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高压超结VDMOS结构设计

固体电子学研究与进展 2012年第3期32卷 298-303页

作者：杨法明杨发顺丁召傅兴华邓朝勇贵州大学理学院电子科学系贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025

为改善高压功率VDMOS击穿电压和导通电阻之间的平方率关系,采用超结理论及其分析方法,结合电荷平衡理论,计算了超结VDMOS的理想结构参数,并利用仿真软件SILVACO对超结VDMOS的各个工艺参数(外延厚度,P柱掺杂剂量,阈值电压)进行了优化设计... 详细信息

为改善高压功率VDMOS击穿电压和导通电阻之间的平方率关系,采用超结理论及其分析方法,结合电荷平衡理论,计算了超结VDMOS的理想结构参数,并利用仿真软件SILVACO对超结VDMOS的各个工艺参数(外延厚度,P柱掺杂剂量,阈值电压)进行了优化设计,对器件的正向导通特性和反向击穿特性进行了仿真分析。最终设计了一个击穿电压为815V,比导通电阻为23mΩ.cm2的超结VDMOS。

关键词：纵向双扩散金属氧化物半导体超结电荷平衡正向导通反向击穿

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声光导电显示仪的制作

化学教学 1993年第2期 23-24页

作者：朱伟尔上海爱华中学

一、仪器工作原理图（一）为原理图。该仪器是利用被测物体（可以是固体和液体）的电阻不同,引起C点电压不同。其电压通过R1加到BG1的基极上、当电压高于BG1的发射结正向导通电压时,BG1便导通,使LED1发光。

关键词：被测电阻正向导通发射结仪器工作原理原理图发光二极管仪器设计仪器面板音乐声弱电解质

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静电感应晶闸管静态特性的仿真模拟

半导体技术 2002年第9期27卷 68-71页

作者：薛伟东李思渊刘英坤刘英坤兰州大学物理系静电感应器件研究所甘肃兰州730000 信息产业部电子第十三研究所河北石家庄050051

引入了一种SITH仿真模型。结合实验数据,利用PSPICE模拟软件,从等效电路的角度对静电感应晶闸管（SITH）进行了正向导通,类三极管正向阻断、负阻转折特性的仿真模拟。

关键词：静态特性静电感应晶闸管负阻转折仿真模拟 SITH 正向导通

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薄硅外延片的生长及高频肖特基二极管的研制

薄硅外延片的生长及高频肖特基二极管的研制

作者：张海燕浙江大学

学位级别：硕士

肖特基势垒二极管是利用金属半导体的整流接触特性而制成的二极管。与P-N结相比，它是一种多子器件，具有正向导通电压低，使用频率高等特点。这使得肖特基二极管在微波领域有着广泛的应用。但长期以来，由于薄硅外延生长技术的限制，... 详细信息

肖特基势垒二极管是利用金属半导体的整流接触特性而制成的二极管。与P-N结相比，它是一种多子器件，具有正向导通电压低，使用频率高等特点。这使得肖特基二极管在微波领域有着广泛的应用。但长期以来，由于薄硅外延生长技术的限制，无法生长出优质的厚度小于2μm的薄硅外延层，使硅肖特基二极管的串联电阻无法降的更低，限制了其截止频率的提高。现在，我们浙江大学硅材料国家重点实验室利用UHV／CVD技术，生长出亚微米厚的薄硅外延层，在此外延层上研制出高频肖特基二极管原型器件。本文的主要工作如下： 1．首先，从理论上分析出高频肖特基二极管对材料的外延层厚度掺杂浓度的要求，以及其它的器件结构参数要求，以此为依据，设计出最佳的器件参数。 2．然后，根据器件的要求，利用UHV／CVD技术，生长出优质薄硅外延片，其厚度在0.4μm～1μm，掺杂浓度可任意调节，晶体质量良好。 3．最后，利用所生长的薄硅外延片，探索出其它一系列相关的高频肖特基二极管的制作工艺，包括氧化工艺、光刻工艺、真空镀膜工艺等，制作出了高频肖特基二极管的原型器件。该器件理想因子n=3.2，正向导通电压为0.5V左右，反向击穿电压为16v。目前该技术已申请专利。

关键词：肖特基二极管外延片半导体结反向击穿电压正向导通光刻工艺肖特基势垒表面态接触特性串联电阻

静电感应晶闸管（SITH）转折机制的数值模拟分析

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静电感应晶闸管（SITH）转折机制的数值模拟分析

作者：詹晖兰州大学

学位级别：硕士

静电感应晶闸管(SITH)是一种大功率开关器件。与其他种类的功率开关器件相比,具有开关速度快,易于实现栅控关断等优点。但在实际应用中发现它在关断过程中栅电流过大,导致器件严重发热烧毁。因此,如何在得到足够高的阻断电压(或阻断增益... 详细信息

静电感应晶闸管(SITH)是一种大功率开关器件。与其他种类的功率开关器件相比,具有开关速度快,易于实现栅控关断等优点。但在实际应用中发现它在关断过程中栅电流过大,导致器件严重发热烧毁。因此,如何在得到足够高的阻断电压(或阻断增益)的同时能有效减小关断损耗,成为目前急待研究的一个重要理论问题。本论文针对SITH的转折特性开展专门研究。研究中采用了数值模拟的方法,从器件内部的电势、电场以及载流子浓度的变化角度,阐述了阻断态电流增长的规律、转折发生的原因、以及导通态压降和电流的变化特点。所得与实验观察结果的规律完全一致。研究结果表明,SITH的转折特性源于势垒的持续降低和阳极p-n结偏压的持续升高,形成漂移区的大注入,以至于栅区附近的空间电荷区中的空穴浓度远高于电离施主浓度,使得空间电荷区收缩,空间电荷区不再能承受高压,最终发生转折。论文总结得到的SITH模型一即“SIT控制的二极管”模型—对分析该器件的工作机制显示了良好的作用。

关键词：静电感应晶闸管 SITH 空穴浓度漂移区功率开关器件施主浓度空间电荷区正向导通断态电流阻断电压

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肖特基二极管相关材料生长及器件研究

肖特基二极管相关材料生长及器件研究

作者：李蓓浙江大学

学位级别：硕士

肖特基二极管是利用金属与半导体之间接触势垒进行工作的一种多数载流子器件，与普通的PN结二极管相比，它具有正向导通电压低，响应速度快等优良特性。肖特基二极管在高频整流、开关电路和保护电路中作为整流和续流元件，可以大幅度降... 详细信息

肖特基二极管是利用金属与半导体之间接触势垒进行工作的一种多数载流子器件，与普通的PN结二极管相比，它具有正向导通电压低，响应速度快等优良特性。肖特基二极管在高频整流、开关电路和保护电路中作为整流和续流元件，可以大幅度降低功耗，提高电路效率和使用频率，减少电路噪声。随着电力电子技术的蓬勃发展，肖特基二极管的高频、低功耗等优良性能将为其赢得广阔的发展前景。串连电阻是制约肖特基二极管响应速度的一个关键因素。与体材料制作肖特基二极管不同，本文以降低器件的串连电阻为目的，采用半导体薄膜材料作有源层。利用我们自行研制的超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)技术外延了亚微米级的Si薄膜，成功的制作了具有整流特性的高频薄硅肖特基二极管的原型器件。此后又对用新型材料作SBD作了有益的尝试，首次研制了ZnO薄膜肖特基二极管的原型器件，这标志着我们从半导体材料的生长向半导体器件的研制迈出了重要的一步。本文的具体工作可归纳为： 1)薄硅外延片研制高频肖特基二极管的原型器件。 a)利用超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)技术在重掺Si衬底上生长高晶体质量的亚微米级薄硅外延片。 b)在薄硅外延片的生长基础上，探索制作肖特基二极管的相关工艺，研制高频SBD原型器件。 2)ZnO薄膜肖特基二极管原型器件的研究。 a)利用磁控溅射技术，首次在Si衬底上，以金属Al做过渡层制备具有高C轴取向的ZnO晶体薄膜。 b)探索适合ZnO肖特基二极管的制作工艺，选用Pt作肖特基电极研制肖特基二极管原型器件。 c)在制作Pt／ZnO／Al SBD的基础上，对ZnO SBD原型器件的结构与工艺进行改进，研制性能更为优异的SBD。

关键词：肖特基二极管半导体结整流特性外延层器件研究肖特基势垒 Schottky 正向导通半导体器件化学气相沉积

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GF211正面辐射型DH LED的特性

半导体光电 1980年第4期 19-31页

作者：詹素贞钟迪新

引言 GF211型正面出光DH LED,是采用GaAs衬底材料,经液相外延、光刻、扩散、欧姆接触、装架等主要工艺技术制作而成的。这是目前实际使用价值较大的一种近红外光源。其特点为体积小,耗电低、光功率输出线性好,工作动态范围宽,具有较好... 详细信息

引言 GF211型正面出光DH LED,是采用GaAs衬底材料,经液相外延、光刻、扩散、欧姆接触、装架等主要工艺技术制作而成的。这是目前实际使用价值较大的一种近红外光源。其特点为体积小,耗电低、光功率输出线性好,工作动态范围宽,具有较好的频率特性,而且结构简单,工作寿命长,性能稳定可靠。它所发出的光,与Si光电探测

关键词：发光器件发射光谱光谱分布曲线 DH LED GF211 LED 光功率计测量仪器正向导通有源区厚度调制带宽正面

Zn 扩散 SH GaAs LED 及其电致发光特性

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半导体光电 1979年第2期 7-17页

作者：詹素贞

一、前言与半导体 DH 激光器相比,作为近红外光源的半导体 LED’S 有如下优点:1)光输出与工作电流之间有良好的线性关系;2)具有较好的温度稳定性;3)突然失效变化小,即寿命长,Zn 扩散 SH GaAs LED 就是一种这样的红外光源。虽然,在调制... 详细信息

一、前言与半导体 DH 激光器相比,作为近红外光源的半导体 LED’S 有如下优点:1)光输出与工作电流之间有良好的线性关系;2)具有较好的温度稳定性;3)突然失效变化小,即寿命长,Zn 扩散 SH GaAs LED 就是一种这样的红外光源。虽然,在调制特性和效率方面,它比不上半导体 DH 激光器和 DH LED,但是,由于其结构简单,工艺难度小,所以还是一种得到广泛应用的器件。其效率高于同质结结构的同类器件,其截止频率 fc 也比掺

关键词： LED GaAs SH GaAs LED 光谱分布曲线激光器光激射器电子器件发光器件有源层欧姆接触电阻非辐射复合 Zn 正向导通

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变色发光二极管在物理实验中的应用

物理教学 1991年第12期18卷 29-30页

作者：邹志凌江苏省雎宁县中学

普通发光二极管在物理实验中的应用,本刊已作过多次介绍,本文再介绍另一种新型的半导体发光器件——变色发光二极管在一些物理实验中的应用。一、变色发光二极管简介变色发光二极管是一种新型的半导体发光器件,它分为正向电压控制和正... 详细信息

普通发光二极管在物理实验中的应用,本刊已作过多次介绍,本文再介绍另一种新型的半导体发光器件——变色发光二极管在一些物理实验中的应用。一、变色发光二极管简介变色发光二极管是一种新型的半导体发光器件,它分为正向电压控制和正、负电压控制两类。

关键词：发光二极管正向电压发光器件自感电动势正向导通负电压电流方向管芯电源开关断开电路