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GaAs中Be受主的光热电离光谱研究

红外与毫米波学报 2000年第5期19卷 385-388页

作者：袁先漳陆卫史国良陈益栋陈张海李宁沈学础中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

应用光热电离光谱方法研究了 MBE生长 Ga As薄膜中 Be受主的杂质能级 .通过与理论计算的比较 ,将观测到的 3个跃迁峰归属于 G线、C线和 D线跃迁 ,同时在实验上也观察到 Be受主 1s3/ 2 (Γ+ 8)态到 2 p1 / 2 (Γ- 6 )态跃迁 ,由实验结果... 详细信息

应用光热电离光谱方法研究了 MBE生长 Ga As薄膜中 Be受主的杂质能级 .通过与理论计算的比较 ,将观测到的 3个跃迁峰归属于 G线、C线和 D线跃迁 ,同时在实验上也观察到 Be受主 1s3/ 2 (Γ+ 8)态到 2 p1 / 2 (Γ- 6 )态跃迁 ,由实验结果算得 Be受主的电离能为 2 8.6 me V.

关键词：浅杂质受主光热电离光谱砷化镓半导体铍

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高纯锗中浅受主的光热电离光谱

物理学报 2008年第2期57卷 1097-1101页

作者：余晨辉张波余丽波李亚军陆卫沈学础中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 西南技术物理研究所光电器件部成都610041

在液氦温度附近,运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统,对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围,在该温度范围内测量了样品的... 详细信息

在液氦温度附近,运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统,对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围,在该温度范围内测量了样品的光热电离光谱,指出该样品中主要杂质为浅受主硼与铝.对杂质谱线发生分裂的两种原因,补偿性杂质导致的快速复合以及随机应力等,进行了分析讨论.

关键词：高纯锗光热电离光谱元素半导体中的杂质和缺陷能级

气氛掺氮直拉硅单晶中氮关施主的光热电离光谱研究

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Journal of Semiconductors 1997年第5期18卷 337-343页

作者：张溪文阙端麟石晓红沈学础浙江大学硅材料国家实验室杭州310027 中国科学院上海技术物理所红外物理国家实验室上海200083

以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD（NitrogenRelatedDonor）．确认NRD的形成温区为300～800℃，900℃以上退火将被不可逆消除．指出NRD可能有N－O复合体和氧凝聚态浅施主两种形式，各有不... 详细信息

以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD（NitrogenRelatedDonor）．确认NRD的形成温区为300～800℃，900℃以上退火将被不可逆消除．指出NRD可能有N－O复合体和氧凝聚态浅施主两种形式，各有不同的热处理行为．

关键词：气氛掺氮硅单晶氮关施主施主光热电离光谱

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磁场下硅中硼受主的光热电离光谱

红外与毫米波学报 1996年第2期15卷 98-102页

作者：石晓红刘普霖陈张海史国良沈学础中国科学院上海技术物理研究所

用光热电离光谱方法研究了硅中硼受主杂质能级在０～１１Ｔ磁场下的塞曼效应。观察到硅中硼受主激发态的塞曼分裂与移动。实验结果与讨论表明：由于价带的复杂性、浅受主的基态和激发态在磁场下简并的解除以及大的空穴有效质量。

关键词：光热电离光谱浅受主硅半导体

氮气气氛下生长的Si单晶中N—O浅热施主的光热电离光谱研究

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红外与毫米波学报 1996年第4期 37-40页

作者：石晓红刘普霖张溪文陈张海史国良沈学础中国科学院上海技术物理研究所浙江大学硅材料国家重点实验室

利用光热电离光谱方法研究了氮气气氛下生长的含氮Ｓｉ单晶中浅热施主的热退火行为．结果表明，氮气氛下生长的Ｓｉ单晶，原生样品中就存在与Ｎ、Ｏ有关的浅热施主（ＳＴＤ）．在４５０℃退火条件下，ＳＴＤ浓度最大；６５０℃退火后，... 详细信息

利用光热电离光谱方法研究了氮气气氛下生长的含氮Ｓｉ单晶中浅热施主的热退火行为．结果表明，氮气氛下生长的Ｓｉ单晶，原生样品中就存在与Ｎ、Ｏ有关的浅热施主（ＳＴＤ）．在４５０℃退火条件下，ＳＴＤ浓度最大；６５０℃退火后，部分ＳＴＤ消失；在９００℃高温下作较长时间退火，由于氧的浓度降低，ＳＴＤ完全消失

关键词：浅热施主含氮Si单晶光热电离光谱

外延Si—xGex薄层中浅杂质的光热电离光谱

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物理学报 1997年第2期46卷 370-374页

作者：石晓红刘普霖中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

在Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金外延层中利用光热电离光谱方法观察到了Ｓｉ０．９２Ｇｅ０．０８合金中浅施主磷的２ｐ±及３ｐ±的分立谱线，并根据有效质量近似理论估算了Ｓｉ０．９２Ｇｅ０．０８合金中磷施主的电离能为４５．５１ｍｅＶ。... 详细信息

在Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金外延层中利用光热电离光谱方法观察到了Ｓｉ０．９２Ｇｅ０．０８合金中浅施主磷的２ｐ±及３ｐ±的分立谱线，并根据有效质量近似理论估算了Ｓｉ０．９２Ｇｅ０．０８合金中磷施主的电离能为４５．５１ｍｅＶ。与硅相比，由于合金的无序效应，Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金的分立谱线发生明显展宽。

关键词：硅锗合金浅施主磷半导体光热电离光谱

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超纯半导体的高分辨率光热电离光谱

科学通报 1990年第3期35卷 173-176页

作者：俞志毅黄叶肖朱景兵陆卫沈学础 Eugene E.Haller 中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室上海200081 美国加州大学伯克利分校劳伦斯伯克利实验室

一、引言超纯半导体不仅在核辐射及红外辐射探测等方面有重要应用,而且对半导体浅杂质态研究亦具有积极意义。由于超纯半导体中浅杂质含量极微,所有传统的杂质检测方法已难以探测和识别,因此很有必要发展相应的高灵敏度检测手段。

关键词：超纯半导体光热电离光谱浅杂质

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半导体中浅杂质的傅里叶变换光热电离光谱

物理学报 1989年第11期38卷 1869-1873页

作者：俞志毅黄叶肖陈建湘叶红娟沈学础 E.E.Haller 中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室美国加州大学伯克利分校劳伦斯伯克利实验室

本文报道与快扫描傅里叶变换红外光谱仪相结合的光热电离光谱实验装置和测量系统。采用该系统高分辨率、高灵敏度地研究和测量高纯锗和高纯硅中的剩余浅杂质获得成功。在P型超纯Ge中发现浓度低达10~8cm^(-3)的硼受主杂质的光热电离谱线... 详细信息

本文报道与快扫描傅里叶变换红外光谱仪相结合的光热电离光谱实验装置和测量系统。采用该系统高分辨率、高灵敏度地研究和测量高纯锗和高纯硅中的剩余浅杂质获得成功。在P型超纯Ge中发现浓度低达10~8cm^(-3)的硼受主杂质的光热电离谱线,而探测灵敏度则至少可达10~7cm^(-3);在n型高纯Si中观测到Li-O复合型浅施主中心D(Li,O);施加本征激发光后在P型高纯Si中同时观察到B受主和P施主的跃迁谱线系。此外,在Si,Ge中均观察到与浅杂质更高激发态有关的跃迁。

关键词：半导体浅杂质光热电离光谱

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超纯Ge中剩余浅施主的光热电离光谱

红外与毫米波学报 1988年第Z1期 403-408页

作者：俞志毅,叶红娟,沈学础,Eugene E. Haller 中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放研究实验室 Lawrence Berkeley Laboratory University of California Berkeley CA 94720 USA 上海上海上海

报道了高纯Ge单晶中剩余浅施主的高分辨率光热电离光谱。不仅观察到P、As和D（Li,O）复合施主化较低基态到各激发态的一系列较强尖锐跃迁谱线还观察到P及As从三重基态1S（T2）到各激发态的较弱跃迁谱线。由此更精确地得出P、As的1S基态... 详细信息

报道了高纯Ge单晶中剩余浅施主的高分辨率光热电离光谱。不仅观察到P、As和D（Li,O）复合施主化较低基态到各激发态的一系列较强尖锐跃迁谱线还观察到P及As从三重基态1S（T2）到各激发态的较弱跃迁谱线。由此更精确地得出P、As的1S基态分裂值4A分别为22.74cm-1（2.82meV）和33.980m-1（4.21meV）。

关键词：超纯Ge 浅杂质光热电离光谱能谷-轨道分裂