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铌酸锂晶体的光折变效应
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人工晶体学报 2022年 第Z1期51卷 1626-1642页
作者: 郑大怀 张宇琦 王烁琳 刘宏德 刘士国 孔勇发 薄方 许京军 南开大学物理科学学院&泰达应用物理研究院弱非线性子学教育部重点实验室
铌酸锂(LiNbO, LN)是一种多功能多用途的人工晶体,被称为“学硅”。近期以铌酸锂薄膜(LNOI)为平台的集成子学发展迅速,有将“学硅”变为现实的趋势。高集成意味着高局域高强密度,使铌酸锂晶体的光折变效应变得不容忽视。... 详细信息
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红外弱诱导掺铟铁铌酸锂晶体的光折变效应
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红外与毫米波学报 2008年 第4期27卷 241-246页
作者: 陈宝东 杨立森 温静 武瑞祥 张宝 崔俊杰 内蒙古师范大学物理与电子信息学院 内蒙古呼和浩特010022 内蒙古化工职业学院继续教育部 内蒙古呼和浩特010010
掺铟铁铌酸锂(In∶Fe∶LiNbO3)晶体在红外弱辐照下正常折射率变化量Δn可以达到10-4数量级.探讨了生载流子在漂移、扩散和生伏打效应三种机制下输运迁移以及空间电荷场的形成过程.研究结果表明,致折射率变化的机制主要是由生... 详细信息
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不同Li/NbZr:Fe:LiNbO3晶体的生长及光折变效应的研究
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人工晶体学报 2008年 第4期37卷 839-843,848页
作者: 于晓艳 荣宪伟 徐超 王旭宏 哈尔滨师范大学物理系 哈尔滨150080 哈尔滨工业大学应用化学系 哈尔滨150001
采用Czochralski技术生长不同Li/Nb双掺杂Zr:Fe:LiNbO3晶体,测试了晶体的学均匀性和抗折变能力。Zr:Fe:LiNbO3晶体双折射梯度比Fe:LiNbO3晶体降低一个数量级,抗折变能力比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级,发现Zr4+在LiNbO3中具有抗... 详细信息
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Mn∶Fe∶LiNbO_3晶体光折变效应的研究
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压电与声 2002年 第4期24卷 300-302页
作者: 石连升 王延福 徐玉恒 哈尔滨理工大学现代成型技术研究所 哈尔滨150076 哈尔滨工业大学电信息中心 哈尔滨150001
在 L i Nb O3中掺入 Fe2 O3和 Mn CO3生长 Mn∶ Fe∶ L i Nb O3晶体 ,对晶体进行极化处理及氧化还原处理。测试晶体的吸收谱、指数增益系数、衍射效率和有效载流子浓度。结果表明 ,经还原处理的 Mn∶ Fe∶ L i Nb
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掺Ce,Fe系列LiNbO_3晶体光折变效应存储特性
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学学报 2004年 第7期24卷 947-952页
作者: 许心 许贵宝 胡大伟 王正平 杨旭东 邵宗书 徐悟生 徐玉恒 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南250100 哈尔滨工业大学应用化学系 哈尔滨150001
研究了系列Ce∶Fe掺杂以及不同后处理态 (生长态、还原态和氧化态 )铌酸锂晶体的透过率谱和折变全息存储特性。实验结果表明单掺Ce铌酸锂晶体具有较好的图像存储质量和较宽的透过率谱范围 ,二波耦合增益相对较低 ;高掺杂铌酸锂样... 详细信息
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掺杂LN晶体光折变效应及图象存储特性
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人工晶体学报 2003年 第5期32卷 427-432页
作者: 许心 许贵宝 王正平 胡大伟 邵宗书 徐悟生 徐玉恒 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南250100 哈尔滨工业大学应用化学系 哈尔滨150001
利用514.5nm和632.8nm波长的激,研究了单掺杂Fe和双掺杂Ce:Fe离子铌酸锂晶体的折变二波耦合及折变全息存储特性。实验结果表明生长态双掺杂Ce:Fe与单掺杂Fe的LiNbO_3晶体的折变波耦合增益差异不明显,但双掺杂Ce:Fe的LiNbO_3晶... 详细信息
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掺杂CdS纳米粒子聚合物的光折变效应研究
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学学报 2006年 第10期26卷 1526-1531页
作者: 丁莉芸 姜德生 黄俊 武汉理工大学纤传感器技术与信息处理教育部重点实验室 武汉430070
研究了掺杂CdS纳米粒子的有机聚合物体系的光折变效应,体系中以CdS纳米粒子为敏剂,聚乙烯咔唑(PVK)为载流子输运剂,4-(4-硝基苯偶氮)苯胺染料(DO3)为非线性生色团,9-乙基咔唑(ECZ)为增塑剂。反胶束法合成的CdS胶束颗粒采用紫外可见吸... 详细信息
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双掺杂LiNbO_3晶体光折变效应研究
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压电与声 2004年 第5期26卷 386-389页
作者: 许心 许贵宝 王正平 杨旭东 邵宗书 徐悟生 徐玉恒 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南250100 哈尔滨工业大学应用化学系 哈尔滨150001
研究了系列不同掺杂、不同掺杂浓度、单掺杂和双掺杂以及不同后处理态 (生长态、还原态和氧化态 )铌酸锂晶体的透过率谱和折变二波耦合效应。实验结果表明 ,高掺杂铌酸锂样品的透过率谱范围较窄 ;双掺杂样品比单掺铁样品的抗折... 详细信息
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掺锡As_2S_8薄膜光折变效应及其在条波导制备中的应用研究
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物理学报 2009年 第5期58卷 3238-3242页
作者: 孙蓓 陈抱雪 隋国荣 王关德 邹林儿 浜中广见 矶守 上海理工大学电学院 上海200093 南昌大学物理系 南昌330031 日本法政大学工学院物质化学系 日本184-8584 日本东京农工大学工学院应用化学系 日本184-8588
实验研究了Sn1As20S79非晶态半导体薄膜的光折变效应及其膜厚变化的现象,归纳了沉积态样品、退火态样品和饱和态样品的实验规律,提出和采用紫外激励的方法试制了Sn1As20S79条形波导,632.8nm波长导模激励显示该波导具有良好的导波特性.
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Cu:KNSBN晶体生长及其光折变效应的研究
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人工晶体学报 2006年 第2期35卷 253-256页
作者: 荣宪伟 刘欣荣 赵朝中 关承祥 哈尔滨师范大学理化学院物理系 哈尔滨150080 哈尔滨工业大学应用化学系 哈尔滨150001
在KNSBN晶体中掺进CuO,采用硅钼棒作加热体,以Czochralsk i技术生长Cu:KNSBN晶体。以二波耦合路,测试晶体的衍射效率和记录时间,计算折射率变化值Δn。Cu:KNSBN晶体的衍射效率,记录速度和折射率变化值皆高于Fe:L iNbO3晶体。尤其记录... 详细信息
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