掺锡As_2S_8薄膜光折变效应及其在条波导制备中的应用研究
Photoinduced refractive index change effect of amorphous Sn-doped As_2S_8 film and its application in stripe waveguide fabrication作者机构：上海理工大学光电学院上海200093 南昌大学物理系南昌330031 日本法政大学工学院物质化学系日本184-8584 日本东京农工大学工学院应用化学系日本184-8588
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2009年第58卷第5期
页 面：3238-3242页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
基 金：国家自然科学基金(批准号:60677032) 教育部博士学科点专项基金(批准号:20060252005) 上海市重点学科建设项目(批准号:T0501) 江西省自然科学基金(批准号:2007JZW2048)资助的课题~~
摘 要：实验研究了Sn1As20S79非晶态半导体薄膜的光折变效应及其膜厚变化的现象,归纳了沉积态样品、退火态样品和光饱和态样品的实验规律,提出和采用紫外光激励的方法试制了Sn1As20S79条形波导,632.8nm波长导模激励显示该波导具有良好的导波特性.
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