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薄膜三重价态锰氧化物的制备与性能

高等学校化学学报 2008年第12期29卷 2506-2510页

作者：胡滨杨铭侯长民胡士奇袁宏明冯守华吉林大学无机合成与制备化学国家重点实验室化学学院长春130012

应用偏靶射频磁控溅射方法在SrTiO3(001)单晶衬底上制备了三重价态(Mn3+,Mn4+,Mn5+)锰氧化物薄膜La1-x-yCaxKyMnO3.这种薄膜具有钙钛矿结构,A位拥有La3+,Ca2+和K+三种离子,对应的B位为Mn3+,Mn4+和Mn5+三重价态离子共存.通过18kW高能X射... 详细信息

应用偏靶射频磁控溅射方法在SrTiO3(001)单晶衬底上制备了三重价态(Mn3+,Mn4+,Mn5+)锰氧化物薄膜La1-x-yCaxKyMnO3.这种薄膜具有钙钛矿结构,A位拥有La3+,Ca2+和K+三种离子,对应的B位为Mn3+,Mn4+和Mn5+三重价态离子共存.通过18kW高能X射线衍射仪和D8X射线面探衍射仪检测证实制备的薄膜为取向多晶薄膜.原子力扫描图像显示薄膜表面平整,且随薄膜厚度增加表面平整度起伏增大.表面光电压测试显示,该薄膜具有明显的光生电压信号.

关键词：三重价态取向薄膜光生电压

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日盲型AlGaN pin串联紫外探测器

半导体光电 2013年第5期34卷 738-741页

作者：陶利友张燕刘福浩李向阳中国科学院上海技术物理研究所上海200083 中国科学院大学北京100039

对采用MOCVD生长的AlGaN pin结构上制备的背照日盲型3×3AlGaN串联紫外探测器进行了光电性能的研究。室温下单元探测器的峰值响应在278nm为0.03A/W。串联器件的正向开启电压随器件个数增加而增大,串联特性使得其暗电流较小,光生电压随... 详细信息

对采用MOCVD生长的AlGaN pin结构上制备的背照日盲型3×3AlGaN串联紫外探测器进行了光电性能的研究。室温下单元探测器的峰值响应在278nm为0.03A/W。串联器件的正向开启电压随器件个数增加而增大,串联特性使得其暗电流较小,光生电压随器件个数的增加呈线性变化,串联器件在氙灯照射下能达到近15V的光生电压。文中还对I-V测试采样中存在的零点漂移做了分析,试给出从实验结果计算反向饱和电流密度的方法。

关键词：紫外探测器光生电压 AlGaN 串联反向饱和电流密度

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聚合物半导体光电转换的理论分析

物理化学学报 1985年第1期1卷 82-88页

作者：田昭武厦门大学物理化学研究所

导电聚合物半导体的最大特点是掺杂物在工作条件下可以移动。这类“可移动掺杂物”型半导体已被许多研究者用为光生伏打效应的材料,目前所得到光电转换效率普遍较低。本文提出这类光电极的物理模型和数学模型,并用数值解法解决了这个边... 详细信息

导电聚合物半导体的最大特点是掺杂物在工作条件下可以移动。这类“可移动掺杂物”型半导体已被许多研究者用为光生伏打效应的材料,目前所得到光电转换效率普遍较低。本文提出这类光电极的物理模型和数学模型,并用数值解法解决了这个边界问题;理论分析表明这类“可移动掺杂物”型半导体最大光电转换效率可以接近于传统无机半导体的光电转换效率;数值解提出必须注意提高这类半导体的载流子迁移率和体内复合寿命。

关键词：聚合物半导体可移动光电转换光伏转换掺杂物光生电压理论分析

CMOS有源光电传感器像素采集单元成像质量分析

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半导体技术 2002年第11期27卷 74-76页

作者：饶睿坚韩政西安通信学院信息理论教研室陕西西安710106

针对CMOS光电二极管型有源像素采集单元中存在的拖影问题,从像素采集单元的工作原理入手,利用光电二极管的等效电路模型,对像素采集单元的光电转换状态和置位状态进行分析。得出造成拖影的根本原因是光电二极管置位后的电压与上一周期... 详细信息

针对CMOS光电二极管型有源像素采集单元中存在的拖影问题,从像素采集单元的工作原理入手,利用光电二极管的等效电路模型,对像素采集单元的光电转换状态和置位状态进行分析。得出造成拖影的根本原因是光电二极管置位后的电压与上一周期末光电二极管的光生电压有关。

关键词： CMOS 有源光电传感器成像质量有源像素采集单元光电二极管拖影光生电压光生电流

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Si中场致光整流效应的研究

半导体技术 2008年第9期33卷 798-800页

作者：韩焕鹏张晓婷刘锋中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220 吉林大学长春130012

通过观测Si/Al肖特基势垒受光照时产生的光生电压与光波偏振方向和晶向的变化关系,发现了光生电压的各向异性规律,即光敏面不同点处光敏特性不同,并且有一定规律。经理论分析和实验数据曲线拟和,认为这是由于金属和半导体接触形成势垒,... 详细信息

通过观测Si/Al肖特基势垒受光照时产生的光生电压与光波偏振方向和晶向的变化关系,发现了光生电压的各向异性规律,即光敏面不同点处光敏特性不同,并且有一定规律。经理论分析和实验数据曲线拟和,认为这是由于金属和半导体接触形成势垒,产生内建电场,电场的存在使晶体对称性被破坏,产生二阶非线性效应的光整流,光整流产生的直流电场又与内建电场相互作用的结果。

关键词：电场诱导光整流效应光生电压

马赫-曾德干涉检测地下电缆周界振动的分析与实验

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电力工程技术 2019年第2期38卷 105-110页

作者：覃欣朱宁西刘刚郑文成胡传良华南理工大学电力学院广东广州510640

为提高马赫-曾德干涉光纤传感技术应用于城市中低压地下电缆防外力破坏预警领域的工作效率,需理清干涉电压信号与其振动受力之间关系。首先文中理论分析了干涉电压与振动力之间关系,指出在外界环境一定时,干涉电压变化率只与振动力有关... 详细信息

为提高马赫-曾德干涉光纤传感技术应用于城市中低压地下电缆防外力破坏预警领域的工作效率,需理清干涉电压信号与其振动受力之间关系。首先文中理论分析了干涉电压与振动力之间关系,指出在外界环境一定时,干涉电压变化率只与振动力有关。在此基础上设计实验,研究在刚性水泥地表传播的振动波与干涉电压信号之间的关系,对比分析了振动波与干涉电压信号的传播和衰减规律。结果表明马赫-曾德干涉电压变化率峰值与振动力大小呈正对应关系,可以用电压变化率峰值大小作为特征值来预判入侵外力距离地下电缆的远近或强弱。

关键词：光纤传感技术光生电压冲击振动衰减加速度马赫-曾德干涉

缺氧La0.6Ca0.4MnO3-δ/Si薄膜和异质结的光电特性

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缺氧La0.6Ca0.4MnO3-δ/Si薄膜和异质结的光电特性

作者：严资杰华中科技大学

学位级别：硕士

钙钛矿结构锰氧化物因其特殊的电学和磁学性质而得到了广泛的研究。自旋、电荷、晶格和轨道自由度的相互耦合使其对磁场、电场和光场等非常敏感。由于在光电器件中的巨大应用潜力,对于钙钛矿锰氧化物光致效应的研究具有重要意义。本论... 详细信息

钙钛矿结构锰氧化物因其特殊的电学和磁学性质而得到了广泛的研究。自旋、电荷、晶格和轨道自由度的相互耦合使其对磁场、电场和光场等非常敏感。由于在光电器件中的巨大应用潜力,对于钙钛矿锰氧化物光致效应的研究具有重要意义。本论文使用脉冲激光沉积(PLD)方法,在Si片上制备了缺氧的La0.6Ca0.4MnO3-δ(LCMO)薄膜。分别采用波长为532nm的连续波激光和脉冲激光研究了LCMO/Si薄膜和异质结的光电特性;并通过制备带有厚度梯度的LCMO薄膜,研究了膜厚对LCMO/Si薄膜和异质结的光电特性的影响。研究发现,缺氧的LCMO薄膜受到连续波激光辐照时电阻会发生几个数量级的变化,在激光功率密度为142mW/cm2时,其在室温下的光电导变化率可达到95.9%。而在脉冲宽度为7ns的脉冲激光辐照时,其瞬态光电导变化的响应时间最快可达20ns。实验中还发现其响应时间和光电流都受到激光功率密度和所施加电场强度的影响。在室温下施加反向偏压时,LCMO/Si异质结中同样观察到巨大的光电导率变化。当反向偏压为-1.5V以及激光功率密度为142mW/cm2时,光电导变化率达到了90%;而实验参数相同,施加正向偏压时,光电导率变化则不明显,当激光功率密度相同以及正向偏压为1.5V时,光电导变化率仅为10%左右。实验还发现LCMO/Si异质结中的响应时间和光电流都受到激光功率密度影响。在异质结中同时还观察到了响应时间约13ns的光生电压信号。当存在厚度梯度时,在LCMO薄膜中观察到类似p-n结的整流特性和奇特的光生电压信号,实验证实膜厚对LCMO/Si薄膜和异质结的光电特性有显著影响。由于氧缺陷的存在,LCMO/Si异质结具有很高的光生电压灵敏度。本论文中的研究结果在新型光电器件等领域具有极大的应用潜力。

关键词：瞬态光电导光生电压钙钛矿薄膜异质结氧缺陷

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工程遥测系统光供电方式的研究

西安交通大学学报 1984年第1期 95-100页

作者：刘君华丁胜群齐鸣杨永智西安交通大学动力机械工程系

为了在旋转部件上进行工程遥测的需要,设计并制作了一个新型的光供电电源——利用在转子上安装的硅光电池将地面上的电光源的光能转换为电能、不经二次电池直接向发射电路及传感器供电.采用光通讯遥测系统对光供电电源质量进行了检测.... 详细信息

为了在旋转部件上进行工程遥测的需要,设计并制作了一个新型的光供电电源——利用在转子上安装的硅光电池将地面上的电光源的光能转换为电能、不经二次电池直接向发射电路及传感器供电.采用光通讯遥测系统对光供电电源质量进行了检测.结果表明:可向传感器提供△I/I优于0.2％的恒流电流,光供电遥测系统自身稳定性优于0.2％;可满足一般非电量工程遥测之需要.

关键词：遥测系统基本误差光供电固有误差太阳能电池硅光电池光生电压

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Si外延N-N~+材料的表面光伏效应

厦门大学学报(自然科学版) 1985年第2期 189-196页

作者：沈顗华厦门大学物理学系

本文测量了不同厚度和电阻率的Si外延N-N~+材料的表面光伏谱,由曲线拟合计算出材料的少子扩散长度等参数,并与测量值进行对比;对曲线拟合的可靠性进行了验证和讨论;提出验证曲线拟合可靠性的方法。计算结果表明:理论计算值和实验值基本... 详细信息

本文测量了不同厚度和电阻率的Si外延N-N~+材料的表面光伏谱,由曲线拟合计算出材料的少子扩散长度等参数,并与测量值进行对比;对曲线拟合的可靠性进行了验证和讨论;提出验证曲线拟合可靠性的方法。计算结果表明:理论计算值和实验值基本一致。

关键词：光伏效应 N-N Si 曲线拟合少子扩散长度外延材料外延层光强光生电压