的红外光源。虽然,在调制特性和效率方面,它比不上半导体 DH 激光器和 DH LED,但是,由于其结构简单,工艺难度小,所以还是一种得到广泛应用的器件。其效率高于同质结结构的同类器件,其截止频率 fc 也比掺

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